开关电源设计前各参数
以NXP的TEA1832图纸做解释。剖析电路参数设计与优化并到认证至量产。所有元器件只管即便选择公司现有的或者量大的元件，方便后续降本钱。
1、输入端：FUSE选择须要考虑到I^2T参数。保险丝的分类，快断，慢断，电流，电压值，保险丝的认证是否完好。保险丝前的安规间隔2.5mm以上。设计时只管即便放到3mm以上。需考虑打雷击时，保险丝I2T是否有余量，会不会打挂掉。
2、压敏电阻：图中可以增加一个压敏电阻，一样平常采取14D471,也可采取561，直径越大抗浪涌电流越大，也有增强版的10S471,14S471等，一样平常14D471打1KV,2KV雷击够用了，增加雷击电压就要换成MOV+GDT。有必要时，压敏电阻外包个热缩套管。
3、NTC：图中可以增加个NTC,有的客户有限定冷启动浪涌电流不超过60A,30A，NTC的另一个目的还可以在雷击时扛部分电压，减下MOSFET的压力。选型时把稳NTC的电压，电流，温度等参数。
4、共模电感：传导与辐射很主要的一个滤波元件，共模电感有环形的高导材料5K,7K,0K,12K,15K，常用绕法有分槽绕，并绕，蝶形绕法等，还有UU型，分4个槽的ET型。这个如果能共用老机种的最好，本钱考虑，传导辐射测试完成后才能定型。
5、X电容选择：须要与共模电感合营测试传导与辐射才能定容值，一样平常情形为功率越大X电容越大。
6、如果认证有输入L,N的放电韶光哀求，须要在X电容下放2并2串的电阻给电容放电。
7、桥堆的选择：一样平常须要考虑桥堆能过得浪涌电流，耐压和散热，防止雷击时坏掉。
8、VCC启动电阻：把稳启动电阻的功耗，紧张是耐压值，1206一样平常耐压200V,0805一样平常耐压150V，能多留余量比较好。
9、输入滤波电解电容：一样平常算作本的考虑，输出保持韶光的10mS，按照电解电容容值的最小情形80%容值设计，不同厂家和不同的设计履历有点出入，有一点要把稳普通的电解电容和扛雷击的电解电容，电解电容的纹波电流关系到电容寿命，这个看品牌和详细的系列。
10、输入电解电容上有并联一个小瓷片电容，这个平时表示不出来用途，在做传导抗扰度时有效果。
11、RCD接管部分：R的取值对应MOSFET上的尖峰电压值，如果采取贴片电阻需把稳电压降额与功耗。C一样平常取102/103 1KV的高压瓷片，整改辐射时也有可能会改为薄膜电容效果好。D一样平常用FR107,FR207，整改辐射时也有改为1N4007的情形或者其他的慢管，或者在D上套磁珠（K5A,K5C等材质）。小功率电源，RC可以采取TVS管替代，如P6KE160等。
12、MOSFET的选择，起机和短路情形须要把稳SOA。高温时的电流降额，低温时的电压降额。一样平常600V 2-12A足够用与100W以内的反激，根据成本来权衡选型。整改辐射时很多方法没有效果的时候，换个MOSFET就过了的情形常常有。
13、MOSFET的驱动电阻一样平常采取10R+20R，阻值大小对应开关速率，效率，温升。这个参数须要整改辐射时调度。
14、MOSFET的GATE到SOURCE端须要增加一个10K-100K的电阻放电。
15、MOSFET的SOURCE到GND之间有个Isense电阻，功率只管即便选大，只管即便采取绕线无感电阻。功率小，或者有感电阻短路时有碰着过炸机征象。
16、Isense电阻到IC的Isense增加1个RC，取值1K,331，调试时可能有浸染，如果采取这个TEA1832电路为参考，增加一个C并联到GND。
17、不同的IC外围引脚参考设计手册即可，根据自己的履历在IC引脚处放滤波电容。
