以下是辟谣内容:
关于对小米澎湃P1不实传言的解释
近日,我们关注到网络上涌现了很多关于小米澎湃P1的不实传言,传言与事实完备不符,现做出如下解释:
1、小米澎湃P1芯片为小米自研设计、南芯导体代工(内部代号C8561)。这款芯片具备超高压4:1充电架构,实现了120W单电芯充电,支持1:12:1和4:1转换模式,所有模式均可双引导通,可实现有线120W、无线50W、无线反充等多种充电功能。
2.南芯半导体2021年9月发布的南芯C8571,为超高压4:2充电架构,可实现120W双电芯充电,其针对超大功率充电需求,支持4:2、2:2两种模式。
3.小米自研的澎湃P1充电芯片与南芯SC8571拓扑构造完备不同,是不同设计、不同功能、不同定位的两颗充电芯片。
上海南芯半导体科技株式会社
2022年2月8日
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