SK海力士将会成为继三星之后第二家展示GDDR7显存芯片的公司,它们家产品的速率是35.4Gbps,比三星的慢,不过存储密度是相同的,都是单颗16Gbit。与三星的一样,SK海力士的GDDR7同样采取PAM3旗子暗记编码机制,拥有专门的低功耗设计,不知道它是否类似三星的四种低时钟状态。
GDDR7是给下一代游戏显卡所准备的,而AI HPC领域则须要HBM3E,海力士会在会议上展示他们最新的16层堆栈48GB HBM3E芯片,新的设计理论上能让单颗芯片速率达到1280GB/s,采取四颗HBM3E就能达到192GB容量和5.12TB/s的超高带宽。新的HBM3E采取全新的全功能TSV(硅通孔)设计和6相读书节行列步队选通方案,以实现硅通孔面积优化。
末了SK海力士还为移动设备带来了LPDDR5T内存,频率高达10533MHz,内存电压1.05V,如此高的数据速率得益于独家的寄生电容降落技能和电压偏移校准吸收器技能,新的高频LPDDR5T内存能为智好手机、平板电脑和轻薄条记本供应更好的性能。
