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近期，NAND闪存芯片更新换代的速率可谓是“追风逐电”。在一段韶光内，美韩企业在闪存芯片领域的竞争彷佛进入了“白热化”阶段。
今年7月26日，美国的美光科技宣告，将会开始对其最前辈的NAND闪存芯片进行出货。据理解，美光科技是环球首个将NAND芯片开拓超过200层的企业，而该公司将会于2022年的年底开始量产最新的闪存芯片。
而就在美光科技的宣告仅仅刚过了8天，韩国芯片家当的巨子SK海力士在8月3日表示，该公司现如今已经成功研发出了238层的闪存芯片。与美光科技最新闪存芯片232层的储存单元比较，SK海力士的该款芯片多出了6层储存单元。
（图片来自网络侵删）
8月3日，SK海力士在环球峰会上公开了这款238层的闪存芯片。SK海力士表示道：“这是我们在成功研发176层闪存芯片之后，再次成功研发的业界最高层数的闪存芯片”，SK海力士同时补充道：“这款最新的闪存芯片将会在2023年的上半年开始量产。”
据业内人士透露，SK海力士的这款闪存芯片对业界意义非凡，由于它不仅是现如今体积最小的闪存芯片，同时还是环球首款最高层数的闪存芯片。与SK海力士上一代闪存芯片比较，这款芯片的数据传输速率将会达到2.4GB/秒，同时功耗将会减少至21%。
一个在2022年年底开始量产，而另一个紧随着就会在2023年上半年开始量产。纵然美国美光科技232层闪存芯片量产的韶光比韩国的SK海力士要早，但是凭借着6层储存单元的上风，SK海力士或许会超过美光科技，提前抢占闪存芯片的国际市场。
文|张雅题|黄梓昕 审|李泽钚
