mos管定义
双极型晶体管把输入端电流的眇小变革放大后，在输出端输出一个大的电流变革。双极型晶体管的增益就定义为输出输入电流之比（beta）。另一种晶体管，叫做场效应管（FET），把输入电压的变革转化为输出电流的变革。FET的增益即是它的transconductance， 定义为输出电流的变革和输入电压变革之比。市情上常有的一样平常为N沟道和P沟道，详情参考右侧图片（N沟道耗尽型MOS管）。而P沟道常见的为低压mos管。
N沟道mos管符号
场效应管通过投影一个电场在一个绝缘层上来影响流过晶体管的电流。事实上没有电流流过这个绝缘体，以是FET管的GATE电流非常小。最普通的FET用一薄层二氧化硅来作为GATE极下的绝缘体。这种晶体管称为金属氧化物半导体（MOS）晶体管，或，金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）。由于MOS管更小更省电，以是他们已经在很多运用处所取代了双极型晶体管。
P沟道mos管符号
MOS管被击穿的缘故原由及办理方案如下：
第一、MOS管本身的输入电阻很高，而栅-源极间电容又非常小，以是极易受外界电磁场或静电的感应而带电，而少量电荷就可在极间电容上形成相称高的电压（U=Q/C），将管子破坏。虽然ＭＯＳ输入端有抗静电的保护方法，但仍需小心对待，在存储和运输中最好用金属容器或者导电材料包装，不要放在易产生静电高压的化人为料或化纤织物中。组装、调试时，工具、仪表、事情台等均应良好接地。要防止操作职员的静电滋扰造成的破坏，如不宜穿尼龙、化纤衣服，手或工具在打仗集成块前最好先接一下地。对器件引线矫直波折或人工焊接时，利用的设备必须良好接地。
第二、ＭＯＳ电路输入真个保护二极管，其导通时电流容限一样平常为１ｍＡ 在可能涌现过大瞬态输入电流（超过１０ｍＡ）时，应串接输入保护电阻。而129#在初期设计时没有加入保护电阻，以是这也是MOS管可能击穿的缘故原由，而通过改换一个内部有保护电阻的MOS管应可防止此种失落效的发生。还有由于保护电路接管的瞬间能量有限，太大的瞬间旗子暗记和过高的静电电压将使保护电路失落去浸染。以是焊接时电烙铁必须可靠接地，以防泄电击穿器件输入端，一样平常利用时，可断电后利用电烙铁的余热进行焊接，并先焊其接地管脚。
静电的基本物理特色为：有吸引或排斥的力量；有电场存在，与大地有电位差；会产生放电电流。这三种环境会对电子元件造成以下影响：
1.元件吸附灰尘，改变线路间的阻抗，影响元件的功能和寿命。
2.因电场或电流毁坏元件绝缘层和导体，使元件不能事情（完备毁坏）。
3.因瞬间的电场软击穿或电流产生过热，使元件受伤，虽然仍能事情，但是寿命受损。
上述这三种情形中，如果元件完备毁坏，必能在生产及品质测试中被察觉而打消，影响较少。如果元件轻微受损，在正常测试中不易被创造，在这种环境下，常会因经由多次加工，乃至已在利用时，才被创造毁坏，不但检讨不易，而且丢失亦难以预测。静电对电子元件产生的危害不亚于严重失火和爆炸事件的丢失
电子元件及产品在什么情形下会遭受静电毁坏呢？可以这么说：电子产品从生产到利用的全过程都遭受静电毁坏的威胁。从器件制造到插件装焊、整机装联、包装运输直至产品运用，都在静电的威胁之下。在全体电子产品生产过程中，每一个阶段中的每一个小步骤，静电敏感元件都可能遭受静电的影响或受到毁坏，而实际上最紧张而又随意马虎轻忽的一点却是在元件的传送与运输的过程。在这个过程中，运输因移动随意马虎暴露在外界电场（如经由高压设备附近、工人移动频繁、车辆迅速移动等）产生静电而受到毁坏，以是传送与运输过程须要特殊把稳，以减少丢失，避免无所谓的轇轕。
