晶体管（transistor）是一种固体半导体器件，具有检波、整流、放大、开关、稳压、旗子暗记调制等多种功能。晶体管作为一种可变电流开关，能够基于输入电压掌握输出电流。与普通机器开关（如Relay、switch）不同，晶体管利用电讯号来掌握自身的开合，而且开关速率可以非常快，实验室中的切换速率可达100GHz以上。
晶体管紧张分为两大类：双极性晶体管（BJT）和场效应晶体管（FET）。
晶体管有三个极；双极性晶体管的三个极，分别由N型跟P型组成发射极（Emitter）、基极（Base） 和集电极（Collector）;场效应晶体管的三个极，分别是源极（Source）、栅极（Gate）和漏极（Drain）。
晶体管由于有三种极性，以是也有三种的利用办法，分别是发射极接地（又称共射放大、CE组态）、基极接地（又称共基放大、CB组态）和集电极接地（又称共集放大、CC组态、发射极随耦器）。
晶体管的优胜性
同电子管比较，晶体管具有诸多优胜性：
1、构件没有花费
无论多么优秀的电子管，都将因阴极原子的变革和慢性漏气而逐渐劣化。由于技能上的缘故原由，晶体牵制作之初也存在同样的问题。随着材料制作上的进步以及多方面的改进，晶体管的寿命一样平常比电子管长100到1000倍，称得起永久性器件的隽誉。
2、花费电能极少
仅为电子管的十分之一或几十分之一。它不像电子管那样须要加热灯丝以产生自由电子。一台晶体管收音机只要几节干电池就可以半年一年地听下去，这对电子管收音机来说，是难以做到的。
3、不需预热
一开机就事情。例如，晶体管收音机一开就响，晶体管电视机一开就很快涌现画面。电子管设备就做不到这一点。开机后，非得等一下子才听得到声音，看得到画面。显然，在军事、丈量、记录等方面，晶体管是非常有上风的。
4、结实可靠
比电子管可靠100倍，耐冲击、耐振动，这都是电子管所无法比拟的。其余，晶体管的体积只有电子管的十分之一到百分之一，放热很少，可用于设计小型、繁芜、可靠的电路。晶体管的制造工艺虽然精密，但工序简便，有利于提高元器件的安装密度。
晶体管的开关浸染
（一）掌握大功率
现在的功率晶体管能掌握数百千瓦的功率，利用功率晶体管作为开关有很多优点，紧张是；
（1）随意马虎关断，所须要的赞助元器件少，
（2）开关迅速，能在很高的频率下事情，
（3）可得到的器件耐压范围从100V到700V，搜罗万象．
几年前，晶体管的开关能力还小于10kW。目前，它已能掌握高达数百千瓦的功率。这紧张归功于物理学家、技能职员和电路设计职员的共同努力，改进了功率晶体管的性能。如
（1）开关晶体管有效芯片面积的增加，
（2）技能上的简化，
（3）晶体管的复合——达林顿，
（4）用于大功率开关的基极驱动技能的进步。 、
（二）直接事情在整流380V市电上的晶体管功率开关
晶体管复合（达林顿）和并联都是有效地增加晶体管开关能力的方法。
在这样的大功率电路中，存在的紧张问题是布线。很高的开关速率能在很短的连接线上产生相称高的滋扰电压。
（三）大略和优化的基极驱动造就的高性能
今日的基极驱动电路不仅驱动功率晶体管，还保护功率晶体管，称之为“非集中保护” （和集中保护对照）。集成驱动电路的功能包括：
（1）开通和关断功率开关；
（2）监控赞助电源电压；
（3）限定最大和最小脉冲宽度；
（4）热保护；
（5）监控开关的饱和压降。
集成NPN晶体管概述
在双极型线性集成电路中NPN晶体管的用量最多，以是它的质量对电路性能的影响最大。集成NPN晶体管的构造示意图如图2—69所示。它是在P型衬底上扩散高掺杂的N+型掩埋层，成长N型外延层，扩散P型基区、N+型发射区和集电区而制成的。个中N+型掩埋层的浸染是为了减小集电区的体电阻。
纵向晶体管与横向晶体管的事理及差异
（1）纵向PNP管：
纵向PNP管也称衬底管，由于构造的关系，内部的载流子沿着纵向运动。这种管子的特点是，管子的基区宽度WB可以准确地掌握，而且做得很薄。因此，纵向PNP管的β很大。超β管的β值在2000一5000（α＝0.995-0.9998）。
因此P型衬底作为集电极，因此只有集成元器件之间采取PN结隔离槽的集成电路才能制作这种构造的管子。由于这种构造管子的载流子是沿着晶体管断面的垂直方向运动的，故称为纵向PNP管。这种管子的基区可准确地掌握使其很薄，因此它的电流放大系数较大。由于纵向PNP管的集电极必须接到电路中电位的最低点，因而限定了它的运用。在电路中它常日作为射极跟随器利用。
（2）横向PNP管：
这种构造管子的载流子是沿着晶体管断面的水平方向运动的，故称为横向PNP管。由于受工艺限定，基区宽度不可能很小，以是它的值相对较低，一样平常为十几倍到二、三十倍。横向PNP管的优点是：
发射结和集电结都有较高的反向击穿电压，以是它的发射结许可施加较高的反压；其余它在电路中的连接办法不受任何限定，以是比纵向PNP管有更多的用场。它的缺陷是结电容较大，特色频率fT较低，一样平常为几~几十兆赫。
在集成电路设计中，每每把横向PNP和纵向PNP管奥妙地接成复合组态，构成性能优秀的放大器。如镜像电源、微电流源、有源负载、共基—共射、共基—共集放大器等。
