图一：慧荣科技展出SM2260办理方案
在本次展会中，我们还可以看到此款SM2260搭配 3D NAND的效能表现：读取速率可达2370MB，输写速率为1039MB，读写表现可圈可点。其余，SM2260掌握器采取了RAID保护功能的专有NANDXtend™技能，有效提升解错能力，并确保数据的完全性。该款产品经由多项兼容性及稳定测试后才得以上巿，可谓众望所归。根据慧荣科技事情职员表示，SM2260已经被有名SSD 厂商所采取，很快就会在巿场上瞥见。
图二：SM2260掌握芯片各方面性能表现
除了SM2260 PCIe SSD 主控芯片外，慧荣科技还先容了新推出的搭载 3D TLC NAND的SM2258掌握器，性能表现同样出色，完胜巿场上大多数SATASSD。
图三：SM2258掌握芯片各方面性能表现
其余，在本次闪存峰会上，宝存科技也展出企业级SSD办理方案。
图四：宝存科技展台
宝存科技携Shannon Direct-IO™ PCIe Flash及U.2(8639) PCIe Flash产品再度亮相闪存峰会。该系列产品不仅性能上不断完善，而且闪存颗粒工艺也由19/20nm改换为15nm，从本钱上知足了企业对高性价比的追求。
图五：宝存科技推出的Shannon Direct-IO™ PCIe Flash系列
图六：宝存科技推出的Shannon Direct-IO™ U.2(8639) PCIe Flash系列
宝存科技估量将于今年下半年发布遵照NVMe标准的PCIe Flash产品，在本次展会现场可以找到该款产品的干系资料。宝存科技的NVMe是遵照PCIe标准的高速存储设备。比较Direct-IO™ PCIe Flash基于标准PCIe的高度可定制化架构，宝存科技的NMVe会拥有更好的通用性，并且在中小容量段更有运用的上风。通过Direct-IO™和NMVe两条PCIe产品线的构建，知足不同用户对不同场景的性能需求。
图七：宝存科技NVMe产品性能数据
在今年环球闪存峰会中，除了一睹慧栄科技在闪存技能的上风外，也可以理解慧栄过去十年的成果。慧荣科技致今已经发卖超过50倍颗闪存干系主控芯片，成为环球发卖第一的王者品牌。
图八：慧荣科技过去十年景长进程
