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FM7318A--PWM 控制功率开关_电流_电压

admin 2025-01-20 19:33:54 0

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为了担保芯片正常事情,FM7318A针对各种故障设计了一系列完善的具有可规复功能的保护方法,包括软启动、VDD 欠压锁定保护(UVLO)、过压保护(OVP)、逐周期电流限定(OCP)、过载保护(OLP)和图腾柱输出驱动高箝位等,特殊对音频噪声和FM滋扰进行了处理。
芯片内置的频率抖动和图腾柱栅极软驱动技能可随意马虎地得到良好的EMI 性能。

特点

内置软启动:4ms

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优化的Burst掌握模式,以提高效率和降落待机 功耗(低于0.3W)

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(图片来自网络侵删)

正常事情时无音频噪声设计

固定事情频率:65KHz

内置斜波补偿电路

较低的启动电流和事情电流

内置前沿消隐电路

欠压锁定保护

过载保护(OLP)

过压保护(OVP)

保护解除后自动规复功能

VCC 事情电压高达35V,在输出5-12V快充系统中,无需外加VCC稳压电路

运用

快充电源

电池充电器

机顶盒电源

开放式开关电源

数码相机、摄像机适配器

电脑/做事器/液晶电视待机电源

VCR、SVR、DVD&DVCD播放器电源

功能描述

FM7318A 是小功率离线反激式开关电源功率转换器。
专为 18W 快充方案设计。

启动电流和启动掌握

FM7318A具有较低的启动电流,因此当VDD电压被充到UVLO(OFF),可以迅速的启动。
实际运用时可以采 用一个较大的启动电阻,既能知足芯片的快速启动,又能使启动功率损耗降到最低。
例如,对付宽范围的输入电压

(85V-265V)的AC/DC 转换器运用,只须要一个2M/0.125W的电阻与VDD 表面的10uF/50V小电容相连就能使芯片快速启动。

事情电流

FM7318A的事情电流低于2mA,较低的芯片事情电流以及轻载时所采取的Burst 事情模式,使芯片在轻载事情时具有较高的事情效率。

改进 EMI 的频率抖动

FM7318A具有频率抖动功能,即开关频率以一个固定的中央频率为基准,在一定范围内小幅随机变革,从而 分散了谐波滋扰能量。
扩展的频谱降落了窄带EMI,因此简化了系统设计。

优化的 Burst 模式掌握

在轻载或者空载情形下,开关电源的大部分损耗来源于功率MOSFET的开关损耗,变压器铁损和缓冲电路的损 耗。
功率丢失的程度正比于开关频率。
较低的开关频率可以降落功率损耗,达到节能的目的。

FM7318A的开关频率可根据开关电源负载情形进行内部调节。
正常负载条件下,芯片以固定频率发波;当负载减小到某一点的时候,芯片开始事情在PFM 模式,即负载越轻芯片事情频率越低;如果负载进一步降落到一定程度往后,芯片开始间歇性地发波,从而极大的减小待机功耗。

开关频率掌握采取无噪音事情模式,在任何负载情形下都不会进入人耳敏感的音频范围,从而减小音频噪声。

振荡器事情

FM7318A 内部固定开关频率在 65KHz。
无需外部设置频率的电阻从而简化 PCB 设计。

峰值电流检测和前沿消隐

FM7318A采取电流模式PWM 掌握技能,具有逐周期峰值电流限定功能。
由于缓冲二极管反向规复电流和内部功率MOSFET栅极浪涌电流,会在MOSFET导通瞬间的开关电流上引起脉冲电流,开关电流流过SENSE峰值检 测电阻并在其两端产生一个很大的瞬时电压,从而引起缺点的SENSE峰值电流检测。
内部前沿消隐电路便是为了屏蔽MOSFET导通瞬间SENSE端所产生的瞬时大电压,防止缺点的SENSE峰值电流检测。
在前沿消隐韶光内,功 率MOSFET 始终保持开启。
这样就可以节省一个外部的RC网络。
PWM的占空比由SENSE电压和FB电压共同掌握,

内部同步斜波补偿

斜波补偿电路在SENSE端检测电压旗子暗记上叠加了一个三角波旗子暗记。
这极大的改进了系统事情在CCM 模式的闭环稳定性,防止次谐波振荡,减小输出纹波电压。

保护掌握

为了确保系统的正常事情,FM7318A 内置了多重保护方法。
当这些保护方法一旦被触发,将关断功率MOSFET。
这些保护方法包括逐周期电流限定(OCP)、过载保护(OLP)、VDD 欠压锁定(UVLO)保护、过压保护(OVP) 。

逐周期电流限定(OCP)带有内置线电压补偿,可实现宽输入电压范围(85V~265V)时恒定功率输出掌握。
当 FB 端电压大于过载限定阈值TD_PL(范例50ms)后,掌握电路关闭功率开关管并一贯保持该状态直到VDD

电压低落到UVLO(ON)阈值后,芯片重新启动。

芯片正常事情时VDD 电压由变压器赞助绕组供应。
当VDD 电压大于VDD 过压保护阈值时,FM7318A 将关闭输出并一贯保持该状态直到VDD 电压低落到UVLO(ON)阈值后,芯片重新启动。

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