三星电子否认高带宽内存芯片存在发烧与功耗问题_芯片_全球

【环球网科技综合宣布】5月27日，近日，有外媒宣布称三星电子最新研发的高带宽内存（HBM）芯片因发热和功耗问题，在英伟达（Nvidia）的严格测试中未能达标。
然而，三星电子发布声明，对干系宣布予以否认，并强调公司正与多家环球互助伙伴顺利进行HBM芯片的测试过程。

此前，据路透社，有知情人士透露，因发热和功耗问题，三星的HBM芯片，包括其HBM3芯片及即将推出的第五代HBM3E芯片，在英伟达的测试中表现不佳。
HBM3芯片是目前人工智能图形处理单元（GPU）中广泛利用的关键组件，其性能对付高端打算需求至关主要。

三星近日揭橥声明称：“我们正在与环球各互助伙伴顺利开展 HBM 供应测试。
我们正在努力提高所有产品的质量和可靠性。
我们正在严格测试 HBM 产品的质量和性能，为客户供应最佳办理方案。
”