三星将于2025年推出\"SAINT\"3D芯片封装做事 为量产HBM4做准备_技巧_年夜众

就三星 3D 封装的细节而言，它是 2.5D 方法的后继者，这一次，这家韩国巨子不再利用硅插层来连接 HBM 和 GPU，而是决定通过将多个芯片堆叠在一起来实现垂直整合。
三星操持将其称为SAINT（三星高等互连技能）平台，并将封装分为三种类型：SAINT-S、SAINT-L 和 SAINT-D。
它们都处理不同的芯片，如 SRAM、Logic 和 DRAM。

与传统的 2.5D 比较，三星的 3D 封装技能具有多项上风。
通过垂直堆叠，该公司成功地缩小了芯片之间的间隔，从而加快了数据传输的速率。
垂直堆叠还能减少碳足迹，这也是广泛采取该技能的另一个好处。

韩国媒体称，三星在加利福尼亚州圣何塞举行的\"大众三星代工论坛 2024\公众上展示了这项技能。
这是该公司首次向"大众展示这项技能，由于英伟达（NVIDIA）和英伟达（AMD）宣告将推出各自的下一代人工智能硬件。
由于 3D 封装将与 HBM4 一起利用，估量三星的做事将与英伟达的 Rubin架构和 AMD 的Instinct MI400 AI 加速器一起亮相。

三星还操持到 2027 年发布\"大众一体化异构集成\"大众技能。
这项技能将实现统一的人工智能封装，集成商无需处理单独的封装技能。
在苹果之后，英特尔在其轻薄设计（如 Lunar Lake CPU）中采取了非常以 SoC 为中央的方法，而 AMD 也在垂直堆叠领域非常生动，其独特的 HBM、MCD 和 3D V-Cache 堆栈横跨多个芯片，可以广泛知足从消费市场到企业市场的各种客户需求。