一、 待机条件产生事理
1.实时时钟供电RTCVDD
BAT电池电压VBATT，通过RB电阻改名为VBAT，一起送到IO检测电池电量，二路送到肖特基D2的1脚，从3脚输出RTCVDD电压，给桥RTC电路供应供电。
2. 实时时钟复位RTCRST#
RTCVDD电压通过R234电阻和C95组成的RC延时电路，延时后得到－RTCRST高电平， 一起通过电阻R230送到CMOS跳线帽CLR_COMS。二路送到桥的RTCRTS#脚，复位桥内部RTC电路。
3.实时时钟频率32.768KHZ
桥得到VCCRTC、RTCRST#后，给X2晶振供电，晶振起振产生32.768KHZ频率给桥的RTC电路，桥内部RTC电路开始事情。
4.PCH待机供电3VDUAL_PCH
给电源接上电，电源输出5VSB供电，通过Q62降压得到3.3V的3VDUAL_PCH待机电压,给桥和IO芯片供应待机供电。
5.深度休眠供电VCCDSW
3VDUAL_PCH同时给桥的VCCDSW点供应深度休眠供电。
6.深度休眠电压好旗子暗记DPWROK
3VDUAL_PCH通过R360和R361电阻分压后，送到Q35的B极，掌握Q35导通，使Q34截止，通过R348电阻上拉得到高电平的PCH_DPWROK旗子暗记给桥，表示主板深度休眠供电正常。
7.5V双路供电5VDUAL
电源输出5VSB待机电压，通过R435和R434电阻分压，得到2.5V电压，关到比较器U8A的2脚，和U8B的6脚。待机时VCC、+12V都无输出，比较器正输入端电压小于负输入端电压，输出低电平。分别送到Q53和Q69的G极，使Q69导通，Q53截止，5VSB通过Q69转换为5VDUAL电压输出。开机后VCC输出5V电压，+12V输出12V电压，通过电阻分压送到比较器正输入端，比较器正输入端电压大于负输入端电压，比较器输出高阻态，通过+12V上拉为12V高电平，分别送到Q53和Q69使Q53导通，Q69截止，VCC通过Q53转换为5VDUAL电压输出。（Q53为N沟道MOS管，Q69为P沟道MOS管）
8.PCI-E待机供电3VDUAL
5VDUAL电压通过Q66降压为3.3V的3VDUAL待机电压，给PCI－E插槽供应待机供电。
9.待机电压好旗子暗记-RSMRST
IO得到3VDUAL_PCH待机供电后，从116脚输出高电平的RSMRST#旗子暗记，通过R412电阻上拉为3.3V，发送到桥表示主桥待机供电正常。
－RSMRST#旗子暗记同时受控于桥的－DEPSLP旗子暗记（待机供电开启SLP_SUS），桥输出高电平的－DEPSLP旗子暗记使D9截止，Q63导通，MOS管Q58截止，－RSMRST#旗子暗记通过前面上拉为高电平。
二、 触发旗子暗记产生事理
1.触发旗子暗记 -PWRBTSW
开关针通电阻上拉为3.3V电平，触发开关产生3.3V－0V－3.3V跳变的触发旗子暗记-PWRBT1，通过电阻R364改名为-PWRBTSW,送到IO芯片IT8728的106脚。
2.上电要求 PWRBTSW
IO芯片收到触发旗子暗记，并且待机电压正常后，从103脚输出3.3V－0V－3.3V跳变的PWRBTSW旗子暗记，送给桥要求上电。
3. 桥收到上电要求旗子暗记，并且待机条件正常后，输出待续高电平3.3V的-S4_S5和-SLP_S3旗子暗记。-S4_S5旗子暗记去开启内存供电,-SLP_S3旗子暗记给IO芯片表示许可上电。
3.1内存供电DDR15V
5VDUAL一起通过D3、R396给芯片ISL6545的5脚供电，另一起通过电感L4给Q42的D极供电。芯片通过内部给1脚供电。7脚得高电平的DDR_EN旗子暗记后，芯片从2脚和4脚分别输出高下管驱动旗子暗记，掌握高下管交替导通，将5VDUAL降压得到DDR_15V内存供电。
内存供电开启旗子暗记DDR_EN
桥输出高电平的-S4_S5旗子暗记通过R415电阻送到三极管Q60的B极，使Q60导通，Q61截止，通过芯片ISL6545内部上拉得到高电平的DDR_EN旗子暗记。
4.开启上电PSON#
IO芯片收到-SLP_S3高电平的上电许可旗子暗记后，从107脚输出持续低电平的-PSON旗子暗记，送给ATX电源。
5.完成上电
ATX电源收到PSON旗子暗记拉低绿线后，电源开始事情输出VCC3、VCC、+12V等主供电，完成上电。