18、变压器的设计，反激变压器设计论坛里面谈论很多，不多说。还是考虑本钱，只管即便不在变压器里面加屏蔽层，顶多在变压器表面加个十字屏蔽。变压器一定要验算delta B值，防止高温时磁芯饱和。delta B=LIpk/（NAe），L(uH),Ipk（A),N为低级砸数（T）,Ae（mm2）。（参考TDG公司的磁芯特性（100℃）饱和磁通密度390mT，剩磁55mT，以是ΔB值一样平常取330mT以内，涌现非常情形不饱和，一样平常取值小于300mT以内。我之前做反激变压器取值都是小于0.3的）附，学习zhangyiping的履历（以是一样平常的磁通密度选择1500高斯，变压器小的可以选大一些，变压器大的要选小一些，频彔高的减小频彔低的可以大一些吧。）
变压器的VCC赞助绕组只管即便用2根以上的线并绕，之前很大批量时有碰到过有几个赞助绕组轻载电压不足或者重载时VCC过压的情形，2跟以上的VCC赞助绕线能只管即便耦合更好办理电压差异大这个问题。
附注：有兴趣验证这个公式的话，可以在最低电压输入，输出负载不断增加，看到变压器饱和波形，饱和时打算结果该当是500mT旁边（25℃时，饱和磁通密度510mT）。借鉴TDG的磁芯基本特色图。
19、输出二极管效率哀求高时，可以采取超低压降的肖特基二极管，本钱哀求高时可以用超快规复二极管。
20、输出二极管并联的RC用于抑制电压尖峰，同时也对辐射有抑制。
21、光耦与431的合营，光耦的二极管两端可以增加一个1K-3K旁边的电阻，Vout串联到光耦的电阻取值一样平常在100欧姆-1K之间。431上的C与RC用于调度环路稳定，动态相应等。
22、Vout的检测电阻须要有1mA旁边的电流，电流太小输出偏差大，电流太大，影响待机功耗。
23、输出电容选择，输出电容的纹波电流大约即是输出电流，在选择电容时纹波电流放大1.2倍以上考虑。
24、2个输出电容之间可以增加一个小电感，有助于抑制辐射滋扰，有了小电感后，第一个输出电容的纹波电流就会比第二个输出电容的纹波电流大很多，以是很多电路里面第一个电容容量大，第二个电容容量较小。
25、输出Vout端可以增加一个共模电感与104电容并联，有助于传导与辐射，还能降落纹波峰峰值。
26、须要做恒流的情形可以采取专业芯片，AP4310或者TSM103等类似芯片做，用431+358都行，把稳VCC的电压范围，环路调节也差不多。
27、有多路输出负载情形的话，电源的主反馈电路一定要有固定输出，或者假负载，否则会由于耦合，burst模式等问题导致其他路输出电压不稳定。
28、低级次级的大地之间有接个Y电容，一样平常容量小于或即是222，则泄电流小于0.25mA，不同的产品认证对泄电流是有哀求的，需把稳。
算下来这么多，电子元器件基本能定型了，全体初略的BOM可以评审并参考报价了。BOM中元器件可以多放几个品牌方便核本钱。如客户有分外哀求，可以在电路里面增加功能电路实现。如不能实现，探求新的IC来完成，相等功率和频率下，IC的变动对外围器件影响不大。如客户温度范围的哀求比较高，对应元器件的选项须要参考元器件利用温度和降额利用。
开关电源PCB设计
1、PCB对应的SCH网络要对应，方便后续更新，花不了多少韶光的。
2、PCB的元器件封装，标准库里面的按实际情形须要变动，贴片元件焊盘加大；插件元件的孔径比元件管脚大0.3mm，焊盘直径大于孔0.8mm以上，焊盘大些方便焊接，元器件过波峰焊也随意马虎上锡，PCB厂家做出来也不随意马虎破孔。还有很多细节的东西多理解些对生产是很大的功劳啊。
3、安规的哀求在PCB上的表示，保险丝的安规输入到输出间隔3mm以上，保险丝带型号须要印在PCB上。PCB的板材也有不同的安规哀求，对应须要做的认证与商沟通能否知足哀求。相应的认证编号需印到PCB上。低级到次级的间隔8mm以上，Y电容把稳选择Y1还是Y2的，跨距也哀求8mm以上，变压器的低级与次级，用挡墙或者次级用三层绝缘线飞线等方法做爬电间隔。
4、桥堆前L,N走线间隔2.5mm以上，桥堆后高压+，-间隔2.5mm以上。走线为大电流回路先走，面积越小越好。旗子暗记线阔别大电流走线，避免滋扰，IC旗子暗记检测部分的滤波电容靠近IC，旗子暗记地与功率地分开走，星形接地，或者单点接地，末了汇总到大电容的“-”引脚，避免调试时旗子暗记受滋扰，或者抗扰度出状况。
