RC低通滤波器射极跟随器multisim技能文章分享_暗记_旗子

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那么这种RC低通滤波器的输出阻抗会不会影响到电路？

那么先出一道题，看一下这个图，输入为10V的方波，过二阶RC滤波器，问节点3和节点5的电压是多少？

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节点3的电压还会和刚才一样是5V吗？

（图片来自网络侵删）

答案是否定的。
从下图的仿真我们也可以看出，上电后随着电容的充电，终极V(3)会稳定到1.67V，V(5)会稳定到1V。

节点3的电压会由于R3和R4的引入，终极电压为1.67V。
打算公式为：

V(3)= [V1D(R3+R4)]/(R1+R2+R3+R4)=1.67V

节点5的V(5)电压即是1V，这个比较大略，大家该当司帐算。

总结一下便是二阶RC的输出阻抗导致的结果涌现了变革，本图中，二阶RC的输出阻抗为R1+R2=20KΩ。
而正是由于这个输出阻抗，与后级分压电阻R3和R4分压造成终极输出DAC的电压变革。

以是说当利用PWM+二阶RC做DAC的时候要格外确当心后级电路的输入阻抗。
RC滤波的输出阻抗越大，后级电路的输入阻抗越小越危险！
例如刚才电路中的二阶RC的输出阻抗为R1+R2，后级电路的输入阻抗为R3+R4.

那么还是轻微的举一个例子，就拿之前滴滴滴的那个4-20mA恒流源来说，这个二阶RC后增加一个电压跟随器便是为了减小二阶RC后的输出阻抗（电压跟随器的空想输出阻抗为0），加了跟随器后可以防止这个二阶RC的输出阻抗对后级的howland电流源造成额外的偏差。
如果不增加跟随器，同相输入端将多加上二阶RC的输出阻抗。

查看原文：https://www.dianyuan.com/eestar/article-8427.html

这个射极跟随器输出互换旗子暗记为什么会失落真？静态事情点的求剖解析

这个是一个朋友的电路，用射极跟随器做一个互换旗子暗记的驱动，详细电路如下，输出的旗子暗记涌现了底部失落真（削底）。
那么这个电路又该如何优化呢？

输入旗子暗记VIN幅值为1V，直流偏置也是1V，三极管选用MMBT3904，那么输出是否会有问题呢？赤色为输入旗子暗记VIN，幅值为1V，直流偏置为1V；绿色为射极跟随器输出的旗子暗记，从仿真可以看出电路输出的波形被削底了！

那么是为什么呢？我们先大略剖析一下电路的浸染：

为什么会输出旗子暗记底部削底？究其缘故原由，便是其静态事情点选取的不得当，假设Vbe=0.7V，β为100倍，那么一起打算一下吧。
求静态事情点就要让电容处于开路状态，由于静态事情点是针对直流旗子暗记而言的。
那么我们的电路就等效为了下图：

然后我们只须要求取Vb和Ve，然后就知道为什么输出旗子暗记会削底了，求取过程如下：

我们也可以通过仿真来得到Vb和Ve两点的静态事情点，可以看到大体和我们的打算结果是保持同等的：

以是说，互换旗子暗记经由电容C1后的波形该当是一个骑在Vb（1.1V旁边）的波形，然后Ve的波形该当是一个骑在Ve（0.4V旁边的）波形。
由于输入旗子暗记幅值为1V，以是到Ve的时候就导致了波形底部削底。
我们也可以仿真一下Vb和Ve的波形，可以看到实际上波形到了Ve就已经产生了底部削波：

说白了，便是输入旗子暗记Vin的幅值大于了Ve的静态事情点，导致了输出波形底部削波，那么我们将输入旗子暗记VIN幅值改为200mV，再次查看VIN和VOUT的波形，便可看到，输出波形不失落真了：

同理，我们也可以变动Ve的静态事情点，我们将R2改为300Ω，然后对电路再次进行直流事情点仿真，可以看到Ve的静态事情点被设置为了1.63V，大于了输入旗子暗记VIN的1V幅值：

