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今年10月，三星宣告率先在业界实现了10纳米 FinFET工艺的量产。与其上一代14纳米FinFET工艺比较，三星10纳米工艺可以在减少高达30%的芯片尺寸的根本上，同时实现性能提升27%或高达40%的功耗降落。
通过采取10纳米FinFET工艺，骁龙835处理器将具有更小的芯片尺寸，让OEM厂商能够在即将发布的产品中得到更多可用空间，以支持更大的电池或更轻薄的设计。制程工艺的提升与更前辈的芯片设计相结合，估量将会显著提升电池续航。
三星实行副总裁及晶圆代工业务主管Jong Shik Yoon表示：“我们很高兴有机会与高通进行密切互助，采取我们的10纳米 FinFET工艺生产骁龙835。作为我们晶圆代工业务的一项主要里程碑，这次互助显示了对付三星领先制程工艺的信心。”
（图片来自网络侵删）
骁龙820/21处理器被今年大部分旗舰手机采取，已经拥有超过200款设计发布或正在开拓中，而骁龙835正是其后续产品。目前，骁龙835已经投入生产，估量搭载骁龙835的商用终端将于2017年上半年出货。
值得把稳的是，韩媒在10月初宣布过，在MWC2017大会期间，三星会发布Galaxy S8，详细韶光是2017年2月26日，据悉该机有一半机型将利用高通骁龙835处理器。| 最新最全手机科技数码资讯，尽在安卓中国！
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