ChatGPT 是 OpenAI 开拓的一款谈天机器人，能够更高层次理解人类需求并办理繁芜问 题。ChatGPT 基于 Transformer 架构算法，可用于处理序列数据模型，通过连接真实世 界中大量的语料库来演习模型，可进行措辞理解并通过文本输出，做到与真君子类险些 无异的谈天场景进行互换。 ChatGPT 运用处景广泛，外洋已有龙头落地成功案例： 1）笔墨创意的天生：快速天生文章段落构造。 2）客服系统：与客户更流畅的互换。 3）虚拟人物对话：传统虚拟人物会设定对话标准答案，ChatGPT 能够更自然真实地与人 对话。 4）结合 Office 软件：天生文档、表格、PPT 等。 5）搜索：替代部分搜索需求。 6）咨询领域：供应值得思考或探索的方向。 ChatGPT 外洋已有运用方案落地：为 BuzzFeed 供应个性化测试做事以及为 Amazon 解 决工程师技能难题等。
ChatGPT 带动算力需求飙升，存算侧硬件全面增量需求。据 NVIDIA 估算，演习 GPT3，假设单个机器的显存/内存容量足够的条件下，8 张 V100 显卡演习时长估量达 36 年， 1024 张 80GBA100 显卡完全演习 GPT-3 的时长为 1 个月，算力侧硬件需求全面增长。
ChatGPT4 多模态演绎，算力需求进一步激增。ChatGPT4 为多模态模型，利用图像、 视频等多媒体数据进行演习，文件大小远超笔墨，进一步驱动算力需求飙升。以 LAION5B 图文数据集为例，其包含 58.5 亿个 CLIP 过滤的图像文本数据集，我们认为图像、视 频类演习数据将驱动算力需求进一步飙升。此外，大模型演习须要海量数据传输，由此 将对以做事器交流机为代表的数据传输设备产生更多需求，干系高算力芯片需求量将相 应增长。
高算力时期，Chiplet 助力打破芯片制程瓶颈。在速率方面，采纳 3D 封装技能的 chiplet 缩短了线路传输间隔，指令的相应速率得到大幅提升，寄生性电容和电感也得以降落， 此外，更多更密集的 I/O 接点数，电路密度提升将提高功率密度。3D 封装由于采取更细 小、更密集的电路，旗子暗记传输不须要过多的电旗子暗记，从而功耗也会相应降落。
整体来看，ChatGPT 将从算力侧和数据传输端全面带动显卡及高算力芯片需求，由此将 从算力芯片、运用端、存算一体、前辈封装、封装设备、IC 载板等多个领域带动硬件市 场增量需求。
1.2 AI 做事器需求快速增长，有望带动存储行业困境修复
根据中商家当研究院数据，2021 年环球做事器出货量达 1315 万台，同比增长 7.8%， 对应环球市场规模达 995 亿美元。根据 Counterpoint 估量，2022 年环球做事器市场规 模有望达到 1117 亿美元，同比增长 17.0%。估量云做事供应商数据中央扩展增长驱动 力紧张来自于汽车、5G、云游戏和高性能打算。
AI 做事器渗透率依旧较低，增长空间巨大。根据 TrendForce 数据，截止 2022 年环球搭 载 GPGPU 的 AI 做事器（推理）出货量占整体做事器比重约 1%，同时 TrendForce 预测 2023 年伴随 AI 干系运用加持，年出货量增速达到 8%，2022~2026 年 CAGR 为 10.8%。 根据 TrendForce 数据，2022 年环球 AI 做事器采购中，Microsoft、Google、Meta、AWS 为前四大采购商，合计占比 66.2%。中国地区 ByteDance（字节跳动）采购比例最高， 达到 6.2%。
人工智能已成为办理艰巨业务寻衅的首选办理方案。AI 正在为各行各业的企业组织开辟 创新之路，从改进客户做事、优化供应链、获取商业智能，到设计新产品和做事等。NVIDIA 作为 AI 根本架构的先行者，NVIDIA DGX 系统可供应更强大、完全的 AI 平台，将企业 组织的核心想法付诸实践。目前 AI 大规模演习方面，NVIDIA 推出的最新 DGX 系统包括 A100、H100、BasePOD、SuperPOD 四款产品，个中，DGX A100、DGX H100 为英伟达 当前做事于 AI 领域的做事器产品。
H100 采取前辈工艺芯片采取台积电 4N 工艺+台积电 CoWoS 2.5D 封装，有 800 亿个晶 体管比拟 A100 有 540 亿个晶体管，同时搭载了 HBM3 显存，可实现近 5TB/s 的外部互 联带宽。H100 是首款支持 PCIe 5.0 的 GPU，也是首款采取 HBM3 标准的 GPU，单个 H100 可支持 40Tb/s 的 IO 带宽，实现 3TB/s 的显存带宽。
DGX H100 带来性能的快速飞跃，通过全新张量处理格式 FP8 实现。个中 FP8 算力是 4PetaFLOPS，FP16 达 2PetaFLOPS，TF32 算力为 1PetaFLOPS，FP64 和 FP32 算力为 60TeraFLOPS。在 DGX H100 系统中，拥有 8 颗 H100 GPU，整体系统显存带宽达 24TB/s， 硬件上支持系统内存 2TB，及支持 2 块 1.9TB 的 NVMe M.2 硬盘作为操作系统及 8 块 3.84TB NVMe M.2 硬盘作为内部存储。根据官网信息，NVIDIA DGX H100 比拟上一代产 品具有 6 倍的性能及 2 倍的网络速率和高速可扩展性，同时英伟达表示目前新款 DGX H100 已经全面投入生产。
海内华为的昇腾 Atlas 800（型号 9010）演习做事器是基于昇腾 910+Intel Cascade Lake 的 AI 演习做事器，具有高打算密度、高能效比与高网络带宽易拓展、易管理等特点，该 做事器广泛运用于深度学习模型开拓和 AI 演习做事场景，适用于公有云、互联网、运营 商等须要大算力的行业领域。AI 处理器昇腾 910 是一款具有超高算力的 AI 处理器，其 最大功耗为 310W，华为自研的达芬奇架构大大提升了其能效比。八位整数精度（INT8） 下的性能达到 640TOPS，16 位浮点数（FP16）下的性能达到 320 TFLOPS。
Atlas 800（型号 9010）演习做事器从配置来看，拥有 8 个昇腾 910 模组，单模组支持HBM2e技能，且拥有32GB容量及1228GB/s传输速率，AI算力达2.24 PFLOPS FP16/1.76 PFLOPS FP16。本地存储支持 2 个 2.5 SATA+8 个 2.5 SAS/SATA 或 2 个 2.5 SAS/SATA+6 个 2.5 NVMe。 AI 做事器带来存力硬件需求快速扩展。根据美光数据测算，人工智能做事器中 DRAM 内 容是普通做事器的 8 倍，NAND 内容将是普通做事器的 3 倍，而大容量及高速率存储器 将是算力数据迭代运算的主要根本。我们认为，人工智能打算量日益增加，对付 AI 做事 器硬件需求将进一步提升。从做事器硬件配置角度，HBM 技能将快速在 AI 做事器中普 及，其价格远高于现有根本做事器配置，未来 AI 做事器需求将带领存储芯片涌现量价齐 升的趋势。
1.3 外洋龙头减产缩支，国产化存储家当链或将加快布局
1. 美光科技
公司最新发布 2023 年 Q2 财报表露。2023 年 Q2 公司总收入约 36.93 亿美元，环比下 降约 9.6%，同比低落约 52.6%，业务利润亏损 22.13 亿美金。2023 年 Q2 司帐期末库 存约为 81.29 亿美元，较上一季度环比回落 2.75%，有望持续改进。2023 年 Q2 财年的 非 GAAP 每股亏损为 1.91 美元，低于上一季度的每股亏损 0.04 美元和上一年的每股收 益 2.14 美元，个中 Q2 财政每股收益包括约 1.34 美元的库存减记丢失。 2023 年 Q2 财政的公司分存储芯片业务收入： a. DRAM：收入为 27 亿美元，占总收入的 74%。DRAM 收入环比低落 4%，出货量在预 期范围内微增，个中价格低落约 20%。 b. NAND 收入为 8.85 亿美元，占总收入的 24％。NAND 收入环比低落 20％，价格低落 在 20%范围内。