然后我们再将VIN输入旗子暗记规复为1V，然后仿真Ve和VOUT，可以看到Ve和输出波形VOUT不再底部削波：

查看原文：https://www.dianyuan.com/eestar/article-8428.html

如何用multisim快速仿真？

在Multisim中进行仿真的基本步骤如下：

建立电路文件：可以通过打开Multisim时自动打开的空缺电路文件，或者通过菜单File/New、工具栏New按钮、快捷键Ctrl+N来新建电路文件。
放置元器件和仪表：在Multisim的页面上，“Basic”里选取和放置元器件，“Source”里选择旗子暗记源、接地端，右侧仪器箱中选择虚拟仪器。
元器件编辑：双击修正须要设计参数的勉励源、虚拟仪器等。
连线和进一步调整：按照电路图进行布线，并调度元件的位置和参数。
电路仿真：对电子电路进行检讨后，点击虚拟电源开关，双击虚拟仪器，调度所用的数据，然后在虚拟显示仪器上便可以得出图像曲线和数据结果。

须要把稳的是，在支配电路图的过程中，有时可能找不到须要的仿真元件。
这时，可以考虑用附近的元器件代替，或者自建元件（这须要设计者懂得SPICE措辞）。
此外，还可以利用元件编辑工具对已有的附近元器件进行修正，或者在EDAparts.corn网站中购买器件模型。

完成以上步骤后，就可以进行仿真剖析，不雅观察电路的运行情形，并获取仿真结果。

请把稳，详细的操作步骤可能因Multisim版本和电脑操作系统的不同而略有差异，因此在进行仿真操作时，建议参考Multisim的官方教程或干系手册。
同时，也应把稳确保电路连接精确，参数设置合理，以得到准确的仿真结果。

Multisim仿真的优点紧张表示在以下几个方面：

直不雅观易用的操作界面：Multisim供应了直不雅观且易于利用的操作界面，使得用户可以轻松进行电路设计、修正和仿真。
界面设计仿照真实的实验事情台，用户可以像实际操作一样连接导线，极大地方便了电路的设计和仿真过程。
丰富的元器件库：Multisim内置了数量极大的元器件库，包含了大量的仿照电路和数字电路元件，用户无需担心找不到得当的电子元件。
这为用户供应了极大的便利，可以快速地完成电路设计和仿真。
强大的仿真能力：Multisim具有强大的仿真仿照能力，可以准确预测电路的行为和性能。
用户可以通过仿真来验证电路设计的精确性，从而在实际操作前创造并办理问题。
多样化的测试和剖析工具：Multisim供应了多样化的测试和剖析工具，如直流和互换灵敏度剖析、最差情形剖析等，这些工具可以帮助用户深入理解和剖析电路的性能，优化电路设计。
良好的兼容性和扩展性：Multisim具有良好的兼容性，可以与其他电子设计自动化软件（EDA）进行集成，供应更强大的功能。
同时，用户还可以导入外部模块进行电路设计仿真，创建包含不同类型电路的稠浊电路进行仿真。
学习本钱低：对付初学者来说，Multisim的直不雅观界面和易于操作的特点使其学习本钱较低，初学者可以快速上手并开始进行电路设计和仿真。

总的来说，Multisim仿真软件是一款功能强大、操作简便的电路仿真工具，它能够帮助用户快速完成电路设计、剖析和仿真，提高电路设计的效率和准确性。

查看原文：https://www.dianyuan.com/eestar/article-8433.html

GPIO旗子暗记先容

一、GPIO旗子暗记根本知识

GPIO(General-Purpose input/output),通用型之输入输出端口的简称，可以通过软件掌握其输出和输入，市情上绝大部分芯片都会供应一个"通用可编程IO接口"，即GPIO。

GPIO旗子暗记事理框图

目前市情上利用的芯片，其内部GPIO旗子暗记电路构造都如上图所示，其输入保护二极管用于防止引脚外部过高正电压、负电压输入，当电压高于VDD时，上方的二极管导通，当引脚电压低于VSS时，下方二极管导通，防止外部脉冲电压引入损毁芯片。

TTL施密特触发器：基本事理是当输入电压高于正向阈值电压，输出未高；当输入电压低于负向阈值电压，输出为低。
IO口旗子暗记经由触发器后仿照旗子暗记转化为0和1的数字旗子暗记，也便是高低电平，并且符合TTL电平协议。

P-MOS管和N-MOS管：旗子暗记由P-MOS管和N-MOS管，依据两个MOS管的事情办法，使得GPIO具有"推挽输出"和"开漏输出模式"，P-MOS管高电平导通，低电平关闭；N-MOS管低电平导通，高电平关闭。

二、GPIO旗子暗记的8种模式：

2.1、浮空输入：

浮空输入模式下，I/O端口的电平旗子暗记直接进入输入数据存储器。
I/O电平状态是不愿定的，完备由外部输入决定；如果在该引脚悬空（无旗子暗记输入）的情形下，读取该端口的电平是不愿定的，常日用于IIC、UART等总线设备。