在剖析之前首先看NMOS的输出特性曲线，阴影部分是饱和区，在饱和区漏极电流表达式可近似表达为：
空缺部分是三极管区，漏极电流可近似表示为：
事情事理：M5、M6构成一对镜像电流源，由于VgsM6=VdsM6，以是M6必定事情在饱和区，但M5的事情状态不能确定，如果M5事情在三极管区，那么M5、M6的漏极电流不再相等，由于饱和区和三极管区的Id表达式不同，如果M5也事情在饱和区，那么M5、M6便是一对镜像电流源(由于知足统一泄电流表达式)；由于V1>VthM3、V1>VthM4，以是M3、M4肯定会导通，假设M3事情在三极管区，那么VdrainM3<v1=3v，那么此时M6的VDS即VGS<-8V，根据M6泄电流表达式，此时IdM6较大，IdM6流经R1的大阻值产生的压降一定要大于假设的VdrainM3<v1，以是假设不成立，M3事情在饱和区，由于R1的阻值较大，IdM3较小，以是VsourceM3近似即是V1-VthM3=2V。经由上述对M3、M6岔路支路的剖析，M3岔路支路的电流IdM3=20uA；下面根据不同R2阻值条件下，剖析Vo的输出电平。
1.如果R2为200k，假设M5事情在饱和区，则M5岔路支路的电流为20uA，则VsourceM4=4V>V1，显然是不可能的，以是M5事情在三极管区，Vo为高电平，M4事情在饱和区，M4岔路支路的电流近似为10uA；
2. 如果R2为50k，假设M5事情在三极管区，VgsM5=VgsM6，根据MOS的输出特性曲线，M5的源漏极电压绝对值比较于M6较小，IdrainM5<IdrainM6=20uA，VdrainM5>VdrainM6，那么对付M3和M4干系参数有如下关系:
根据MOS的输出特性曲线，VdsM4<VdsM3，即：
根据上述假设推论，不等式左边>0，不等式右边<0，显然不等式不成立，以是M5事情在饱和区，M5岔路支路电流和M6岔路支路电流相同为20uA，M4事情在三极管区，Vo为低电平。
综上，电路完成了R1与R2阻值的比较，R1>R2时，Vo为低电平，反之则为高电平；同样的如果要比较两路电流的大小，也可以采取上述电路进行比较，只是须要将带比较的两路电流源进行镜像，实质上都是利用镜像电流源岔路支路的电流值与镜像电流值能否匹配来实现比较的。实际如果详细指定某些MOS的参数更方便定量剖析，这里只给出了定性的剖析，如果MOS参数和阻值(较大阻值)在合理范围内则是与剖析符合的。
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