功率晶体管GTR（BJT）比例驱动电路事理讲解_导通_暗记

当输入旗子暗记 ui 为高电平时，晶体管 VT1、VT2及光耦合器VL导通，晶体管VT3截止，VT4和VT5导通， VT6截止，GTR饱和导通。
电容C2起加速浸染，当充电结束后C2两端的电压为Uc。
负载减轻时抗饱和电路浸染，保持GTR饱和深度基本不变。

当输入旗子暗记 ui 为低电平时，VT1、VT2、 VL 截止,VT3导通，VT4 和VT5截止，VT6导通，电容C2通过VT6和稳压管VZ1、二极管VD5使 GTR 供应一定的反偏压，经由二极管VD4抽取多余载流子以加速截止。