1、SPI旗子暗记线
SPI旗子暗记上串联电阻，一样平常是几十欧姆旁边，一样平常有如下几个浸染：
1）阻抗匹配。由于旗子暗记源的阻抗很低，跟旗子暗记线之间阻抗不匹配，串上一个电阻后，可改进匹配情形，以减少反射。
2）SPI的速率较高，串联一个电阻，与线上电容和负载电容构成RC电路，减少旗子暗记陡峭，避免过冲，过冲有时候会破坏芯片GPIO，当然对EMI也有好处，尤其是高速电路。
3）调试方便，现在的芯片很多是BGA、QFN封装，串联一个电阻，调试时用示波器抓取波形方便。
2、LDO输入端
当LDO的VIN absolute maximum靠近电源电压时，这时候又不想换高规格的LDO，为了节省本钱，这时可以串一个小阻值电阻，能接管一部分电压和电流，当电源端涌现更大的浪涌时，电阻会身先士卒，代价更小。
假设LDO击穿，VIN和GND短路，由于串联电阻R的存在，也会避免电源SYS_5V与GND的短路。
3、TVS前后串联电阻
TVS串联电阻一样平常有两种接法，图A电阻在TVS前，图B电阻在TVS后，两种电路利用场景是不一样的。
先问大家一个问题，电阻和TVS那个抗浪涌能力强，答案毋庸置疑，当然是TVS。
1）对图A来说，首先要考虑浪涌大小，如果不大，可以选择一个得当功率的电阻，电阻在TVS前面，会接管很小一部分的电流，浪涌电流IPP小了之后，对应TVS的Vc（钳位电压）也会变小，对后端负载的保护更好。
2）对图B来说，TVS首先接管大部分的浪涌电流，部分残压或者残流，会经由电阻R2，进行二次的分压限流，可以更好的保护后端负载。如果后端负载远大于R2，分压限流也就微乎其微了，R2实在也就没啥浸染了。
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