不经意间，中国的芯片公司又闯入了一个新领域，日前西安紫光国芯宣告推出12nm工艺的GDDR6存储掌握器和物理接口IP（GDDR6 MC/PHY IP）。紫光国芯之前做过DDR内存芯片，还有便是NAND闪存，推出显存干系的IP芯片还是第一次，而且水准不低。
制程工艺利用的是GF格芯的12nm LP低功耗工艺，做的也是GDDR6存储掌握器和物理接口IP（GDDR6 MC/PHY IP），大家可以理解为GDDR6显存的主控芯片。
根据紫光国芯先容，这个GDDR6 MC/PHY IP包括一个可配置的内存掌握器（MC），其完备符合DFI3.1和AMBA AXI4.0标准，并许可设计工程师天生具有优化延迟和带宽的GDDR6掌握器以知足高性能运用的哀求，如显卡，游戏机和AI打算等。
该IP针对功耗和性能进行了优化设计，西安紫光国芯的GDDR6物理接口（PHY）供应了高达12Gbps/13Gbps/14Gbps/16Gbps的数据速率，同时兼容JEDEC250和DFI3.1标准。
物理接口（PHY）部分还嵌入了高性能锁相环以知足严格的时序规范。
与主流GDDR6存储颗粒集成，经由流片测试验证，该IP的性能在12Gbps/14Gbps/16Gbps数据率时知足设计规格哀求。且当数据率为16Gbps时，均匀每个DQ的最大功耗小于4mW/Gbps。
目前，紫光国芯的GDDR6 MC/PHY IP已经在格芯的12LP工艺平台上架。
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