从架构上来讲，SiP是将多种功能芯片，包括处理器、存储器等功能芯片集成在一个封装内，从而实现一个基本完全的功能。与SOC（片上系统）相对应。不同的是系统级封装是采取不同芯片进行并排或叠加的封装办法，而SOC则是高度集成的芯片产品。
1.1. More Moore VS More than Moore——SoC与SiP之比较
SiP是超越摩尔定律下的主要实现路径。众所周知的摩尔定律发展到现阶段，何去何从？行业内有两条路径：一是连续按照摩尔定律往下发展，走这条路径的产品有CPU、内存、逻辑器件等，这些产品占全体市场的50%。其余便是超越摩尔定律的More than Moore路线，芯片发展从一味追求功耗低落及性能提升方面，转向更加务实的知足市场的需求。这方面的产品包括了仿照/RF器件，无源器件、电源管理器件等，大约占到了剩下的那50%市场。
针对这两条路径，分别出身了两种产品：SoC与SiP。SoC是摩尔定律连续往下走下的产物，而SiP则是实现超越摩尔定律的主要路径。两者都是实现在芯片层面上实现小型化和微型化系统的产物。
SoC与SIP是极为相似，两者均将一个包含逻辑组件、内存组件，乃至包含被动组件的系统，整合在一个单位中。SoC是从设计的角度出发，是将系统所需的组件高度集成到一块芯片上。SiP是从封装的态度出发，对不同芯片进行并排或叠加的封装办法，将多个具有不同功能的有源电子元件与可选无源器件，以及诸如MEMS或者光学器件等其他器件优先组装到一起，实现一定功能的单个标准封装件。
从集成度而言，一样平常情形下，SoC只集成AP之类的逻辑系统，而SiP集成了AP+mobile DDR，某种程度上说SIP=SoC+DDR，随着将来集成度越来越高，emmc也很有可能汇合成到SiP中。
从封装发展的角度来看，因电子产品在体积、处理速率或电性特性各方面的需求考量下，SoC曾经被确立为未来电子产品设计的关键与发展方向。但随着近年来SoC生产本钱越来越高，频频遭遇技能障碍，造成SoC的发展面临瓶颈，进而使SiP的发展越来越被业界重视。
1.2. SiP——超越摩尔定律的一定选择路径
摩尔定律确保了芯片性能的不断提升。众所周知，摩尔定律是半导体行业发展的“圣经”。在硅基半导体上，每18个月实现晶体管的特色尺寸缩小一半，性能提升一倍。在性能提升的同时，带来本钱的低落，这使得半导体厂商有足够的动力去实现半导体特色尺寸的缩小。这个中，处理器芯片和存储芯片是最屈服摩尔定律的两类芯片。以Intel为例，每一代的产品完美地遵照摩尔定律。在芯片层面上，摩尔定律促进了性能的不断往前推进。
PCB板并不屈服摩尔定律，是全体系统性能提升的瓶颈。与芯片规模不断缩小相对应的是，PCB板这些年并没有发生太大变革。举例而言，PCB主板的标准最小线宽从十年前便是3 mil（大约75 um），到本日还是3 mil，险些没有进步。毕竟，PCB并不屈服摩尔定律。由于PCB的限定，使得全体系统的性能提升碰着了瓶颈。比如，由于PCB线宽都没变革，以是处理器和内存之间的连线密度也保持不变。换句话说，在处理器和内存封装大小不大变的情形下，处理器和内存之间的连线数量不会显著变革。而内存的带宽即是内存接口位宽 乘以内存接口操作频率。内存输出位宽即是处理器和内存之间的连线数量，在十年间受到PCB板工艺的限定一贯是64bit没有发生变革。以是想提升内存带宽只有提高内存接口操作频率。这就限定了全体系统的性能提升。
SIP是办理系统桎梏的胜负手。把多个半导体芯片和无源器件封装在同一个芯片内，组成一个别系级的芯片，而不再用PCB板来作为承载芯片连接之间的载体，可以办理由于PCB自身的先天不敷带来系统性能碰着瓶颈的问题。以处理器和存储芯片举例，由于系统级封装内部走线的密度可以远高于PCB走线密度，从而办理PCB线宽带来的系统瓶颈。举例而言，由于存储器芯片和处理器芯片可以通过穿孔的办法连接在一起，不再受PCB线宽的限定，从而可以实现数据带宽在接口带宽上的提升。