美光科技对付 2023 财年第三季度的 GAAP 收入指引为 37 亿±2 亿美元，较 2022 财年 第三季度 GAAP 收入的 86.42 亿美元同比低落约 57%，环比有望持平。公司认为财务业 绩已在 2023 年第二财季达到较低位置，并看好未来几个季度的财务古迹快速修复。在 经历整体市场及公司财务古迹低迷之后，公司估量将根据长期财务模型规复正常的增长 和盈利能力。
2. 三星电子
2023 年 4 月 7 日三星电子发布 2023 年 Q1 古迹，公司初步报表（未审计）估量 23Q1 营收 63 万亿韩元，yoy-19%，业务利润为 6000 亿韩元，同比-95.8%。 2022 整年公司古迹收入 302.23 万亿韩元，yoy+8.1%；毛利率 37.1%，yoy-3.4pcts； 研发用度率 8.2%，yoy+0.2pcts；业务利润 43.38 万亿韩元，yoy-16.0%；业务利润率 14.4%，yoy-4.1pcts；净利率 18.4%，yoy+4.1pcts。22Q4 单季度公司古迹收入 70.46 万亿韩元，yoy-8.0%，qoq-8.2%；毛利率 31.0%，yoy-10.3pcts，qoq-6.4pcts；研发费 用率 9.2%，yoy+0.8pcts，qoq+1.0pcts；业务利润 4.31 万亿韩元，yoy-68.9%，qoq60.3%；业务利润率 6.1%，yoy-12.0pcts，qoq-8.0pcts；净利率 33.8%，yoy+19.6pcts， qoq+21.6pcts。（净利率大幅提升主因前期与子公司股息干系的递延所得税负债减少）
基于 2022 年整年公司分产品古迹： 1）DRAM：22Q4 ASP 低落了 30%，估量 23Q1 DRAM 市场涌现低个位数低落，公司与 市场保持同步。 2）NAND：22Q4 ASP 低落了 20%，估量 23Q1 NAND 市场涌现中个位数低落，公司表 现略优于市场水平。 3）出货量：移动端，22Q4 智好手机出货量为 5800 万部，ASP 为 240 美元，平板电脑出货量为 800 万部；估量 23Q1 智好手机出货量和 ASP 将上升，但平板电脑出货量将下 降；电视端，22Q4 液晶电视销量增长了 15%，估量 23Q1 销量将低落 10%~15%。
3.海力士
2022 整年古迹收入 44.65 万亿韩元，yoy+4%；业务利润 7.01 万亿韩元，yoy-44%；营 业利润率 16%，yoy-13pcts；净利润 2.44 万亿韩元，yoy-75%。2022Q4 古迹收入 7.70 万亿韩元，yoy-38%，qoq-38%；业务亏损 1.70 万亿韩元，上年同期为盈利 4.20 万亿 韩元；业务利润率-22%，上季度为 15%，去年同期为 34%；净亏损 3.52 万亿韩元，上 年同期为净盈利 3.32 万亿韩元。
分产品古迹
1）NAND：NAND 产品在 2022Q4 收入为 2.39 万亿韩元，占 2022Q4 公司总收入 31%。 从运用上来讲，SSD&Mobile 共占 NAND 的运用收入的 90%，USB，Card 和其他的运用 占剩余的 10%。 2）DRAM：DRAM 产品在 2022Q4 收入为 4.62 万亿韩元，占 2022Q4 公司总收入 60%。 3 ） 从 应 用 上 来 讲 ， Server 占 DRAM 的 应 用 收 入 的 50% ， PC 占 20% ， Graphics,Consumer&Mobile 占运用收入的剩下 30%。
4.外洋公司成本开支：
1）美光：率先宣告将减少投资操持。之前美光已大幅减少成本开支，2023 年第二财季 将进一步减少 2023 财年成本开支，目前估量投资约 70 亿美元，同比低落 40%，同时芯 片设备方面的支出减少最多达 50%，以放缓供应增长。 2）三星电子：公司表示由于环球经济疲软以及客户专注于用完库存而放缓采购，内存需 求急剧低落，从而进一步影响了行业定价及公司古迹。基于现有供给保障，公司将把存 储芯片的产量降到一个较为平衡的水平。我们认为，公司相较之前减产态度有所改变， 短期内或有望减少生产操持，但长期来看公司也将对根本举动步伐及研究进行长期投资，以 确保其行业领先地位。 3）海力士：比较 2022 年海力士由于经济周期下行、设备交期等成分及芯片供给过剩， 9 月尾开始对设备商进行砍单。据韩媒 BusinessKorea 宣布，公司 2022 年成本支出 19 万亿韩元，2023 年将大幅缩减成本支出 50%。公司预期 2023 年 H2 整体存储行业需求 端或将复苏，但成本支出减少有助于公司灵巧经营业务。 美光、三星、海力士对付行业价格及景气度预估将在 23 年 H2 规复，各家公司减产及缩 减成本开支有利行业快速触底反弹。我们认为，行业周期属性显著，缩减成本开支是周 期的一部分，可以有效改进供需错配关系，优化行业格局和过剩产能，同时推动行业从 周期底部向上修复。
5.中国网信网公告对美光公司在华发卖进行安全审查
根据 2023 年 3 月 31 日，中国网信网公告，为保障关键信息根本举动步伐供应链安全，戒备 产品问题隐患造成网络安全风险，掩护国家安全，依据《中华公民共和国国家安全法》 《中华公民共和国网络安全法》，网络安全审查办公室按照《网络安全审查办法》，对美 光公司（Micron）在华发卖的产品履行网络安全审查。 国产化存储家当链迎来布局时候。我们认为，随我国存储家当布局逐步完善，海内将对 美光及一部分国外公司的依赖度将逐渐降落，海内存储家当链公司有望快速崛起。 1）AI 做事器带来存力硬件需求上行：根据美光数据测算，人工智能做事器中 DRAM 内 容是普通做事器的 8 倍，NAND 内容将是普通做事器的 3 倍，而大容量存储器将是算力 数据迭代运算的主要根本。 2）库存边际改进，价格修复在即：美光 2023 年 Q2 司帐期末库存约为 81.29 亿美金， 同比低落 2.75%，有望持续改进。AI 做事器有望带动存储行业景气度及需求快速提升， 加速存储行业库存进一步清出。根据 TrendForce 数据，美光及 SK 海力士在内的部分供 应商已启动 DRAM 减产操持，2023 年第二季度 DRAM 价格跌幅将收窄至 10%到 15%。 3）国产化存储家当链迎来布局时候：海内存储家当链多元化布局，2023 年有望完成产 品构造快速升级。
二、DRAM：周期轮动，价格底部2.1 DRAM：强周期属性，高垄断格局
DRAM 系存储器第一大产品，占比环球储存市场 53%的市场份额。DRAM 属于易失落存储 器，多用于 cpu 和图像系统缓存的临时数据存储，若断电则存储数据会丢失。DRAM 产 品缓存空间越大则可同时处理和储存的数据也相应更多，系电子设备不可或缺的组成部 分。
复盘 DRAM 历史周期变革情形，市场颠簸剧烈，周期属性较强。在过去 30 年中，DRAM 市场经历过多少轮的惊人增长和毁灭性崩溃。2021年DRAM行业迎来42%的高速增长， 而根据 IC Insight 估量，2022 年 DRAM 行业增速转而低落 18%。
颠簸上升，市场规模呈增长趋势。DRAM 系千亿美金大市场，下贱覆盖消费、PC、做事器等浩瀚领域，行业规模在周期轮动中不断上升。根据 IC Insight，2011 年环球 DRAM 市场规模为 296 亿美金，而 2022 年环球 DRAM 市场规模将达 758 亿美金，CAGR 达 8.9%。
DRAM 下贱运用紧张在智好手机、PC 以及做事器三大领域，美国和中国系前两大市场。 2021 年 DRAM 第一大运用领域智好手机占比 39%，第二大运用领域做事器占比 34%， PC 端整体出货量同比 2020 年增长 14.8%，但受核心配件价格飞腾和办公需求萎缩的影 响，整体占比低落，仅为 13%。从区域分布看，美国和中国系 DRAM 前两大市场，2019 年合计份额超 70%。
