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做为layout，只须要知道晶振是敏感器件，其本身易受滋扰同时产生的时钟也会滋扰别人；
而常日做法是：尽可能靠近芯片时钟脚；表层挖地，底下隔两层完全地层再走线；
其余晶振分一样平常常见四类：石英晶振，TCXO，VCXO[用到这个的要特殊把稳],OCXO,顾名思义呀，不一一先容；
（图片来自网络侵删）
然而在空间有限，叠层定去世，本钱压去世，性能许OK,不幸的是纠结与强制症一起呈现；
1.“尽可能靠近芯片时钟脚\"大众; 如果晶振是给pmu用的？如果晶振是给大功耗cup用？如果晶振已经尽可能靠近芯片时钟脚，不幸的是阁下刚好有大功率器件？
这就要分实际情形了，首先看“尽可能靠近”的本意是CLK走线只管即便短，少去麻烦他人，适用于其周围不存在温差变革大的和OCXO【存在极限值】；
2.“表层挖地，底下隔两层完全地层再走线”；
“表层挖地”的本意是隔离周围的热对晶振的影响，“底下隔两层完全地层再走线”的本意是晶振与两层下走线不要共地；避免引入噪声；然而晶振一样平常处于BGA的周围，下面满满的走线，隔两层就差强人意，因此就要分情形找紧张问题了；
如果两层下是一些电平掌握旗子暗记，常日是表层挖地，隔一层地；
如果两层下是一些通信口，总线，大电流途经，就必须担保晶振下两层完全地层，然而刚好BGA阁下有pmu或者pa；加层贵不可能，将tcxo换成OCXO贵弗成封装更大更加弗成，
这时候就只能捐躯“尽可能靠近”，移走，时钟旗子暗记做处理；
如下图；pmu阁下晶振的处理 ：捐躯靠近，表层挖地，隔2层完全地后底下才走线；