我们认为，SiP不仅是大略地将芯片集成在一起。SiP还具有开拓周期短；功能更多；功耗更低，性能更优秀、本钱价格更低，体积更小，质量更轻等优点，总结如下：
SiP工艺剖析
SIP 封装制程按照芯片与基板的连接办法可分为引线键合封装和倒装焊两种。
2.1.引线键合封装工艺
引线键合封装工艺紧张流程如下:
圆片→圆片减薄→圆片切割→芯片粘结→引线键合→等离子洗濯→液态密封剂灌封→装置焊料球→回流焊→表面打标→分离→终极检讨→测试→包装。
圆片减薄
圆片减薄是指从圆片背面采取机器或化学机器（CMP）办法进行研磨，将圆片减薄到适宜封装的程度。由于圆片的尺寸越来越大，为了增加圆片的机器强度，防止在加工过程中发生变形、开裂，其厚度也一贯在增加。但是随着系统朝轻薄短小的方向发展，芯片封装后模块的厚度变得越来越薄，因此在封装之前一定要将圆片的厚度减薄到可以接管的程度，以知足芯片装置的哀求。
圆片切割
圆片减薄后，可以进行划片。较老式的划片机是手动操作的，现在一样平常的划片机都已实现全自动化。无论是部分划线还是完备分割硅片，目前均采取锯刀，由于它划出的边缘整洁，很少有碎屑和裂口产生。
芯片粘结
已切割下来的芯片要贴装到框架的中间焊盘上。焊盘的尺寸要和芯片大小相匹配，若焊盘尺寸太大，则会导致引线跨度太大，在转移成型过程中会由于流动产生的应力而造成引线波折及芯片位移征象。贴装的办法可以是用软焊料（指 Pb-Sn 合金，尤其是含 Sn 的合金）、Au-Si 低共熔合金等焊接到基板上，在塑料封装中最常用的方法是利用聚合物粘结剂粘贴到金属框架上。
引线键合
在塑料封装中利用的引线紧张是金线，其直径一样平常为0.025mm~0.032mm。引线的长度常在1.5mm~3mm之间，而弧圈的高度可比芯片所在平面高 0.75mm。
键合技能有热压焊、热超声焊等。这些技能优点是随意马虎形成球形（即焊球技能），并防止金线氧化。为了降落本钱，也在研究用其他金属丝，如铝、铜、银、钯等来替代金丝键合。热压焊的条件是两种金属表面牢牢打仗，掌握韶光、温度、压力，使得两种金属发生连接。表面粗糙（不平整）、有氧化层形成或是有化学沾污、吸潮等都会影响到键合效果，降落键合强度。热压焊的温度在 300℃~400℃，韶光一样平常为 40ms（常日,加上探求键合位置等程序，键合速率是每秒二线）。超声焊的优点是可避免高温，由于它用20kHz~60kHz的超声振动供应焊接所需的能量，以是焊接温度可以降落一些。将热和超声能量同时用于键合，便是所谓的热超声焊。与热压焊比较，热超声焊最大的优点是将键合温度从 350℃降到250℃旁边（也有人认为可以用100℃~150℃的条件），这可以大大降落在铝焊盘上形成 Au-Al 金属间化合物的可能性，延长器件寿命，同时降落了电路参数的漂移。在引线键合方面的改进紧张是由于须要越来越薄的封装，有些超薄封装的厚度仅有0.4mm 旁边。以是引线环（loop）从一样平常的200 μ m~300 μ m减小到100μm~125μm，这样引线张力就很大，绷得很紧。其余，在基片上的引线焊盘外围常日有两条环状电源 / 地线，键合时要防止金线与其短路，其最小间隙必须>625 μ m，哀求键合引线必须具有高的线性度和良好的弧形。
等离子洗濯
洗濯的主要浸染之一是提高膜的附着力，如在Si 衬底上沉积 Au 膜，经 Ar 等离子体处理掉表面的碳氢化合物和其他污染物，明显改进了 Au 的附着力。等离子体处理后的基体表面，会留下一层含氟化物的灰色物质，可用溶液去掉。同时洗濯也有利于改进表面黏着性和润湿性。
