NOR闪存是另一种与NAND不同的闪存类型，它具有不同的设计拓扑构造，某些特定的运用处景下更为适宜。在比较NAND和NOR闪存在不同运用中的相对上风和适用性之前，检讨其构造差异是很主要的。
NAND闪存产品是当今已经达到高水准的存储芯片，是当前市情上嵌入式以及独立式SSD的紧张原材料。多层单元(MLC)技能和3D制造工艺的结合，将NAND存储单元垂直蚀刻到硅衬底上，使存储密度和NAND芯片容量呈几何级增长。
NAND与NOR电路根本
只管NAND闪存是这两种非易失落性内存技能中相对盛行的一种，但NAND和NOR都是由同一名东芝公司的工程师在上世纪80年代中期发明的。要理解这两个种类的差异和命名，须要简要回顾一下逻辑门的根本知识。
NAND和NOR分别涉及到布尔逻辑函数中的逻辑“和”（and）以及“或”（or）。如下所示，NAND和NOR都天生相应两个二进制输入的输出。
相应两个二进制输入的NAND和NOR输出
NAND和NOR逻辑门仅仅为它们各自的功能实现了上面这个真值表。
NAND门在观点上是作为AND门实现的——当两个输入都是1时输出1——后面随着一个NOT门，这是一个逻辑反转。相应的，NOR门在观点上是一个OR门——有任何一个输入是1时输出1，然后是NOT门，这是一个逻辑倒装。
布尔逻辑的背景对付理解NAND和NOR闪存至关主要，由于闪存单元被连接到一个行和列的数组中。在NAND闪存中，一组中的所有单元(常日是一个字节的倍数，取决于芯片的大小)共享一条位线，并以串行办法连接每个单元，每个单元连接到一个单独的字行。同一字行连接一个内存块中的多个字节，常日为4 KB到16 KB。因此，只有当所有的字线都是高或单状态时，位线才会降落或变为零状态，这实际年夜将内存组转换为一个多输入NAND门。
与此相反，NOR闪存并行组织位线的办法是，当位线和字线都处于低或零状态时，内存单元只保持高或单状态。
NAND单元的串联结构使得它们可以通过导电层(或掺杂层)连接在衬底上，而不须要外部打仗，从而显著减少了其横截面积。
NAND闪存单元的串联连接意味着它们不须要单元之间通过金属层进行外部打仗——而这正是NOR拓扑构造所需的。利用导电层连接硅衬底上的单元意味着NAND闪存的密度常日比NOR高两个数量级，或100倍。此外，组内单元的串联连接使它们可以垂直地堆积在3D数组中，位线类似于垂直管道。
相反，由于NOR闪存单元不能单独寻址，因此它们对付随机访问运用程序更快。
NAND与NOR产品类型
这两种类型的闪存具有明显的特性和性能差异，它们有各自最适宜的运用程序类型。除了容量外，NAND和NOR闪存还具有不同的运行、性能和本钱特性，如下图所示。
这两种闪存中也有几种不同的产品类型，它们在I/O接口、写入持久性、可靠性和嵌入式掌握功能方面有所不同。
NAND闪存产品类型
NAND闪存以单层（SLC）、多层（MLC）、三层（TLC）或四层（QLC）的形式在每个单元（cell）中存储bit，分别为1 bit/cell、2 bit/cell、3 bit/cell、4 bit/cell。要确定哪种类型的NAND最适宜于事情负载，大略来说，每个单元的位数越高，其容量就越大——当然，因此数据持久性和稳定性为代价的。
NAND设备只是没有任何外围电路的存储芯片，这些外围电路使NAND闪存可以在SSD、U盘或其他存储设备中利用。比较之下，托管型NAND产品嵌入了一个内存掌握器来处理必要的功能，比如磨损调平、坏块管理(从利用中肃清非功能性内存块)和数据冗余。
NOR闪存产品类型
串行设备通过只暴露少量(常日是1到8个)I/O旗子暗记来减少包的pin数。对付须要快速连续读取的运用程序来说，这是空想的选择。NOR闪存常日用于瘦客户机、机顶盒、打印机和驱动器掌握器。
并行NOR产品暴露多个字节，而且常日利用内存页而不是单独的字节进行操作，更适用于启动代码和高容量运用程序，包括数码单反相机、存储卡和电话。
两种闪存都是不可或缺的
NAND是闪存的主力，广泛用于嵌入式系统和SSD等存储设备的大容量数据存储。不过，NOR 闪存在存储可实行的启动代码和须要频繁随机读取小数据集的运用程序方面起着关键浸染。显然，这两种类型的闪存将连续在打算机、网络和存储系统的设计中发挥浸染。
原文作者：Kurt Marko