强周期属性大浪淘沙，集中度不断提升。在经历“需求提出-供不应求-价格上涨-产能扩 张-供给过剩-价格下跌-重新洗牌”的多轮周期往来来往后，当前环球 DRAM 厂商形成了以三 星电子（韩国）、SK 海力士(韩国)和美光(美国)三大巨子垄断的局势。2021 年环球市场 份额中，三星、海力士、美光合计份额占比达 94%。
DDR 技能不断演进，行业对付产品性能、内存容量和功耗的追求也越来越高，标准事情 电压越来越低，芯片容量越来越大，同时 IO 速率也越来越高。从最早的 128Mbps 的 DDR 发展到了如今的 6400Mbps 的 DDR5，每一代 DDR 产品的发布都伴随着数据传输速率的 翻倍增长。
DRAM 产品中，DDR4 系当前主流，DDR5 接力入场。DRAM 产品有明显的新产品逐步 取代老产品的趋势，老款 DRAM 逐步转为利基型 DRAM 直至停产淘汰。第一代 DDR 产 品已停产，DDR2 在 2010 年占比高达 30%，而到了 2020 年仅占 1%，运用于利基市场。 当前 DRAM 市场 DDR4 系主流，2020 年占比达 78%旁边。根据 Yole，两代内存之间的 过渡韶光大约只须要两年，这意味着到 2023 年，DDR5 内存的市场份额将高于 DDR4。 而到 2026 年，DDR4 份额或将降至 5%以下。
2.2 行业寒冬，周期视角下的底部
2.2.1 供需端：需求短期等待修复，DRAM 厂商难逃行业寒冬
2022 年供需位元差加大，供大于求困局未破。根据 TrendForce，2023 年 DRAM 市场需 求位元发展率为 8.3%，系近年来首次低于 10%，远低于供给位元发展的 14.1%。因此 2023 年的 DRAM 市场在供过于求的情势或愈演愈烈，供大于求仍是当前困局。
下贱需求疲软，DRAM 市场规模连续多季度萎缩。2022 年疲弱的经济状况和高通胀率 降落了环球范围内个人电脑、智好手机和其他消费电子产品的需求，DRAM 需求也因此 低落。估量 2022 年下半年 DRAM 发卖额将低落-40%至 293 亿美元，而 2022 年上半年 发卖额达 490 亿美元。同时，根据 CFM 闪存市场，三季度存储市场规模环频年夜跌 29.72% 至 177.64 亿美元，创 10 个季度新低，估量 2022 年 Q4 市场规模将进一步环比下跌。
2022 年 Q4 多厂商业绩下行，行业均匀下跌达 30%。 三星：2022 年 Q4，DRAM 发卖收入达 54.05 亿美元，环比减少 23.6%，市场份额为 44.5%。DRAM Bit 出货量环比高个位数增长，ASP 环比下跌超 30%。 SK 海力士：2022 年 Q4，DRAM 收入达 34.07 亿美元，环比减少 35.3%，DRAM 出货量 环比持平，ASP 下跌超 30%。 美光：2022 年 Q4，DRAM 收入为 28.29 亿美元，环比下跌 41.2%，DRAM Bit 出货量环 比低落约 25%，DRAM ASP 环比减少 20%以上。 南亚科技：2022 年 Q4，DRAM 收入环比减少 30.3%至 2.53 亿美元。 华邦电子:2022 年 Q4，DRAM 收入环比减少 29.8%至 1.06 亿美元。
2.2.2 价格端：高水位库存+低需求市场，贬价持续
库存端，以美光各季库存进行追踪，自 2021 年 Q1 开始，公司库存逐步进入低落通道， 至 2021 年 Q4 达到底部。自此开始，受下贱需求疲软影响，公司库存水位逐步增加，至 2023Q1，公司库存水位已达近三年最高点，为 81.29 亿美元，环比 2022 年 Q4 增幅超 18%。高库存水位下，各厂商去库存压力迫不及待，同时叠加需求疲软，直接导致 DRAM 市场产品价格大幅下跌。
供需对峙下，存储厂商唯有贬价。根据 Trendforce，2023 年 Q1 下贱各领域产品价格均 有超过 10%的低落。目前来看，PC 制造商仍有 9 至 13 周的 DRAM 库存等待消化，但移 动设备领域的库存水平相对康健，不过定价仍估量要低落 10-15%。由于消费者对 DRAM 的需求低迷，供应商将发卖的目光投向了做事器方面，然而这却导致做事器 DRAM 库存 的大量堆积。
现货价：我们以 DDR3 4Gb 512Mx8 1600MHz 产品为例，现货价格已至上一轮周期底部， 利基市场紧张面向存储速率性能不太高的市场，上一轮 DDR3 周期价格上行系三星、海 力士等龙头厂商为准备利润更高的 DDR5 生产，逐步淘汰 DDR3 产能，导致 DDR3 短期 内供需失落衡所致。同样，在本轮的 DDR3 价格下行周期中，三星放缓 line13 的 DDR3 产 能转换至 CIS，也给供给端带来更多压力。本轮底部区间，在行业面临寒冬，下贱需求疲 软，供给过剩的背景下，价格反弹压力较大。
三、NAND Flash:市场有望快速修复
NAND Flash 作为非易失落性存储，被广泛运用不才游设备资料储存的运用领域。NAND Flash 从特性来看断电后不会丢失储存信息特色，在生产过程中主流产品已具备规模化、 标准化的能力，同时容量大、价格较低，现阶段作为主流的储存介质，被广泛的运用于 智好手机领域、笔电领域、做事器领域及汽车领域等。 从微不雅观构造基本构成来看，NAND Flash 的构造从小到大分别为 cell-line-page-blockplane-die。例如三星型号为 K9K8G08U0A 的 Nand Flash，其内部有两个 K9F4G08U0A 的 chip，chip#1 和 chip#2，每个 K9F4G08U0A 的 chip 包含了 2 个 Plane，每个 Plane 是 2Gb bit，以是 K9F4G08U0A 的大小是 2Gb×2 = 4Gb = 512MB，因此，K9K8G08U0A 内部有 2 个 K9F4G08U0A，或者说 4 个 Plane，总大小是×256MB＝1GB。
通过下贱领域划分，其终极储存介质的出货形态划分以 eMMC/UFS（紧张运用在移动设 备）、SSD（紧张运用在做事器和 PC）产品为主，及 SD/闪存盘（移动储存 SD 卡及 U 盘） 为辅的产品设备中。在移动设备领域，相较于 eMMC 的封装形式，UFS 封装的闪存有着更高的写入速率，更好的性能。智好手机端从 eMMC 发展现阶段 UFS3.1 规格储存，读 写速率进一步提升，远超于 eMMC 几倍的速率。SSD 产品则依据下贱运用处景对容量和 速率的哀求部分，分为消费级、数据中央级和企业级固态硬盘。
根据闪存市场 CFM 数据，2021 年 NAND Flash 市场容量达到 5700 亿 GB，估量 2022 年 将增长 30%，达到 7410 亿 GB。个中，2021 年 NAND Flash 紧张以运用于 mobile 市场 的 UFS、eMMC、eMCP 和 uMCP 产品为主的嵌入式存储产品，和运用于 PC 等消费类渠 道市场的 cSSD、以及运用于做事器市场的 eSSD 产品为主，占比分别为 39%、25%和 22%。根据 Trendforce 的数据统计，未来到 2023 年，智好手机板块的需求将小幅度上 涨，而做事器的需求将大幅上涨，与此形成对应的则是在 PC 真个需求小幅低落。
3.1 NAND Flash 市场规模持续增长
根据中金企信统计数据，NAND Flash2020 年市场规模为 534.1 亿美元，估量到 2025 年， 环球 NAND Flash 市场规模讲达到 931.9 亿美元，2021 年至 2025 年，CAGR 增速 7.4%。 随着 PC 及智好手机均匀储存容量的上升，及工业设备、传感器、汽车系统和医疗系统等 设备中，人工智能和机器学习对海量数据处理需求增长，基于 NAND Flash 的储存趋势也 将连续发展。