液态密封剂灌封
将已贴装好芯片并完成引线键合的框架带置于模具中，将塑封料的预成型块在预热炉中加热（预热温度在 90℃~95℃之间），然后放进转移成型机的转移罐中。在转移成型活塞的压力之下，塑封料被挤压到浇道中，并经由浇口注入模腔（在全体过程中，模具温度保持在 170℃~175℃旁边）。塑封料在模具中快速固化，经由一段韶光的保压，使得模块达到一定的硬度，然后用顶杆顶出模块，成型过程就完成了。对付大多数塑封料来说，在模具中保压几分钟后，模块的硬度足可以达到许可顶出的程度，但是聚合物的固化（聚合）并未全部完成。由于材料的聚合度（固化程度）强烈影响材料的玻璃化转变温度及热应力，以是匆匆使材料全部固化以达到一个稳定的状态，对付提高器件可靠性是十分主要的，后固化便是为了提高塑封料的聚合度而必需的工艺步骤，一样平常后固化条件为 170℃~175℃，2h~4h。
液态密封剂灌封
目前业内采取的植球方法有两种：“锡膏”+“锡球”和“助焊膏”+ “锡球”。“锡膏”+“锡球”植球方法是业界公认的最好标准的植球法，用这种方法植出的球焊接性好、光泽好，熔锡过程不会涌现焊球偏置征象，较易掌握，详细做法便是先把锡膏印刷到 BGA 的焊盘上，再用植球机或丝网印刷在上面加上一定大小的锡球，这时锡膏起的浸染便是粘住锡球，并在加温的时候让锡球的打仗面更大，使锡球的受热更快更全面，使锡球熔锡后与焊盘焊接性更好并减少虚焊的可能。
表面打标
打标便是在封装模块的顶表面印上去不掉的、字迹清楚的字母和标识，包括制造商的信息、国家、器件代码等，紧张是为了识别并可跟踪。打码的方法有多种，个中最常用的是印码方法，而它又包括油墨印码和激光印码二种。
分离
为了提高生产效率和节约材料，大多数 SIP 的组装事情都因此阵列组合的办法进行，在完成模塑与测试工序往后进行划分，分割成为单个的器件。划分分割可以采取锯开或者冲压工艺，锯开工艺灵巧性比较强，也不须要多少专用工具，冲压工艺则生产效率比较高、本钱较低，但是须要利用专门的工具。
2.2.倒装焊工艺
和引线键合工艺比较较倒装焊工艺具有以下几个优点：
（1）倒装焊技能战胜了引线键合焊盘中央距极限的问题；
（2）在芯片的电源 /地线分布设计上给电子设计师供应了更多的便利；
（3）通过缩短互联长度，减小 RC 延迟，为高频率、大功率器件供应更完善的旗子暗记；
（4）热性能优秀，芯片背面可安装散热器；
（5）可靠性高，由于芯片下填料的浸染，使封装抗疲倦寿命增强；
（6）便于返修。
以下是倒装焊的工艺流程（与引线键合相同的工序部分不再进行单独解释）：圆片→焊盘再分布→圆片减薄、制作凸点→圆片切割→倒装键合、下添补→包封→装置焊料球→回流焊→表面打标→分离→终极检讨→测试→包装。
焊盘再分布
为了增加引线间距并知足倒装焊工艺的哀求，须要对芯片的引线进行再分布。
制作凸点
焊盘再分布完成之后，须要在芯片上的焊盘添加凸点，焊料凸点制作技能可采取电镀法、化学镀法、蒸发法、置球法和焊膏印刷法。目前仍以电镀法最为广泛，其次是焊膏印刷法。
倒装键合、下添补
在全体芯片键合表面按栅阵形状支配好焊料凸点后，芯片以倒扣办法安装在封装基板上，通过凸点与基板上的焊盘实现电气连接，取代了WB和TAB 在周边支配端子的连接办法。倒装键合完毕后，在芯片与基板间用环氧树脂进行添补，可以减少施加在凸点上的热应力和机器应力，比不进行添补的可靠性提高了1到2个数量级。
SiP——为运用而生
3.1.紧张运用领域
SiP的运用非常广泛，紧张包括：无线通讯、汽车电子、医疗电子、打算机、军用电子等。
