在利用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑MOS的导通电阻，最大电压等，最大电流等，也有很多人仅仅考虑这些成分。这样的电路大概是可以事情的，但并不是精良的，作为正式的产品设计也是不许可的。
1、MOS管种类和构造
MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET)，可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，但实际运用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管，以是常日提到NMOS，或者PMOS指的便是这两种。右图是这两种MOS管的符号。
至于为什么不该用耗尽型的MOS管，不建议刨根问底。
对付这两种增强型MOS管，比较常用的是NMOS。缘故原由是导通电阻小且随意马虎制造。以是开关电源和马达驱动的运用中，一样平常都用NMOS。下面的先容中，也多以NMOS为主。
在MOS管事理图上可以看到，漏极和源极之间有一个寄生二极管。这个叫体二极管，在驱动感性负载(如马达)，这个二极管很主要。顺便说一句，体二极管只在单个的MOS管中存在，在集成电路芯片内部常日是没有的。下图是MOS管的布局图，常日的事理图中都画成右图所示的样子。 (栅极保护用二极管有时不画)
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MOS管的三个管脚之间有寄生电容存在，如右图所示。这不是我们须要的，而是由于制造工艺限定产生的。寄生电容的存在使得在设计或选择驱动电路的时候要麻烦一些，但没有办法避免，在MOS管的驱动电路设计时再详细先容。
2、MOS管导通特性
导通的意思是作为开关，相称于开关闭合。
NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适宜用于源极接地时的情形(低端驱动)，只要栅极电压达到4V或10V就可以了。
PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，利用与源极接VCC时的情形(高端驱动)。但是，虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动，但由于导通电阻大，价格贵，更换种类少等缘故原由，在高端驱动中，常日还是利用NMOS。
右图是瑞萨2SK3418的Vgs电压和Vds电压的关系图。可以看出小电流时，Vgs达到4V，DS间压降已经很小，可以认为导通。
3、MOS开关管丢失
不管是NMOS还是PMOS，导通后都有导通电阻存在，因而在DS间流过电流的同时，两端还会有电压(如2SK3418特性图所示)，这样电流就会在这个电阻上花费能量，这部分花费的能量叫做导通损耗。选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗。现在的小功率MOS管导通电阻一样平常在几十毫欧旁边，几毫欧的也有。
MOS在导通和截止的时候，一定不是在瞬间完成的。MOS两端的电压有一个低落的过程，流过的电流有一个上升的过程，在这段韶光内，MOS管的丢失是电压和电流的乘积，叫做开关丢失。常日开关丢失比导通丢失大得多，而且开关频率越快，丢失也越大。
下图是MOS管导通时的波形。可以看出，导通瞬间电压和电流的乘积很大，造成的丢失也就很大。降落开关韶光，可以减小每次导通时的丢失;降落开关频率，可以减小单位韶光内的开关次数。这两种办法都可以减小开关丢失。
4、MOS管驱动
跟双极性晶体管比较，一样平常认为使MOS管导通不须要电流，只要GS电压高于一定的值，就可以了。这个很随意马虎做到，但是，我们还须要速率。
在MOS管的构造中可以看到，在GS，GD之间存在寄生电容，而MOS管的驱动，实际上便是对电容的充放电。对电容的充电须要一个电流，由于对电容充电瞬间可以把电容算作短路，以是瞬间电流会比较大。选择/设计MOS管驱动时第一要把稳的是可供应瞬间短路电流的大小。
第二把稳的是，普遍用于高端驱动的NMOS，导通时须要是栅极电压大于源极电压。而高端驱动的MOS管导通时源极电压与漏极电压(VCC)相同，以是这时栅极电压要比VCC大4V或10V。如果在同一个别系里，要得到比VCC大的电压，就要专门的升压电路了。很多马达驱动器都集成了电荷泵，要把稳的是该当选择得当的外接电容，以得到足够的短路电流去驱动MOS管。
上边说的4V或10V是常用的MOS管的导通电压，设计时当然须要有一定的余量。而且电压越高，导通速率越快，导通电阻也越小。现在也有导通电压更小的MOS管用在不同的领域里，但在12V汽车电子系统里，一样平常4V导通就够用了。
MOS管的驱动电路及其丢失，可以参考Microchip公司的AN799 Matching MOSFET Drivers to MOSFETs。讲述得很详细，以是不打算多写了。
5、MOS管运用电路
MOS管最显著的特性是开关特性好，以是被广泛运用在须要电子开关的电路中，常见的如开关电源和马达驱动，也有照明调光。这三种运用在各个领域都有详细的先容
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