谈谈几种常用的MOSFET驱动电路_电路_电容

但很多时候也仅仅考虑了这些成分，这样的电路也容许以正常事情，但并不是一个好的设计方案。
更细致的，MOSFET还应考虑本身寄生的参数。
对一个确定的MOSFET，其驱动电路，驱动脚输出的峰值电流，上升速率等，都会影响MOSFET的开关性能。

当电源IC与MOS管选定之后，选择得当的驱动电路来连接电源IC与MOS管就显得尤其主要了。

一个好的MOSFET驱动电路有以下几点哀求：

（1）开关管开通瞬时，驱动电路应能供应足够大的充电电流使MOSFET栅源极间电压迅速上升到所需值，担保开关管能快速开通且不存在上升沿的高频振荡。

（2）开关导通期间驱动电路能担保MOSFET栅源极间电压保持稳定且可靠导通。

（3）关断瞬间驱动电路能供应一个尽可能低阻抗的通路供MOSFET栅源极间电容电压的快速泄放，担保开关管能快速关断。

（4）驱动电路构造大略可靠、损耗小。

（5）根据情形施加隔离。

下面先容几个模块电源中常用的MOSFET驱动电路。

1、电源IC直接驱动MOSFET

图1 IC直接驱动MOSFET

电源IC直接驱动是我们最常用的驱动办法，同时也是最大略的驱动办法，利用这种驱动办法，该当把稳几个参数以及这些参数的影响。

①最大驱动峰值电流

不同芯片，驱动能力很多时候是不一样的，须要把稳驱动能力是否足够；

②MOS管寄生电容

如图1中C1、C2的值。
如果C1、C2的值比较大，MOS管导通的须要的能量就比较大，如果电源IC没有比较大的驱动峰值电流，那么管子导通的速率就比较慢。
如果驱动能力不敷，上升沿可能涌现高频振荡，纵然把图1中Rg减小，也不能办理问题！
IC驱动能力、MOS寄生电容大小、MOS管开关速率等成分，都影响驱动电阻阻值的选择，以是Rg并不能无限减小。

2、电源IC驱动能力不敷时

如果选择MOS管寄生电容比较大，电源IC内部的驱动能力又不敷时，须要在驱动电路上增强驱动能力，常利用图腾柱电路增加电源IC驱动能力，其电路如图2虚线框所示。

图2 图腾柱驱动MOS

这种驱动电路浸染在于：提升电流供应能力，迅速完成对付栅极输入电容电荷的充电过程。
这种拓扑增加了导通所须要的韶光，但是减少了关断韶光，开关管能快速开通且避免上升沿的高频振荡。

3、驱动电路加速MOS管关断韶光

图3 加速MOS关断

关断瞬间驱动电路能供应一个尽可能低阻抗的通路供MOSFET栅源极间电容电压快速泄放，担保开关管能快速关断。
为使栅源极间电容电压的快速泄放，常在驱动电阻上并联一个电阻和一个二极管，如图3所示，个中D1常用的是快规复二极管。
这使关断韶光减小，同时减小关断时的损耗。
Rg2是防止关断的时电流过大，把电源IC给烧掉。

图4 改进型加速MOS关断

在第二点先容的图腾柱电路也有加快关断浸染。
当电源IC的驱动能力足够时，对图2中电路改进可以加速MOS管关断韶光，得到如图4所示电路。
用三极管来泄放栅源极间电容电压是比较常见的。
如果Q1的发射极没有电阻，当PNP三极管导通时，栅源极间电容短接，达到最短韶光内把电荷放完，最大限度减小关断时的交叉损耗。
与图3拓扑比较较，还有一个好处，便是栅源极间电容上的电荷泄放时电流不经由电源IC，提高了可靠性。

4、驱动电路加速MOS管关断韶光

图5 隔离驱动

为了知足如图5所示高端MOS管的驱动，常常会采取变压器驱动，有时为了知足安全隔离也利用变压器驱动。
个中R1目的是抑制PCB板上寄生的电感与C1形成LC振荡，C1的目的是隔开直流，通过互换，同时也能防止磁芯饱和。

除了以上驱动电路之外，还有很多其它形式的驱动电路。
对付各种各样的驱动电路并没有一种驱动电路是最好的，只有结合详细运用，选择最得当的驱动。

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