5、IC方向，贴片元器件的方向，只管即便放到整排整列，方便过波峰焊上锡，提高产线效率，避免阴影效应，连锡，虚焊等问题涌现。
6、打AI的元器件须要根据相应的规则放置元器件，之前看过一个日本的PCB，焊盘做成水点状，AI元件的引脚刚好在水点状的焊盘上，俊秀。
7、PCB上的走线对辐射影响比较大，可以参考干系书本。还有1种情形，PCB当单面板布线，弄完后，在顶层敷整块铜皮接大电容地，抑制传导和辐射很有效果。
8、布线时，还须要考虑雷击，ESD时或其他滋扰的电流路径，会不会影响IC。
开关电源调试
1、万用表先测试主电流回路上的二极管，MOSFET，有没有短路，有没有装反，变压器的感量与漏感是否都有测试，变压器同名端有没有绕错。
2、开始上电，我的习气是先上100V的低压，PWM没有输出。用示波器看VCC，PWM脚，VCC上升到启动电压，PWM没有输出。检讨各引脚的保护功能是否被触发，或者参数不对。找不到问题，查看IC的上电时序图，或者IC的datasheet里面IC启动的条件。示波器利用时需把稳，3芯插头的地线要拔掉，不拔掉的话最好采取隔离探头挂波形，要不怎么炸机的都不知道。用2个以上的探头时，2根探头的COM端接同1个点，避免影响电路，或者夹错位置烧东西。
3、IC启动问题办理了，PWM有输出，创造启动时变压器啸叫。挂MOSFET的电流波形，或者看Isense脚底波形是否是三角波，有可能是饱和波形，有可能是方波。需重新核算ΔB，还有种情形，VCC绕组与主绕组绕错位置。也有输出短路的情形，还有RCD接管部分的问题，乃至还碰到过TVS坏了短路的情形。
4、输出有了，但是输出电压不对，或者高了，或者低了。这个须要判断是低级到问题，还是次级的问题。挂输出二极管电压电流波形，是否是正常的反激波形，波形不对，估计便是同名端反了。检讨光耦是否破坏，光耦正常，采取稳压管+1K电阻更换431的位置，即可判断输出反馈431部分，或者恒流，或者过载保护等保护的动作。常见问题，光耦脚位画错，导致反馈到不了前级。431封装弄错，一样平常431的封装有2种，脚位有镜像了的。同名真个问题会导致输出电压不对。
5、输出电压正常了，但是不是精确的12V或者24V，这个时候一样平常采取2个电阻并联的办法来调节到精确电压。采样电阻必须是1%或者0.5%。
6、输出能带载了，带满载变压器有响声，输出电压纹波大。挂PWM波形，是否有大小波或者开几十个周期，停几十个周期，这样的情形调节环路。431上的C与RC，现在的很多IC内部都已经集成了补偿，环路都比较好调度。环路调节没有效果，可以打算下电感感量太大或者太小，也可以重新核算Isense电阻，是否IC已经认为Isense电阻电压较小，IC事情在brust mode。可以变动Isense电阻阻值测试。
7、高低压都能带满载了，波形也正常了。测试电源效率，输入90V与264V时效率只管即便做到同等(改占空比，匝比)，方便后续安规测试温升。电源效率一样平常参考老机种效率，或者查能效等级里面的标准参考。
8、输出纹波测试，一样平常都有哀求用47uF+104,或者10uF+104电容测试。这个电解电容的容值影响纹波电压，电容的高频低阻特性（不同品牌和系列）也会影响纹波电压。示波器测试纹波时探头上用弹簧测试探头测试可以避免滋扰尖峰。输出纹波搞不定的情形下，可以改容量，改电容的系列，乃至考虑采取固态电容。
9、输出过流保护，客户哀求精度高的，要在次级放电流保护电路，哀求精度不高的，一样平常低级做过流保护，大部分IC都有集成过流或者过功率保护。过流保护一样平常放大1.1-1.5倍输出电流。最大输出电流时，元器件的应力都须要测试，并留有余量。电流保护如增加反馈环路可以做成恒流模式，无反馈环路一样平常为打嗝保护模式。做好过流保护还须要测试满载+电解电容的测试，客户端有时提出的哀求并未给出是否是容性负载，能带多大的电容起机测试了后心里比较有底。
10、输出过压保护，稳定性哀求高的客户会哀求放2个光耦，1个正常事情的，一个是做过压保护的。无哀求的，在VCC的赞助绕组处增加过压保护电路，或者IC里面已经有集成的过压保护，外围器件很少。