NAND Flash 技能一贯基于二维平面的 NAND 技能，也便是我们说的 2D NAND 闪存。2D 在平面上对晶体管尺寸进行微缩，从而得到更高的存储密度，但晶体管尺寸微缩碰着物 理极限，现已面临瓶颈，达到发展极限。为了在坚持性能的情形下实现容量提升，3D NAND 成为发展主流。根据 International business strategies 数据显示，2019 年，3D NAND 的渗透率为 72.6％，已远超 2D NAND，且未来仍将持续提高，估量 2025 年 3D NAND 将占闪存总市场的 97.5％。
3.2 等待下贱需求规复，价格欲将企稳修复
3.2.1 供需端:家当链进一步集中，供需逐渐修复
NAND Flash 寡头地位逐步增强，根据 Trendforce 数据显示，CR6 包括三星、铠侠、西部 数据、美光、英特尔、海力士总体市场规模占比约 99%，个中三星、铠侠、西部数据三 家行业龙头，约占比 70%的市场份额，在市场上有较大的影响力。
根据 Trendforce 数据的预测，估量受益于下贱新增需求的快速发展，NAND Flash 的需 求量也会有增长趋势。从行业供给格局来看，三星依旧盘踞较大的市场份额，但还未形 成绝对的寡头地位，且海内公司长江储存也将持续发展，有望进一步提升市场份额。
位于四日市最前辈制程晶圆厂 Fab7 落成。此 Fab7 晶圆厂第一期的总投资约为 1 万亿日 元(约合公民币 487.97 亿元)，具备生产第六代 162 层 NAND Flash 闪存和未来更前辈 3D NAND Flash 闪存的能力，操持于 2023 年初开始出货 162 层 NAND Flash 闪存。头部厂 商已正逐步覆盖 3D NAND 236 及 256 层乃至更高叠层工艺制程，持续技能迭代更新。
NAND Flash 需求端受到环球人工智能和机器学习对海量数据处理，其市场规模正快速增 长。而 NAND Flash 紧张覆盖的下贱运用设备为手机、做事器、PC 及车载工控等，我们 认为，手机及 3C 产品的储存容量和硬盘搭载率提升将推动 NAND Flash 需求量持续增 高。对付做事器设备，云端储存及处理数据场景加倍增长，做事器需求量及单设备搭载 量同样推动 NAND Flash 市场的需求量提升。除此传统需求领域外，随着车载智能化的 逐步提升，车载 NAND Flash 市场也有望迎来高速增长。
1)手机及传统 3C 产品，NAND 单机搭载量提升
近十年，智好手机作为成熟市场，每年环球手机出货坚持在 11 至 13 亿部旁边，保持稳 定颠簸。而随手机警能化水平加倍提升，其拍照摄像功能、高清显示功能及各种多功能 软件所花费的储存空间持续增长，用户对付手机的储存空间加倍增加。智好手机市场对 应 Flash 市场的增长逻辑，紧张来源于单机搭载量的持续提升。
根据 Counterpoint 数据显示，2020 年智好手机 NAND 闪存均匀容量首次打破 100GB 大 关。在 iOS 和 Android 手机中有所不同。在 iOS 手机中，2020 年第四季度的均匀 NAND 容量达到 140.9GB，而同期 Android 手机的均匀容量为 95.7GB。Android 手机的均匀容 量在过去几年中一贯在快速增长。2020 年 iOS 和 Android 手机的均匀容量分别增长了 5.6%和 20.5%。同时根据 Trendforce 数据显示，预估 2023 年智好手机 NAND Flash 单 机搭载容量年景长仍能坚持 22.1%。我们认为，IPhone 产品组合仍全线往更高容量 1TB 靠拢；Android 高端机种也跟进将 512GB 做为标准配备，中低端机储存空间则随硬件规 格持续升级而提高，因此整体均匀容量仍有增长空间。
环球 PC 市场（包括笔电、桌面 PC、事情站等）在 2020-2021 年期间迎来强换机周期且 居家办公刺激需求端提前消费，根据 IDC 数据统计，2021 年环球 PC 出货量达 3.46 亿台。2022 年需求迎来疲软态势，根据 IDC 数据预测，2022 年整体出货量将下滑至 2.93 亿台，同比降落 15.2%。 其余，由于消费市场需求减缓，教诲市场也获基本知足，及因经济状况弱化同样使商用 市场需求遭到挤压。根据 IDC 数据预测，估量 2023 年环球 PC 市场将进一步萎缩。PC 加上平板电脑的整体市场预估 2023 年低落 2.6%，估量在 2024 年规复发展。
根据 IDC 数据，由于 2020-2021 年受到居家办公的提前消费影响，平板电脑（包括二合 一的可拆卸式平板在内）市场在 2020/2021 年出货量达到 1.65/1.69 亿部，同比增长 13.8%/2.4%。但随 2022 年消费逐步疲软，根据 IDC 数据，2022 年环球出货量同比下 滑 3.6%至 1.63 亿台。
PC 及移动平板电脑作为存量市场，整体年度出货量颠簸不大，基本坚持亿部的出货量。 近些年随电脑固态硬盘替代传统硬盘趋势及单机储存量提升，个中SSD搭载率有所提升。 据中国闪存市场 ChinaFlashMarket 数据，估量到 2018 年 SSD 240GB 价格与 1TB HDD 同价的，在条记本电脑上的搭载率将达到 52%。到 2019 年 SSD 480GB 价格与 1TB HDD 同价的时候，在条记本电脑上的搭载率将达到 65%以上。其余，消费类 SSD 在零售渠道 市场每个月也有 200 万片硬盘升级 SSD 的出货量。
据中国闪存市场数据显示，2020 年条记本市场 SSD 的搭载率已经高达 80%，且 512GB SSD 出货量大幅增加。个中价位更加低廉的中低端市场是其发展驱动力。
2)AI 带动做事器及云端数据储存有望快速放量，进一步推动 NAND Flash 需求
云打算时期市场的快速增长，云储存、云打算的数据量不断提高。在数字化时期的发展 下，随事情量的云上迁移和云本地运用的加速开拓，在移动互联网技能不断迭代升级的 背景下，环球数据量呈现爆发式增长。根据 IDC 数据显示，环球数据储量由 2016 年的 16ZB 增长至 2021 年的 54ZB，复合年均增长率为 27.5%，随着数字经济的不断发展， 估量 2022 年环球数据储量将达 61ZB。
根据 Omdia 数据，云数据及企业级数据储存需求将在 2026 年达到 5255 亿每 GB 当量， 2021 年至 2026 年，CAGR 将达到 33.0%。
3)车载 NAND Flash 有望受汽车智能化持续增长
2022 年环球新能源汽车销量打破千万。根据 Clean Technica 数据，2022 年环球新能源 汽车销量打破千万达 1009.12 万辆，占整体汽车市场 14%份额，个中比亚迪以 184.77 万辆的整年发卖数据得到环球销量冠军。根据中国汽车工业协会数据，2023 年 1 月和 2 月我国新能源汽车月度销量分别为 40.78 万辆和 52.50 万辆，由于 1-2 月为汽车销量传 统淡季，2023 年 1 月与 2 月销量与 2022 年 12 月 81.38 万辆的月销量比较仍有差距。 后续随着汽车电动化进程不断深化，我们认为环球范围内新能源汽车销量将会坚持高速 增长态势。
