长鑫存储申请半导体切割方法专利提升混淆键合的良品率担保混淆键合后的芯片机能_半导体_芯片

专利择要显示，本公开供应了一种半导体切割方法，半导体切割方法包括：供应层叠设置的半导体堆叠件和第一载片；去除第一载片，保留半导体堆叠件；将半导体堆叠件设置于第二载片上，半导体堆叠件和第二载片之间通过键合胶连接；切割半导体堆叠件，形成多个分立的半导体堆叠单元。
通过采取临时键合的形式将半导体堆叠件从第一载片转移至第二载片上，第二载片可以替代传统的半导体框架支撑，进而使得半导体堆叠件可以位于采取全等离子刻蚀切割的机台上，并进行进一步地的切割，可以降落切割过程中颗粒物产生的可能性，并且提升芯片或者晶圆的表面平整度和清洁度，进而提升稠浊键合的良品率，担保稠浊键合后的芯片性能。

本文源自金融界