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单片机内部Flash存储损失造成严重问题怎么有效解决_代码_测试

神尊大人 2024-12-25 00:39:23 0

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比如 利用STM32单片机进行程序开拓,样品小量测试时,功能测试都正常。
但在大批量生产时,就会涌现概任性的涌现内部系统参数丢失的情形。

由于产线掌握不良率要在千分之1,以是导致生产停拉,产品须要返工,事情很严重。

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参数存储

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(图片来自网络侵删)

后来经由不断剖析,与STM32的FAE进行联合调试,然后从样机测试,小批量测试,到大批量,确认验收,办理了这个问题

因这个问题看不见摸不着,以是须要从以下几个方面进行处理

1 存储代码不合理,须要有单独的备份区,代码存储须要同时存两个独立扇区的备份区数据,并且能有有效验真的校验机制。
能分辨当某一扇区丢失时,有效的切换到另一个扇区

2 一定要检讨全局变量和局部变量,不能有溢涌征象,由于溢出后就有可能无意识修正参数

3 存储的读写操作过程中要电压稳定,前后操作要有一定的延时等待。

4 只管即便减少全体系统的中断相应

5 单片机供电电压要稳定,不稳定的电压随意马虎造成数据丢失

由于每个项目代码不一样,这里就不写详细的代码,只须要从上面几个点去考虑,就能办理数据丢失问题。

长于总结履历,能学习别人的履历,才是一个精良的程序,精良的工程师进步的法宝!

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