根据 IDC 及 IHS 数据显示，车用 DRAM 和 NAND 市场规模将从 2020 年的 20.4 亿和 12.6 亿，增长到 2025 年的 85 亿美元和 61 亿美元，估量年复合增长率为 33%和 37%。 车规级 NAND Flash 须要符合 AEC-Q100 等车规标准，随着汽车行业智能化、网联化的 演进，与 SOTA（软件在线升级），MaaS（出行即做事）得以实现，市场对车载存储的程 序和处理的数据量提出更多的新需求。 车用存储芯片规模发展的驱出发分，紧张为三个方面，首先为智能座舱产生巨量数据交 互，其次是 ADAS 系统及车载娱乐系统。随着自动驾驶的遍及及自动驾驶等级的提升 （L2~L5），会产生大量的道路和环境数据，用于网络车辆运行和周边环境数据的各种传 感器也会越来越多，包括摄像头、毫米波雷达、激光雷达等，根据安全和功能须要对数 据进行处理和保存，从而产生了大容量 NAND 存储的需求。英特尔估计，自动驾驶汽车 每天将产生 4000GB 的数据量，即再低等级的自动驾驶车辆也须要大量车载数据存储。 根据 Semico Research 数据显示，L1/L2 级别的自动驾驶须要 8GB 的 NAND 容量，而 L3 为 256GB，到 L5 的时候须要 1TB，自动驾驶技能升级对 NAND 需求呈现指数级的增长。
3.2.2 价格端：环比低落收窄，价格将逐步企稳
考虑到 NAND Flash 主流产品和利基产品的定位、单价和格局等不尽相同，我们对 NAND Flash 价格分主流产品和利基产品两大类进行跟踪。 主流价格：现货价增长后企稳，合约价自 2022 年 6 月开始下跌。 现货价：以 MLC NAND Flash 64Gb（8Gx8）及 MLC NAND Flash 32Gb（4Gx8）为例， 经历 2022 年 4 月涨价后，价格逐步企稳跌幅趋缓。截至 2023 年 4 月 7 日，以上两款 64Gb 和 32Gb 价格分别为 3.85 美金和 2.13 美金。
合约价：以 MLC NAND Flash 128Gb（16Gx8）、MLC NAND Flash 64Gb（8Gx8）及 MLC NAND Flash 32Gb（4Gx8）三款为例，从 2021 年 7 月价格稳定后，在 2022 年 6 月开始 涌现价格低落，截至 2023 年 2 月 24 日，以上三款合约价分别为 4.14/2.98/2.59 美金。
四、存储创新技能适配 AI 快速发展4.1 HBM 打破技能瓶颈，逐渐凸显运用代价
4.1.1 HBM 堆叠技能进一步提高传输速率
高带宽存储器（英文：High Bandwidth Memory，缩写 HBM）是三星电子、超微半导体 和 SK 海力士发起的一种基于 3D 堆栈工艺的高性能 DRAM，适用于高存储器带宽需求的 运用处所，用于图形处理器、网络交流及转发设备（如路由器、交流器）等。HBM 紧张 是通过硅通孔（Through Silicon Via，简称“TSV”）技能进行芯片堆叠，以增加吞吐量并 战胜单一封装内带宽的限定，将数个 DRAM 裸片像楼层一样垂直堆叠。
HBM 有两个核心特色： 1）DRAM 颗粒以 3D 封装办法垂直摆放。 2）3D DRAM 与 GPU/CPU 通过 interposer 合封，实现直接连接。 这两个技能特色，目的是办理传统 DRAM 与 CPU/GPU 通过主板（Motherboard）连接的 旗子暗记延迟与电磁滋扰。
HBM 比拟其他 DRAM 内存（如 DDR4 或 GDDR6）比较，拥有较宽内存总线。一个 HBM stack 由 4 个 DRAM die（4-Hi）堆叠而成，并拥有 8 个 128 位信道（每个 die 上 2 个）， 总宽度为 1024 位。因此，具有四个 4-Hi HBM stack 的 GPU 将拥有 4096 位宽度的内存 总线。比较之下，GDDR 存储器的总线宽度为 32 位，同样 16 个信道则只具有 512 位存 储器接口。HBM 支持每个 package 的容量最多为 4GB。比拟第一代 HBM，第二代高带 宽存储 HBM2，该标准指定了每个 stack 多达 8 个 die，将 pin 传输速率提高一倍来到 2 GT/s。保留 1024 位宽的存取，HBM2 能够达到每个 package 256GB/s 存储带宽。HBM2 规范许可每个 package 容量高达 8GB，其性能也是超于同期 DRAM 内存。
4.1.2 HBM 技能已迅速发展，人工智能将带动技能快速打破
HBM 技能已经发展了很永劫光。在 2013 年推出的高带宽内存（HBM）是一种高性能 3D 堆叠 SDRAM 架构，其数据传输速率约为 1Gbps。2016 年发布的 HBM2 继续了前一代产 品的特点，每个堆叠包含最多 8 个内存芯片，并将管脚传输速率提升一倍至 2Gbps。 HBM2 实现了每个封装 256GB/s 的内存带宽（DRAM 堆叠），支持 HBM2 规格，每个封装 最大容量可达 8GB。首款利用高带宽存储器的设备是 AMD Radeon Fury 系列显示核心。 2013 年 10 月，高带宽存储器正式被 JEDEC 采纳为业界标准，第二代高带宽存储器（HBM2） 于 2016 年 1 月被 JEDEC 采纳，同时 NVIDIA 在该年揭橥的新款旗舰型 Tesla 运算加速 卡“Tesla P100”，AMD 的“Radeon RX Vega”系列及 Intel 的“Knight Landing”也采 用了第二代高带宽存储器。
2018 年底，JEDEC 宣告推出 HBM2E 规范，以知足增长的带宽和容量需求。当传输速率 提升至每管脚 3.6Gbps 时，HBM2E 可实现每堆叠 461GB/s 的内存带宽。此外，HBM2E 支持最多 12 个 DRAM 的堆叠，内存容量最高可达每堆叠 24GB。HBM2E 具备实现巨大 内存带宽的能力。连接到一个处理器的四块 HBM2E 内存堆叠将供应超过 1.8TB/s 的带 宽。通过 3D 堆叠内存，可在极小的空间内知足高带宽和高容量需求。 NVIDIA 最新一代的 SXM4 A100 GPU 采取了 HBM2E 内存。从芯片内部构造图可见，A100 打算核心两侧共有 6 个 HBM 内存放置空间。在 SXM4 A100 GPU 发布时，NVIDIA 实际 上仅利用了个中 5 个 HBM 内存放置空间，供应 40GB HBM2E 内存容量，这意味着每个 HBM2E 内存上堆叠了 8 个 1GB DRAM Die。对付升级版的 80GB SXM4 A100 GPU，每个 HBM2E 内存上则采取了 8 个 2GB DRAM Die 进行堆叠。
2022 年三星也发布器 HBM3 技能产品，在三星发布的路线图中，其单芯片接口宽度可达 1024bit，接口传输速率可达 6.4Gbps，比较上一代提升 1.8 倍，从而实现单芯片接口带 宽 819GB/s，如果利用 6 层堆叠可以实现 4.8TB/s 的总带宽。
我们认为 2024-2025 年随人工智能算力需求进一步提升，将快速提高对存储器件高带宽 的高传输速率哀求，2024 年估量在不考虑高等封装技能带来的高多层堆叠和内存宽度提 升下，将实现接口速率高达 7.2Gbps 的 HBM3p，从而将数据传输率比较这一代进一步提 升 10%，从而将堆叠的总带宽提升到 5TB/s 以上。我们认为，2025 年将看到更多搭载 HBM 下一代技能的产品服役于人工智能服及高算力设备中。
4.2 存算一体：嵌入打算能力，有效提升数据效率
4.2.1 存算一体，后摩尔时期发展的一定哀求
存算一体（Computing in Memory）是在存储器中嵌入打算能力，以新的运算架构进 行二维和三维矩阵乘法/加法运算，即利用存储器对数据进行打算，从而避免数据搬运 产生的“存储墙”和“功耗墙”，提高数据的并行和效率。经典冯诺依曼框架下，数据的 存储和打算是分开的，处理器和存储器之间通过数据总线进行数据交流。在过去二十年， 处理器性能以每年大约 55%的速率提升，内存性能的提升速率每年只有 10%旁边。结 果长期下来，不屈衡的发展速率造成了当前的存储速率严重滞后于处理器的打算速率。 因此在存储器和处理器之间形成了“存储墙”，严重限定了芯片的整体性能。由于处理器 和存储器的分离，在处理数据的过程中，首先须要将数据从存储器通过总线搬运到处理 器，处理完成后，再将数据搬运回存储器进行存储。搬运韶光每每是运算韶光的成百上 千倍，能效非常低即称为“功耗墙”。
