1γDRAM、321层NAND: 主流厂商新一轮装备竞赛已拉开帷幕_闪存_将其

图源：SK 海力士DRAM

目前环球最前辈的 DRAM 工艺发展到了第五代，美光将其称为 1β DRAM，而三星将其称为 1b DRAM。

美光于去年 10 月开始量产 1β DRAM，不过研发的目标是在 2025 年量产 1γ DRAM，这将标志着美光首次涉足极紫外 (EUV) 光刻技能。

而三星操持 2023 年迈入 1b DRAM 工艺阶段，芯片容量从 24Gb（3GB）到 32Gb（4GB），原生速率从 6.4 提高到 7.2Gbps。

在 NAND 闪存业务中，该技能现已打破 200 层堆叠的显著里程碑，存储制造商不断追求更高的层数。

SK 海力士于 8 月 9 日在 2023 闪存峰会上展示了环球首款 321 层 NAND 闪存样品。
与之前的 238 层 512Gb NAND 比较，这一创新将效率提高了 59%。
SK 海力士操持进一步完善 321 层 NAND 闪存，并操持于 2025 年上半年开始生产。

此外，美光还制订了超越 232 层的年夜志勃勃的操持，即将推出 2YY、3XX 和 4XX 等产品。
Kioxia 和西部数据也在积极探索 300 层、400 层和 500 层以上的 3D NAND 技能。

IT之家此前宣布，三星操持在 2024 年推出第九代 3D NAND，可能具有 280 层，随后在 2025-2026 年推出第十代，可能达到 430 层，他们的终极目标是到 2030 年实现 1000 层 NAND 闪存。