运用最为广泛的无线通讯领域。SiP在无线通信领域的运用最早，也是运用最为广泛的领域。在无线通讯领域，对付功能传输效率、噪声、体积、重量以及本钱等多方面哀求越来越高，迫使无线通讯向低本钱、便携式、多功能和高性能等方向发展。SiP是空想的办理方案，综合了现有的芯核资源和半导体生产工艺的上风，降落本钱，缩短上市韶光，同时战胜了SOC中诸如工艺兼容、旗子暗记稠浊、噪声滋扰、电磁滋扰等难度。手机中的射频功放，集成了频功放、功率掌握及收发转换开关等功能，完全的在SiP中得到理解决。
汽车电子是SiP的主要运用处景。汽车电子里的SiP运用正在逐渐增加。以发动机掌握单元（ECU）举例，ECU由微处理器（CPU）、存储器（ROM、RAM）、输入/输出接口（I/O）、模数转换器（A/D）以及整形、驱动等大规模集成电路组成。各种型的芯片之间工艺不同，目前较多采取SiP的办法将芯片整合在一起成为完全的掌握系统。其余，汽车防抱去世系统(ABS)、燃油喷射掌握系统、安全气囊电子系统、方向盘掌握系统、轮胎低气压报警系统等各个单元，采取SiP的形式也在不断增多。此外，SIP技能在快速增长的车载办公系统和娱乐系统中也得到了成功的运用。
医疗电子须要可靠性和小尺寸相结合，同时兼具功能性和寿命。在该领域的范例运用为可植入式电子医疗器件，比如胶囊式内窥镜。内窥镜由光学镜头、图像处理芯片、射频旗子暗记发射器、天线、电池等组成。个中图像处理芯片属于数字芯片、射频旗子暗记发射器则为仿照芯片、天线则为无源器件。将这些器件集中封装在一个SiP之内，可以完美地办理性能和小型化的哀求。
SiP在打算机领域的运用紧张来自于将处理器和存储器集成在一起。以GPU举例，常日包括图形打算芯片和SDRAM。而两者的封装办法并不相同。图形打算方面都采取标准的塑封焊球阵列多芯片组件办法封装，而这种办法对付SDRAM并不适宜。因此须要将两种类型的芯片分别封装之后，再以SiP的形式封装在一起。
SiP在其他消费类电子中也有很多运用。这个中包括了ISP（图像处理芯片）、蓝牙芯片等。ISP是数码相机、扫描仪、摄像头、玩具等电子产品的核心器件，其通过光电转换，将光学旗子暗记转换成数字旗子暗记，然后实现图像的处理、显示和存储。图像传感器包括一系列不同类型的元器件，如CCD、COMS图像传感器、打仗图像传感器、电荷载入器件、光学二极管阵列、非晶硅传感器等，SiP技能无疑是一种空想的封装技能办理方案。
蓝牙系统一样平常由无线部分、链路掌握部分、链路管理支持部分和主终端接口组成，SiP技能可以使蓝牙做得越来越小迎合了市场的需求，从而大力推动了蓝牙技能的运用。SiP完成了在一个超小型封装内集成了蓝牙无线技能功能所需的全部原件（无线电、基带处理器、ROM、滤波器及其他分立元件）。
军事电子产品具有高性能、小型化、多品种和小批量等特点，SiP技能顺应了军事电子的运用需求，因此在这一技能领域具有广泛的运用市场和发展前景。SiP产品涉及卫星、运载火箭、飞机、导弹、雷达、巨型打算机等军事装备，最具范例性的运用产品是各种频段的收发组件。
3.2.SiP——为智好手机量身定制
手机轻薄化带来SiP需求增长。手机是SiP封装最大的市场。随着智好手机越做越轻薄，对付SiP的需求自然水涨船高。从2011-2015，各个品牌的手机厚度都在不断缩减。轻薄化对组装部件的厚度自然有越来越高的哀求。以iPhone 6s为例，已大幅缩减PCB的利用量，很多芯片元件都会做到SiP模块里，而到了iPhone8，有可能是苹果第一款全机采取SiP的手机。这意味着，iPhone8一方面可以做得更加轻薄，另一方面会有更多的空间容纳其他功能模块，比如说更强大的摄像头、扬声器，以及电池。
从苹果产品看SiP运用。苹果是武断看好SiP运用的公司，苹果在之前Apple Watch上就已经利用了SiP封装。