目前存算技能按照以下历史路线顺序演进： A、查存打算（Processing With Memory）：GPU 中对付繁芜函数就采取了这种打算 方法，是早已落地多年的技能。通过在存储芯片内部查表来完成打算操作。这是最早期 的技能。 B、近存打算（Computing Near Memory）：范例代表是 AMD 的 Zen 系列 CPU。打算 操作由位于存储区域外部的独立打算芯片/模块完成。这种架构设计的代际设计本钱较低， 适宜传统架构芯片转入。将 HBM 内存（包括三星的 HBM-PIM）与打算模组（裸 Die）封 装在一起的芯片也属于这一类。近存打算技能早已成熟，被广泛运用在各种 CPU 和 GPU 上。 C、存内打算（Computing In Memory）：范例代表是 Mythic、千芯科技、闪亿、知存、 九天睿芯等。打算操作由位于存储芯片/区域内部的独立打算单元完成，存储和打算可以 是仿照的也可以是数字的。这种路线一样平常用于算法固定的场景算法打算。 D、存内逻辑（Logic In Memory）：这是较新的存算架构，范例代表包括 TSMC（在 2021 ISSCC 揭橥）和千芯科技。这种架构数据传输路径最短，同时能知足大模型的打算 精度哀求。通过在内部存储中添加打算逻辑，直接在内部存储实行数据打算。
4.2.2 国外龙头霸占行业垄断地位，海内厂商积极布局
进入互联网时期后，环球数据产生量快速攀升，数据产生量爆发式增长，特殊是在人工 智能、云打算、物联网背景的发展下，根据 IDC 估量 2025 年数据产生量将达到 175ZB， 市场对数据的网络、存储、处理哀求将不断提高。存算一体芯片必将从端侧小算力市场 逐步扩展到全体 AI 芯片领域。未来行业将会呈现持续走高的态势。量子位智库预估 2025 年，海内存算一体芯片市场规模为 125 亿元，2030 年为 1136 亿公民币，CAGR 为 55%。
目前可用于存算一体的成熟存储器有 NOR FLASH、SRAM、DRAM、RRAM、MRAM、NVRAM 等。SRAM 在速率方面和能效比方面具有上风，特殊是在存内逻辑技能发展起来之后具 有明显的高能效和高精度特点。DRAM 本钱低，容量大，但是速率慢，且须要电力不断 刷新。适用存算一体的新型存储器有 PCAM、MRAM、RRAM 和 FRAM 等。个中忆阻器 RRAM 在神经网络打算中具有特殊的上风，是除了 SRAM 存算一体之外的，下一代存算 一体介质的主流研究方向。目前 RRAM 间隔工艺成熟还须要 2-5 年，材料不稳定，但 RRAM 具有高速、构造大略的优点，有希望成为未来发展最快的新型存储器。 学术界和家当界对存算一体的技能路径尚未形成统一的分类，目前主流的划分方法是依 照打算单元与存储单元的间隔，将其大致分为近存打算（PNM）、存内处理（PIM）、存内 打算（CIM）。特斯拉、阿里达摩院、三星等大厂所选择的便是近存打算（PNM）。 特斯拉：在 Hot Chips 大会上，公司测算 Dojo（AI 演习打算机）所用的 D1 芯片比较于 统一韶光的业内其他芯片，同本钱下性能提升 4 倍，同能耗下性能提高 1.3 倍，占用空 间节省 5 倍。 阿里达摩院：在 2021 年，发布采取稠浊键合（Hybrid Bonding）的 3D 堆叠技能比较传 统 CPU 打算系统。公司测算，比较一韶光的存算一体芯片的性能提升 10 倍以上，能效 提升超过 300 倍。 三星：在 2022 年 10 月，基于存内处理架构，发布存储器产品 HBM-PIM（严格意义上是 PNM）。公司测算，与其他没有 HBM-PIM 芯片的 GPU 加速器比较，HBM-PIM 芯片将 AMD GPU 加速卡的性能提高了一倍，能耗均匀降落了约 50%。与仅配备 HBM 的 GPU 加速器 比较，配备 HBM-PIM 的 GPU 加速器一年的能耗降落了约 2100GWh。
知存科技：2022 年 3 月量产的基于 PIM 的 SoC 芯片 WTM2101 正式投入市场，公司认 为，比拟统一韶光产品实现 10 倍以上的能效提升。 亿铸科技：基于 CIM 框架、RRAM 存储介质的研发“全数字存算一体”大算力芯片，通 过减少数据搬运提高运算能效比，同时利用数字存算一体方法担保运算精度，适用于云 端 AI 推理和边缘打算。 智芯科微：于 2022 年底推出业界首款基于 SRAM CIM 的边缘侧 AI 增强图像处理器。 特斯拉、三星、阿里巴巴等拥有丰富生态的大厂以及英特尔，IBM 等传统的芯片大厂， 险些都在布局 PNM；而知存科技、亿铸科技、智芯科等初创公司，在押注 PIM、CIM 等 “存”与“算”更亲密的存算一体技能路线。大厂对存算一体架构提出的需求是“实用、 落地快”，而近存打算作为最靠近工程落地的技能，成为大厂们的首选。而中国初创公司 们，由于成立韶光较短、技能储备薄弱：缺少前辈 2.5D 和 3D 封装产能和技能，为冲破 美国的科技垄断，中国初创企业聚焦的是无需考虑前辈制程技能的 CIM。
4.3 3D NAND：打破存储容量限定瓶颈
NAND 从 2D 到 3D 是大势所趋，可打破存储容量限定瓶颈。2D NAND 是在平面上对晶 体管尺寸进行微缩，从而得到更高的存储密度，但晶体管尺寸微缩存在物理极限，发展 已趋缓。要在坚持性能的情形下实现容量提升，3D NAND 成为主流方向。3D NAND 将 办理方案从提高制程工艺转变为多层堆叠，办理了 2D NAND 在增加容量的同时性能出 现低落的问题，实现容量、速率、能效及可靠性等多方位的提升。
3D NAND 的层数一贯在发展。从最早的 24 层、48 层，发展到现在 238 层乃至 300 层， 在未来乃至会打破 500 层。据 TechPowerup 先容，SK 海力士最新第 8 代 3D NAND 闪 存，容量为 1Tb（128GB），具有三级单元和超过 20Gb/mm²的位密度（bit density）。该 芯片的页容量（page size）为 16KB，拥有四个 planes，接口传输速率为 2400MT/s，最 高吞吐量为 194MB/s（比较第 7 代 238 层 3D NAND 闪存提高了 18%）。密度的提升将 降落制造过程中每 Tb 的本钱，终端消费者终极能从性能和容量的提升中受益。
三星已经完成了第八代 V-NAND 技能产品的开拓，堆栈层数达到了 236 层，2022 年 11 月已量产。SK 海力士已宣告研发出了 238 层 NAND 闪存，估量 2023 年 H1 大规模量产。 美光 232 层 NAND 已于 2022 年 12 月为消费类设备出货。海内厂商长江存储也于今年 8 月份发布了 232 层的 3D NAND 闪存芯片 X3-9070，且于 2022 年 12 月或将运用于海内 部分品牌客户产品。
不才游运用领域中，移动设备和数据中央是 3D NAND 技能的紧张运用领域，随 ChatGPT 等人工智能带来大数据存储的巨量级需求增加，未来 3D NAND 技能或将快速且进一步 升级。
五、重点公司剖析5.1 兆易创新：古迹高速增长，看平台化公司如何打造
立足中国覆盖环球，产品品类不断扩展。兆易创新成立于 2005 年 4 月，是一家立足中 国的环球化芯片设计公司。公司致力于各种存储器、掌握器及周边产品的设计研发。公 司在上海、合肥、中国喷鼻香港设有全资子公司、在深圳设有分公司，在中国台湾省设有办 事处，并在日韩、美国等地通过产品分销商为客户供应本地化做事。公司产品包括 NOR Flash、NAND Flash、DRAM 以及 MCU 等，广泛运用于移动终端、消费电子、个人电脑、 办公设备、汽车电子及工业掌握设备等多个领域。 公司作为 NorFlash 龙头积极拓展 DRAM 市场，已于 2021 年 6 月成功量产自有品牌 19nmDRAM，未来将朝 17nm 演进。公司 2023 年 3 月 1 日公告，与合肥长鑫存储发生 采购 DRAM 产品及代工业务，22 年与长鑫的实际采购额 8.74 亿元（个中自研 2.61 亿 元，代销 6.13 亿元），估量 23H1 与长鑫关联交易金额估量约为 5.55 亿元（个中自研 2.08 亿元，代销 3.47 亿元）。 公司营收近年来稳步增长，纵然在今年芯片行业寒冬的大背景下，公司前三季度营收依 然坚持正增长。更为名贵的是，公司的扣非归母净利润延续 2021 年远高于营收增速的 态势，2022 前三季度，公司归母净利润同比增速达 26.92%。
