话说已集齐的4只DELL PD电源（刚刚拆过的30W疑似赝品！
又买了一个等着做比拟），这次轮到该拆65W的了，先看下官方参数：
一、外不雅观
铭牌印刷清晰，看着靠谱。与45W、90W版本同为光宝代工。
加上电源线的重量基本符合官方标称的300g参数，初步断定这是真货。
二、拆解
砸了好多下，太结实了，累了俺出了一脑门子汗。
黄大锤表示很受伤，锤头都裂了
超声波焊接，不是胶水粘的。
砸开两侧端盖后内部即可抽出。
屏蔽罩（兼散热片）边缘用3M绝缘胶带粘的很严实。
翻个面，这面的屏蔽罩有2点与PCB焊接。铝怎么焊？空心铜铆钉。下面还有一层玄色的绝缘套。
屏蔽罩两侧还打了很多灰色704硅橡胶粘在外壳上，比较难拔出。
两半屏蔽罩还有爪钩铆接合体。
掀开这侧的屏蔽罩，创造全体屏蔽罩表里面被3M胶带完全覆盖，防止碰触原件短路。
变压器等大原件空隙打满了704硅橡胶，既可起到加固的浸染，又能通过把热量通报给屏蔽罩达到外壳帮忙散热的目的。
拿掉另一壁的屏蔽罩后，露出大面积的玄色绝缘壳。
清理一下大原件面的白胶：
紧张原件标注如上图。
高压侧整流全桥与开关管共用一块铝散热片。低压侧MOS管单独利用另一块铝散热片，都靠近PCB边缘。互换输入端3根引线用焊脚压接后直焊于PCB上，加有热缩套管。个中白色的这条被俺暴力砸断了。纯洁二级EMI滤波，没有偷工减料。
互换输入端，靠近蓝线的小玄色方块为台湾功德T3.15A 250V CQ MST方形慢熔/延时保险丝。
右侧紧挨着的是HJC（台湾华容） MKP-X2安规电容225K 0.47UF 275VAC~
体积 : 脚距12mm 、宽度15mm 、高度16mm 、厚度10mm。
拆下X电容后可见开关变压器（右侧那只）的印字，左边这个是共模电感。
输出滤波电容，固态电容25V、330μF，与另一只同规格的电解电容并联。
25V、330μF电解电容。
品牌为台湾有名的Ltec（辉城电子股份），台湾第一家得到ISO9000国际质量标准体系认证之电解电容器制造商。
蓝色Y电容跨接于高低压侧，471K安规。
输出白、红、黑、蓝四条线，PCB上分别为标注了引脚定义，压接焊脚焊接于PCB，并利用了相同颜色的热缩套管绝缘。
PCB上的丝印LITEON光宝logo，验明正身。
从这个角度看PCB一侧的长散热片一角和低级侧大电容上也贴有3M绝缘胶带。
电容激光雕刻参数：100μF、400V，品牌与45W、90W版本同为Elite，台湾金山。
高压侧Z形散热片用螺丝与开关管紧固，用导热硅脂与整流全桥贴紧，散热片上铆接有3只焊脚，与MOS开关管合计共6个焊脚与PCB连接。
开关管型号为TK11A60D，Toshiba/东芝(MOSFET)，TO-220F封装，增强型 N沟道直插场效应管，参数为600V，11A，0.65Ω。
靠近散热片的一脚套有绝缘瓷环并加胶固定。
拆下散热片和开关管的PCB。
这只小棕色电解电容规格：22μF、100V，同为Elite，台湾金山品牌。
高压侧整流桥堆KBP208GL，台湾光宝LITEON自家品牌，规格为2A、800V。
低压侧MOS管，英飞凌TO-262封装的IPI076N12N，DIP/MOS，N场，120V、100A，0.0076Ω。
PCB铜箔面，也打有许多白胶，覆盖住了很多贴片元件。
清理下白胶：
按功能顺序先容下几个紧张原件：
上面这仨都是二极管，没啥好说的。
高压侧低级PWM芯片：OB2282CP， SOP8封装，台湾昂宝电源IC集成。
光耦，LSOP4 封装，前后级脚距较宽，型号为LTV-1007-TP-G， 也是台湾光宝liteon自家产品。
MP6902DS，MPS同步整流IC，低压降二极管仿真器芯片，结合外部开关取代肖特基二极管高效，反激变换器。
PD核心：
DELL DPD001，45W电源上同样利用了这枚DELL自家出产的PD芯片。
二极管。
输出MOS，16A、30V。
好了，就这些，如假包换的光宝产品，与其余2只（45W、90W）的设计特点、工艺风格，大量利用的台系原件等都有很多相似之处，跟Apple产品比起来逼格虽稍低一点，不过胜在便宜，可靠，结实耐用，性价比高，感激不雅观看。
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