第一代：真空管（1957年以前）
20世纪初，弗莱明发明了二极管。没过几年，德福雷斯特在对二极管的研究根本上，发明了真空三极管。真空三极管（triode）拥有用电子讯号掌握“开关”的性能，极适宜用于高速实行数字型的逻辑及算数运算，我们可以用真空三极管来掌握电路的导通与断开，继而形成逻辑电路。具备了理论根本和物质根本，ENIAC的出身也便是顺理成章的了。
德福雷斯特与真空三极管
真空管是个抽成真空的玻璃管，阴极产生电子飞向施加了高电压的阳极，并利用阴极和阳极之间设置的细网格状电极掌握电子的流量。电子管的开闭切换速率为微秒级。但是，真空管的阳极须要施加数百伏的高电压，因此耗电量巨大，而且寿命也不是特殊长。不过在当时，相较于之前的机器开关的什么巴比奇差分机，人们已经对这个鄙吝械构成的打算机十分地“依赖”了。
第二代：晶体管（1958 - 1963年）
随着驾驭电子能力的进一步增强，同时半导体技能也突飞年夜进，科学家终于可以在固态电子方面大施拳脚了。在极富盛名的贝尔实验室，三位伟大的科学家萧克莱（William Shockley）、约翰·巴顿（John Bardeen）和沃特·布拉顿（Walter Brattain）在1947年发明了晶体管（Bipolar transistor）。
第一个晶体管
相较于真空三极管，晶体管在体积、寿命、制作工艺上都有极大的上风。由晶体管构成的打算机更小、更省电，同时运算速率也大幅度提高。并且由于半导体材料相较于气体来说，科学家更随意马虎掌握。随着科学家对半导体研究的进一步深入，纯度和工艺越来越好，晶体管的寿命与稳定性也越来越受到一些芯片厂商的青睐。
第三代：集成电路（IC、LSI）（1964 - 1969年）
之前的电路还是分立元件构成，也便是在PCB（印刷电路板）把三极管、二极管焊接起来构成芯片。IC的发明还要归功于德州仪器（TI）公司的杰克·基尔比（Jack Kilby），他在锗半导体芯片上天生了三极管等多个元件，并在元件之间用细金属连线连接，从而形成了集成电路。
指尖上的IC
上风是明显的！
之前由分立元件构成的2500px²印刷电路板，在集成电路上只须要1mm²的芯片就可以实现相同的功能。至此，LSI将芯片技能领进了一个新的时期，下面的VLSI与LSI的界线并没有那么清晰，只是VLSI作为商家的噱头来说，更加能吸引消费者吧！
第四代：大规模集成电路（1970年往后）
固态电子的不断发展，从晶体管的根本上，人们又连续研究出了FET（场效应晶体管，Field-Effect Transistor），与传统的晶体管比较，掌握办法由电流变成了电压，在FET的栅极上加上得当的电压，就可以掌握电流。在FET中，一种叫做MOSFET（金属-氧化物半导体场效应晶体管，Metal-Oxide-Semiconductor FET），MOSFET布局大略，在一块IC上的集成密度比三极管还要高，终于，经由四代的发展，“旧时王谢堂前燕”的IC通过VLSI工艺，可以飞入平凡百姓家了！
Intel C4004
1971年，Intel4004这个划时期产品涌现，它利用MOSFET集成电路技能，采取了10μm工艺，集成了2300个MOSFET，别看它这么小，和祖宗ENIAC的打算能力不相上下。25年，ENIAC从30吨越跑越小，末了摇身一变进到3mm4mm的硅芯片中，功率乃至只有不到1W！