公司古迹高增的一大缘故原由系常年高投入的研发支出，带来了良好的成果转化，并以此建 立深厚的技能壁垒。利润率水平来看，公司毛利率水平基本坚持在 40%旁边，且近两年 有所上升，2022 年前三季度公司毛利率达 48%，对应净利润率达 31%。
公司环绕智能化时期数据的感、存、算、控、联五个方面，涵盖消费、汽车、工业等多 个领域，以存储器件为切入点，供应核心 IC 器件和相应软件一体化配套。详细来看： 1）产品种别扩展：环绕智能化不断扩展以内天生长（召募资金用于 DRAM 研发）和外 延并购（收购上海思立微电子）为主，逐步从 NOR Flash、NAND Flash 和 MCU 扩展至 DRAM 和 Sensor。 2）平台化搭建：通过运用领域的扩展完善以智能化为核心的产品布局，并实现已有产品 的不断迭代和工艺制程的持续升级，驱动公司平台体系培植日趋完善。个中： （a）NOR Flash：工艺平台从 2018 年的 65nm 逐步实现 55nm 量产，并于 2022 年推 动 45nm 工艺平台的研发。同时不断针对产品性能进行打磨，推陈出新。 （b）NAND Flash：工艺制程从 2018 年的 38nm 逐步实现 24nm 量产，并开始进行 19nm 的研发。同时不断针对车规市场进行开拓布局和研发。 （c）MCU：产品覆盖逐步从 55nm 至 40nm 再到 22nm 制程，并针对物联网、工控和 汽车领域不断扩展。 （d）DRAM：逐步实现从 19nm DDR4 产品量产至 17nm DDR3 产品研发。 （e）Sensor：在已有 LCD 较全品类的根本上进行 OLED 干系产品的研发，并即将推出 OLED 干系产品。
5.2 北京君正：收购北京矽成进入存储芯片市场，古迹高速增长、利润率有 所修复
老牌 IC 设计企业，收购北京矽成进军拓展存储市场。北京君正于 2005 年景立，是一家 集成电路设计企业，拥有环球领先的 32 位嵌入式 CPU 技能和低功耗技能。公司主业务 务为微处理器芯片、智能视频芯片等 ASIC 芯片产品及整体办理方案的研发和发卖，拥 有较强的自主创新能力，且已形成可持续发展的梯队化产品布局，各种芯片产品分别面向不同市场领域。北京君正于 2020 年完成对北京矽成（ISSI）及其下属子品牌 Lumissil 的收购，拥有其 100%股份。ISSI 存储部门有高速低功耗 SRAM，低中密度 DRAM， NOR/NAND Flash，嵌入式 Flash pFusion，及 eMMC 等芯片产品。 受益车规产品放量，公司古迹实现高速增长。2021 年公司营收达 52.74 亿元，同比增长 143.07%，2022 年前三季度公司营收达 42.19 亿元，同比增长 11.23%。2021 年公司扣 非归母净利润达 8.94 亿元，同比增速达 4265%，2022 年前三季度公司扣非归母净利润 达 7.17 亿元，同比增长 16.83%。
公司研发投入高速增长，利润率水平得到修复。2022 年前三季度公司研发支出达 4.64 亿元，远超 2020 年整年水平，同比 2021 年增长达 26.78%。公司毛利率始终坚持较高 水平，2020 年毛利率下滑系收购子公司存货增值导致的毛利率下跌，2021 年公司调度 迅速，毛利率和净利率水平已基本规复至正常水平。2022 年前三季度公司毛利率达 38.65%，净利率达 17.19%。
5.3 雅克科技：环球先驱体核心供应商，深度受益高性能存储需求
公司 1 月 19 日发布 2022 年纪迹预报，归母净利润盈利 5.2-5.9 亿元，同比提升 55.34%- 76.25%。公司认为，LNG 保温复合股料及安装工程取得较大幅度增长，带动公司整体业 绩增长和毛利率上升。 公司 2022 年前三季度古迹，营收 31.67 亿元，同比提升 17.63%，公司实现归母净利润 4.63 亿元，同比上升 18.88%。2022 年 Q3 单季度看，实现业务收入 11.08 亿元，同比 上升 324.67%，实现归母净利润 1.82 亿元，同比提升 23.21%。
先驱体等半导体材料业务持续受益于国产替代。先驱体紧张用于薄膜沉积环节，产品价 值量、用量随制程迭代快速增长。环球领先玩家包括默克、法液空、SKM、DNF 等，公 司市场份额有望稳步提升。看业务空间，1）高算力芯片搭配 HBM，HBM 对先驱体需求 及代价量显著提升；2）外洋存储客户整体稼动率见底，估量 2023 年 H2 将有所回升， 同时美光科技被审查进一步提升国产份额，利好国产材料供应商；3）海内存储厂持续扩 产，公司海内先驱体业务随下贱爬坡放量持续发展。 复合板材是 LNG 运输船核心材料，竞争格局极佳，进入高景气周期。LNG 船须要在-163℃ 的极低温下运输液化天然气，且体积被压缩超过 600 倍的液化天然气若在有限空间内泄 漏，急剧膨胀会产生物理爆炸。因此，LNG 运输船被人们称为“沉睡的氢弹”。而复合板材作为 LNG 运输船核心材料，由金属薄膜、增强硬质闭孔聚氨酯泡沫、分外配方树脂制 成，不仅起到保温隔热功能，且对 LNG 运输船只的安全性浸染关键。LNG 船复合板材具 有极佳的竞争格局和较长的下贱认证周期，公司作为海内造船厂核心供应商，具有环球 领先的深冷复合股料技能。我们认为这次沪东造船厂订单有望成为公司 LNG 板材业务需 求超预期的开始。此外，公司复合股料业务家当链的持续完善，有望使得业务盈利能力 提升，板材业务进入高景气周期。
5.4 东芯股份：海内 SLC NAND 龙头，短期古迹有望快速修复
公司表露古迹 2022 年年度古迹快报。2022 年公司营收 11.49 亿元，同比增长 1.34%。 公司实现归母净利润 1.85 亿元，同比低落 29.51%。 单季度看，公司 2022 年 Q3 实现业务收入 2.34 亿元，环比低落 36.63%，同比低落 29.17%，实现归母净利润 5644 万元，环比减少 46.01%，同比低落 36.01%，2022 年 第三季度古迹下滑紧张系市场景气度低落所致。盈利能力方面，2022 年 Q3 单季度毛利 率为 30.27%，整体前三季度毛利率达 42.23%，同比提升 3.64pct。用度方面，公司前 三季度研发用度达8393万元，同比增长77.08%，研发费率达到8.86%，同比提升2.82pct。
公司逐步实现产品产品线拓展及技能创新 1）NAND Flash 方面：公司作为 SLC NAND 领域龙头企业，核心技能上风明显，实现了 从 1Gb 到 32Gb 系列产品设计研发的全覆盖。公司开拓的车规产品正在进行 AEC-Q100 验证，同时前辈制程的 19nm 已完成首轮晶圆流片，处于国际领先地位。 2）NOR Flash 方面：公司自主设计的 SPI NORFlash 存储容量覆盖 2Mb 至 256Mb。支持 多种数据传输模式，目前公司已经为三星电子、LG、传音控股、歌尔股份等中外有名终 端客户供应产品。 3）DRAM 方面：公司研发的 DDR3 具有高带宽、低延时等特点，在研的 LPDDR4x 进度 符合公司预期，紧张针对基带市场和模块类客户。
5.5 深科技：存储芯片封测领先者，定增加码产能
