次世代存储器新打破三星大年夜规模量产28nm工艺EMRAM_存储器_技巧

三星宣告已经开始大规模生产首款商用EMRAM产品，该产品基于28nm FD-SOI工艺技能，并操持在今年扩大高密度新兴的非易失落存储器办理方案，包括1Gb EMRAM芯片。

MRAM是一种非易失落性的磁性随机存储器，除了MRAM，还有eFlash、EEPROM、eMRAM、eRRAM、ePRAM等次世代存储器，能够用于通用微掌握器(MCU)、物联网、工业、消费类电子、汽车等，提升数据保存的能力。

嵌入式存储器的电荷存储中面临可扩展性寻衅，三星战胜技能障碍，并将制程节点发展到28nm，不仅用更低的本钱供应更优的功率和速率上风，还具有非易失落性、随机存取和强耐久性的特色，是可期的持续性发展的产品，未来将有望取代DRAM和NOR Flash技能。

由于MRAM在写入数据之前不须要擦除，因此写入速率大约比EFlash快1000倍。
此外，EMRAM利用的电压比EFlash低，并且在断电模式下不消耗电力，从而提高了功率效率。
其余，由于EMRAM模块可以与现有的逻辑技能（如Bulk、Fin和FD-SOI晶体管）轻松集成，可以节省本钱。

三星代工市场副总裁Ryan Lee表示：“在战胜新材料的繁芜寻衅后，我们推出了嵌入式非易失落性存储器（eNVM）技能，并通过EMRAM与现有成熟的逻辑技能相结合，三星将连续扩大新兴的非易失落存储器(eNVM)工艺产品组合，以供应独特的竞争上风和卓越的可生产性，以知足客户和市场需求。
”