11、过温保护一样平常要看详细情形添加的，安规做高温测试时对温度都有哀求，能知足安规哀求温度都还可以，除非环境繁芜或者非常情形，须要增加过温保护电路。
12、启动韶光，一样平常哀求为2S,或者3S内起机，都比较好做，待机功耗做到很低功率的方案，一样平常IC都考虑好了。没有什么问题。
13、上升韶光和过冲，这个通过调节软启动和环路相应实现。
14、负载调度率和线性调度率都是通过调节环路相应来实现。
15、保持韶光，变动输入大电容容量即可。
16、输出短路保护，现在IC的短路保护越做越好，一样平常短路时，IC的VCC赞助绕组电压低，IC靠启动电阻供电，IC启动后，Isense脚检测过流会做短路保护，停滞PWM输出。一样平常在264V输入时短路功率最大，短路功率掌握住2W以内比较安全。短路时须要测试MOSFET的电流与电压，并通过查看MOSFET的SOA图（安全事情区）对应短路是否超出设计范围。
17、空载起机后，输出电压跳。有可能是轻载时VCC的赞助绕组感应电压低导致，增加VCC绕组匝数，还有可能是输出反馈环路不稳定，须要更新环路参数。
18、带载起机或者空载切重载时电压起不来。重载时，VCC赞助绕组电压高，需查看是否过压，或者是过流保护动作。
还有变压器设计时按照正常输出带载设计，导致重载或者过流保护前变压器饱和。
19、元器件的应力都应测试，满载、过载、非常测试时元器件应力都应有余量，余量大鄙视公司规定和本钱考虑。 性能测试与调试基本完成。调试时把自己想成是设计这颗IC的人，就能好好理解IC的事情情形并快速办理问题。 这些全都按影象写的，有点乱，有些没有记录到，后续想到了再补上。
EMC等测试之前
1、温升测试，45℃烤箱环境，输入90，264时变压器磁芯，线包不超过110℃，PCB在130℃以内。其他的元器件详细值参考下安规哀求，温度最难整的一样平常都是变压器。
2、绝缘耐压测试DC500V，阻值大于100MΩ，初次级打AC3000V韶光60S,小于10mA，产线量产可以打AC3600V,6S。建议采取直流电压DC4242打耐压。耐压电流设置10mA，测试过程中测试仪器报警，要检讨初次级间隔，低级到外壳，次级到外壳间隔，能把测试室拉上窗帘更好，能快速找到放电的位置的电火花。
3、对地阻抗，一样平常要小于0.1Ω，测试条件电流40A。
4、ESD一样平常哀求打仗4K,空气8K，有个电阻电容模型问题。一样平常会把等级提高了打，打到最高的打仗8K,空气15K。打ESD时，共模电感底下有放电针的话，放电针会放电。电源的ESD还会在散热器与不同元器件之间打火，一样平常是间隔问题和PCB的layout问题。打ESD打到15K把电源打碎就知道自己做的电源能抗多大的电压，做安规认证时，心里有底。如果客户有哀求更高的电压也知道怎么处理。参考EN61000-4-2。
5、EFT这个没有涌现干涉干与题2KV。参考EN61000-4-4。
6、雷击，差模1K，共模2K，采取压敏14D471，有输入大电解，走线没有大问题基本PASS。碰到过雷击不过的情形，小功率5W,10W的打挂了，采取能抗雷击的电解电容。单极PFC做反激打挂了MOSFET,在输入桥堆后加入二极管与电解电容串联，电容接管能量。LED电源打2K与4K的情形，4KV就要采取压敏电阻+GDT的形式。参考EN61000-4-5。
EFT,ESD,SURGE有A,B,C等级。一样平常要A等级：滋扰对电源无影响。
7、低温起机。一样平常便宜的电源，温度范围是0-45℃，贵的，工业类，或者LED什么的有哀求-40℃-60℃，乃至到85℃。-40℃的时候输入NTC增大了N倍，输入电解电容明显不足用了，ESR很大，还有PFC如果用500V的MOSFET也是有点危险的（低温时MOSFET的耐压值变低）。之前碰到过90V输入的时候输出电压跳，或者是LED闪几次才正常起来。增加输入电容容量，改小NTC,增加VCC电容，软启动韶光加长，低级限流（输入容量不足，导致电压很低，电流很大，触发保护）从1.2倍放大到1.5倍，IC的VCC绕组增加2T赞助电压抬高；查找保护线路是否太极限，低温被触发（如PFC过压易被触发）。