存储芯片封测领先者。在半导体封测业务领域，公司紧张从事高端存储芯片的封装与测 试，产品包括动态随机存取存储器（DRAM）、NAND 型闪存（NAND FLASH）以及嵌入式 存储芯片，详细有双倍速率同步动态随机存储器（DDR3、DDR4、DDR5）、低功耗双倍 速率同步动态随机存储器（LPDDR3、LPDDR4、LPDDR5）、符合内嵌式存储器标准规格 的低功耗双倍速率同步动态随机存储器（eMCP4）等。 定增加码存储芯片封测产能。公司定增募资 14.62 亿元投向存储前辈封测与模组制造项 目。合肥沛顿已通过现有客户封装产品大规模量产审核，操持下半年进一步积极导入新 客户。公司积极布局高端封测，方案培植凸点（Bumping）项目，目前净化间施工和首线 设备采购正同步进行。未来，公司将以知足重点客户产能需求和加强前辈封装技能研发 为目标，聚焦倒装工艺（Flip-chip）、POPt 堆叠封装技能的研发、16 层超薄芯片堆叠技 术的优化，致力成为存储芯片封测标杆企业。
公司表露古迹 2022 年第三季度古迹报告。2022 前三季度公司营收 120 亿元，同比下滑 2.08%，公司实现归母净利润 5.75 亿元，同比上升 11.32%。单季度看，公司 2022 年 Q3 实现业务收入 44.6 亿元，环比上升 14.3%，同比上升 3.43%，实现归母净利润 1.2亿元，环比减少 43.66%，同比低落 50.9%。盈利能力方面，2022 年 Q3 单季度毛利率 为 3.31%，整体前三季度毛利率达 11.24%，同比提升 16.6%。用度方面，公司前三季 度研发用度达 2.25 亿元，同比低落 27.4%，研发费率 1.87%，与上一年度基本持平。
5.6 普冉股份：存储行业新星，发力工业掌握和车载领域
存储行业新星，两大产品线齐头并进。公司紧张产品包括 NOR Flash 和 EEPROM 两大类 非易失落性存储器芯片、微掌握器芯片以及仿照产品。公司表露 2022 年年度古迹快报。 2022 年公司营收 9.25 亿元，同比下滑 16.15%。公司实现归母净利润 0.83 亿元，同比 低落 71.44%。古迹下滑紧张受市场需求疲软，产品线出货量和价格低落影响。 单季度看，公司 2022 年 Q4 实现业务收入 1.61 亿元，同比低落 42.31%，实现归母净利 润-0.55 亿元，同比减少 180.49%。用度方面，公司 2022 年研发用度达 1.49 亿元，同 比上升 64%。
持续拓展品类，发力工业掌握和车载领域。公司 EEPROM 车载产品完成 AEC-Q100 标准 的全面考察，在车身摄像头、车载中控、娱乐系统等运用上实现了海内外客户的批量交 付，汽车电子产品营收占比显著提升；目前公司超大容量 EEPROM 系列开拓完成，支持 SPI/I2C 接口和最大 4Mb 容量，个中 2Mb 产品批量用于高速宽带通信和数据中央。 公司产品先容如下： 1）NOR Flash：公司 NOR Flash 产品采取电荷俘获(SONOS)及浮栅(ETOX)工艺构造，提 供了 512Kbit 到 128Mbit 容量的系列产品，覆盖 1.65V-3.6V 的操作电压区间，具备低功 耗、高可靠性、快速擦除和快速读取的精良性能，下贱运用领域集中在蓝牙、IOT、TDDI、 AMOLED、工业掌握等干系市场。目前 NOR Flash 行业主流工艺制程为 55nm，公司 40nm 工艺制程下 4Mbit 到 128Mbit 容量的全系列产品均已实现量产，处于行业内领先技能水 平。 2）EEPROM：公司已形成覆盖 2Kbit 到 4Mbit 容量的 EEPROM 产品系列，操作电压覆盖 1.7V-5.5V，紧张采取 130nm 工艺制程，具有高可靠性、面积小、性价比高档上风，可 擦写次数可达到 400 万次，数据保持韶光可达 200 年。公司 EEPROM 产品运用领域集中 在手机摄像头模组、工业掌握、汽车电子、家电、打算机周边等领域。目前 EEPROM 产 品国行家业主流工艺制程为 130nm，公司 95nm 及以下工艺制程下产品已实现量产，领 先于业界主流工艺制程。
5.7 佰维存储：存储芯片小巨人，短期古迹承压
存储芯片小巨人，嵌入式存储为业务基石。公司紧张从事半导体存储器的存储介质运用 研发、封装测试、生产和发卖，紧张产品及做事包括嵌入式存储、消费级存储、工业级 存储及前辈封测做事。根据中国闪存市场调研数据，公司 eMMC 及 UFS 在环球市场霸占 率达到 2.4%，排名环球第 8，海内第 2。公司表露 2022 年年度古迹快报。2022 年公司 营收 29.74 亿元，同比增长 13.98%。公司实现归母净利润 0.73 亿元，同比低落 37.24%。 古迹下滑紧张受市场需求疲软，研发投入加大影响。 单季度看，公司 2022 年 Q3 实现业务收入 8.01 亿元，同比上升 42.27%，实现归母净利 润 0.27 亿元，达到上一年度 26 倍。盈利能力方面，2022 年 Q3 单季度毛利率为 3.25%， 整体前三季度毛利率达 14.77%，同比低落 15.84%。用度方面，公司前三季度研发用度 达 0.94 亿元，同比低落 12.15%，研发费率 4.28%，较上一年度上升 4.39%。
公司产品可分为如下三类： 1）嵌入式存储：公司嵌入式存储产品类型覆盖了 ePOP、eMCP、eMMC、UFS、BGASSD、 LPDDR、MCP、SPI NAND 等，广泛运用于手机、平板、智能穿着、无人机、智能电视、 条记本电脑、智能车载、机顶盒、智能工控、物联网等领域。个中，车载存储器产品的 设计和生产达到车规标准，于 2018 年得到 IATF16949:2016 汽车质量管理体系认证。 2）消费级存储：公司的消费级存储包括固态硬盘、内存条和移动存储器产品，紧张运用 于消费电子领域。公司固态硬盘产品传输速率最高可达 7,400MB/s，处于行业领先地位； 公司已正式发布 DDR5 内存模组，传输速率已达 5,200Mbps，未来可达 6,400Mbps。 3）工业级存储：包括工规级 SSD、车载 SSD 及工业级内存模组等，紧张面向工业类细 分市场，运用于 5G 基站、智能汽车、聪慧城市、工业互联网、高端医疗设备、聪慧金融 等领域。
5.8 喷鼻香农芯创：AI 做事器需求增长，带动内存有望提升
公司 1 月 16 日发布 2022 年纪迹预报，归母净利润盈利 2.6-3.4 亿元，同比提升 16.16%- 51.90%。公司 2022 年前三季度古迹，营收 107.67 亿元，同比提升 132.20%，公司实 现归母净利润 1.55 亿元，同比上升 10.47%。2022 年 Q3 单季度看，实现业务收入 21.23 亿元，同比低落 52.74%，实现归母净利润-0.09 亿元，同比降落 111.90%。在国内外多 重成分影响下，自 2022 年第三季度存储器需求放缓、价格下滑。因此第三季度，公司半 导体分销板块的收入低落、利润下滑。 公司作为外洋大客户海内分销厂商，将积极开拓新客户，巩固与核心原厂的互助关系。 公司将在掩护现有客户、提高客户黏性的同时，发挥自身在上风领域的竞争上风和良好 口碑，持续开拓新客户，不断巩固与核心原厂的互助关系。同时公司将积极掩护与现有 紧张客户的互助关系，深度挖掘客户需求及多维度互助的可能性，提升做事质量，根据 市场情形应时调度经营策略。
公司认为，云打算是范例的重资产行业，须要持续、大量的成本投入。目前海内主流云 厂商成本支出和市场霸占率与环球云做事巨子亚马逊网络做事（AWS）、微软（Microsoft Azure）、谷歌（Google Cloud）比较仍有较大差距。受益于国家政策支持以及数据中央 运用处景的不断丰富，加之数字化转型为长期、系统性的趋势，存储器采购需求上表现 为刚性及稳定的特点，为公司的持续、稳定发展供应了坚实的根本。
（本文仅供参考，不代表我们的任何投资建议。如需利用干系信息，请参阅报告原文。）
精选报告来源：【未来智库】。「链接」