传导整改
基本性能和安规基本问题办理掉，剩下个传导和辐射问题。这个时候可以跟客户谈后续价格，自己优化下线路。 跟安规工程师确认安规问题，跟产线的工程师确认后续PCB上元器件是否须要做位置的变动，产线是否方便操作等问题。或者有打AI，过回流焊波峰焊的问题，及时对元器件调度。
1、传导和辐射测试大家看得比较多，论坛里面也讲的多，实际上这个是个砸钱的事情。砸钱砸多了，自然就会了，整改也就快了。能改的地方就那么几个。1、这个里面看不见的，特殊主要的就算是PCB了，有厉害的可以找到PCB上的线，割断，换个走线办法就可以搞掉3个dB,余量就有了。
2、一样平常看到条记本电源适配器，接电脑的部分就有个很丑的砣，这个便是个EMI滤波器，从适配器出线的部分到条记本电脑这么长的间隔，可以算作是1条天线，增加一个滤波器，就可以滤除损耗。以是一样平常开关电源的输出端有一个滤波电感，效果也是一样的。
3、输入滤波电感，功率小的，UU型很好用，功率大的基本用环型和ET型。公司有传导实验室或者传导仪器的倒是可以有想法了就去折腾下。假如要去第三方实验室的就比较痛楚了，光整改材料都要带一堆。滤波电感用高导的10K材料比较好，对传导辐射抑制效果都不错，如果传导差的话，可以改12K,15K的，辐射差的话可以改5K,7K的材质。
4、输入X电容，能用小就用小，紧张是占地方。这个要合营滤波电感调度的。
5、Y电容，初次级没有装Y电容，或者Y电容很小的话一样平常从150K-30M都是飘的，或者飞出限值了的，装个471-222就差不多了。Y电容的接法直接影响传导与辐射的测试数据，一样平常为低级地接次级的地，也有低级高压，接次级地，或者放2个Y电容低级高压和低级地都接次级的地，没有调好之前谁也说不准的。Y电容上串磁珠，对10MHz以上有效果，但也不全是。每个人调试传导辐射的方法和办法都有差异机种也不同，问题也不同，以是大概我的方法只适宜我自己用。无Y方案大部分是靠改变变压器来做的，而且功率不好做大。
6、MOSFET接管，DS直接顶多能接个221，要不温度就太高了，一样平常47pF，100pF。RCD接管，可以在C上串个10-47Ω电阻接管尖峰。还可以在D上串10-100Ω的电阻，MOSFET的驱动电阻也可以改为100Ω以内。
7、输出二极管的接管，一样平常采取RC接管足够了。
8、变压器，变压器有铜箔屏蔽和线屏蔽，铜箔屏蔽对传导效果好，线屏蔽对辐射效果好。至于初包次，次包初，还有些其他的绕法都是为了好过传导辐射。
9、对付PFC做反激电源的，输入部分还须要增加差模电感。一样平常用棒形电感，或者铁粉芯的黄白环做。
10、整改传导的时候在10-30MHz部分只管即便压低到有15-20dB余量，那样辐射比较好整改。
开关频率一样平常在65KHz，看传导的时候可以看到65K的倍频位置，一样平常都有很高的值。
总之：传导的征象可以算作是功率器件的开关引起的振荡在输入线上被放大了显示出来，避免振荡旗子暗记出去就要避免高频振荡，或者把高频振荡接管掉，损耗掉，以至于显示出来的时候不超标。
6
辐射整改
1、PCB的走线按照布线规则来做即可。当PCB有空间的时候可以放2个Y电容的位置：低级大电容的+到次级地；低级大电容-到次级地，整改辐射的时候可以调度。
2、对付2芯输入的，Y电容除了上述接法还可以在L,N输入端，保险丝之后接成Y型，再接次级的地，3芯输入时，Y电容可以从输入输出地接到输入大地来测试。
3、磁珠在辐命中央很主要，以前用过的材料是K5A,K5C，磁珠的阻抗曲线与磁芯大小和尺寸有关。如图所示，不同的磁珠对不同的频率阻抗曲线不同。但是都是把高频杂波损耗掉，成了热量（30MHz-500MHz）。一样平常MOSFET,输出二极管，RCD接管的D，桥堆，Y电容都可以套磁珠来做测试。
4、输入共模电感：如果是2级滤波，第一级的滤波电感可以考虑用0.5-5mH旁边的感量，蝶形绕法，5K-10K材质绕制，第一级对辐射压制效果好。如果是3芯输入，可以在输入端进线处用三层绝缘线在K5A等同材质绕3-10圈，效果巨好。
5、输出共模电感，一样平常采取高导磁芯5K-10K的材料，分外情形辐射搞不定也可以改为K5A等同材质。
6、MOSFET，漏极上串入磁珠，输入电阻加大，DS直接并联22-220pF高压瓷片电容可以改进辐射能量，也可以换不同电流值的MOS，或者不同品牌的MOSFET测试。
7、输出二极管，二极管上套磁珠可以改进辐射能量。二极管上的RC接管也对辐射有影响。也可以换不同电流值来测试，或者改换品牌
8、RCD接管，C变动容量，R改阻值，D可以用FR107，FR207改为慢管，但是须要把稳慢管的温度。RCD里面的C可以串小阻值电阻。
9、VCC的绕组上也有二极管，这个二极管也对辐射影响大，一样平常采纳套磁珠，或者将二极管改为1N4007或者其他的慢管。
10、最关键的变压器。能少加屏蔽就少加屏蔽，没办法的情形也只能改变压器了。变压器里面的铜箔屏蔽对辐射影响大，线屏蔽是最有效果的。一样平常改不动的时候才去改变压器。
11、辐射整改时的效率。套满磁珠的电源先做测试，PASS的情形，再逐个剪掉磁珠。fail的情形，在输入输出端来套磁环，判断辐射旗子暗记是从输入还是输出发射出来的。套了磁环还是fail的话，证明辐射能量是从板子上出来的。这个时候要找实验室的兄弟搞个探头来测试，看看是哪个元器件辐射的能量最大，哪个原件在超出限值的频率点能量最高，再对对应的元件整改。辐射的征象可以算作是功率器件在高速开关情形下，寄生参数引起的振荡在不同的天线上发射出去，被天线吸收放大了显示出来，避免振荡旗子暗记出去就要避免高频振荡，改变振荡频率或者把高频振荡接管掉，损耗掉，以至于显示出来值的时候不超标。磁珠的利用有个须要把稳的地方，套住MOSFET的时候，MOSFET最好是要打K脚，套入磁珠后点胶固定，如果磁珠松动，可能导电引起MOSFET短路。有空间的情形下只管即便采取带线磁珠。
改版定型与试产
传导辐射整改完成后，PCB可以定型了，最好按照生产的工艺哀求来做改进，更新一版PCB，避免生产时碰到问题。
1、验证电源的时候到了，客户哀求，规格书。电源样品拿给测试验证组做测试验证了。之前问题都办理了的话，验证组是没问题的，到韶光拿报告就可以了。
2、准备小批量试产，走流程，准备物料，整理BOM与供应样机给生产部同事。
3、准备做认证的材料（保险丝，MOSFET等元器件）与样机以及做认证的关键元器件清单等文档性材料。关键元器件清单里面的元件一样平常写3个以上的商。认证号一定要对准，错了的话，后续审厂会有不必要的麻烦。剩下的都是一些基本的沟通问题了。
做认证时碰到过做认证的时候温升超标了的，只能加导热胶导出去。或者提高效率，把传导与辐射的余量放小。这种问题一样平常是自己做测试时余量留得太少，很难碰到的。
4、一样平常认证2个月旁边能拿到的。2个月的韶光足够把试产做好了。
5、试产问题：基本上都是要改大焊盘，插件的孔大小变动，丝印位置的变动等。
6、试产的测试按IPS和产线测试的规章制度完成。
碰到过裸板耐压打不过的，缘故原由竟然是把裸板放在绿色的静电皮上操作；也有是麦拉片折痕处贴的胶带磨损了。
7、输入有大电容的电源，须要哀求测试的工序里面增加一条，测试完毕给大电容放电的一个操作流程。
8、试产完成后开个试产总结会，试产PASS，PCB可以开模了。量产基本上是不会找到研发工程师了，顶多便是替代料的事宜。
9、做完一个产品，给自己写点总结什么的，个中的履历教训，或者是有点失落败的地方，或者是不同IC的特点。项目做多了，自然就会了。
全体开拓过程中都是一个团队的协作，以是很厉害的工程师，沟通能力也是很强的，研发一个产品要跟很多部门打交道，技能类的书要看，技能问题也要磋商，同时沟通与礼仪方面的知识也要学习，有这些条件条件，开拓起来也就随意马虎多了。