除了腕表以外，苹果手机中利用SiP的颗数也在逐渐增多。列举有：触控芯片，指纹识别芯片，RFPA等。
触控芯片。在Iphone6中，触控芯片有两颗，分别由Broadcom和TI供应，而在6S中，将这两颗封在了同一个package内，实现了SiP的封装。而未来会进一步将TDDI全体都封装在一起。iPhone6s中展示了新一代的3D Touch技能。触控感应检测可以穿透绝缘材料外壳，通过检测人体手指带来的电压变革，判断出人体手指的触摸动作，从而实现不同的功能。而触控芯片便是要采集打仗点的电压值，将这些电极电压旗子暗记经由处理转换成坐标旗子暗记，并根据坐标旗子暗记掌握手机做出相应功能的反应，从而实现其掌握功能。3D Touch的涌现，对触控模组的处理能力和性能提出了更高的哀求，其繁芜构造哀求触控芯片采取SiP组装，触觉反馈功能加强其操作友好性。
指纹识别同样采取了SiP封装。将传感器和掌握芯片封装在一起，从iPhone 5开始，就采纳了相类似的技能。
RFPA模块。手机中的RFPA是最常用SiP形式的。iPhone 6S也同样不例外，在iPhone 6S中，有多颗RFPA芯片，都是采取了SiP。
按照苹果的习气，所有运用成熟的技能会传给下一代，我们判断，即将问世的苹果iPhone7会更多地采纳SiP技能，而未来的iPhone7s、iPhone8会更全面，更多程度的利用SiP技能，来实现内部空间的压缩。
快速增长的SiP市场4.1.市场规模&渗透率迅速提升
2013-2016SiP市场CAGR=15%。2014年环球SiP产值约为48.43亿美元，较2013年景长12.4%旁边；2015年在聪慧型手机仍持续发展，以及Apple Watch等穿着式产品问世下，环球SiP产值估计达到55.33亿美元，较2014年景长14.3%。
2016年，虽然聪慧型手机可能逐步迈入成熟期阶段，难有大幅发展的表现，但SiP在运用越趋遍及的趋势下，仍可呈现发展趋势，因此，预估2016年环球SiP产值仍将可较2015年景长17.4%，来到64.94亿美元。
市场渗透率将迅速提升。我们估量，SiP在智好手机中的渗透率将从2016年的10%迅速提升到2018年的40%。在轻薄化趋势已经确定的情形下，能完美实现轻薄化哀求的SiP理应会得到更多的运用。不止是苹果，我们估量海内智好手机厂商也会迅速跟进。此外，渗透率提升不单是采取SiP的智好手机会增多，在智好手机中利用的SiP的颗数也会增加。两个效应叠加使令SiP的增量市场迅速扩大。
我们测算SiP在智好手机市场未来三年内的市场规模。假设SiP的单价每年贬价10%，智好手机出货量年增3%。可以看到，SiP在智好手机中的新增市场规模CAGR=192%,非常可不雅观。
4.2.从制造到封测——逐渐领悟的SiP家当链
从家当链的变革、家当格局的变革来看，今后电子家当链将不再只是传统的垂直式链条：终端设备厂商——IC设计公司——封测厂商、Foundry厂、IP设计公司，产品的设计将同时调动封装厂商、基板厂商、材料厂、IC设计公司、系统厂商、Foundry厂、器件厂商（如TDK、村落田）、存储大厂（如三星）等彼此交叉协作，共同实现家当升级。未来系统将带动封装业进一步发展，反之高端封装也将推动系统终端繁荣。未来系统厂商与封装厂的直接对接将会越来越多，而IC设计公司则将可能向IP设计或者直接出售晶圆两个方向去发展。
近年来，部分晶圆代工厂也在客户一次购足的做事需求下(Turnkey Service)，开始扩展业务至下贱封测端，以发展SiP等前辈封装技能来打造一条龙做事模式，知足上游IC设计厂或系统厂。然而，晶圆代工厂发展SiP等前辈封装技能，与现有封测厂商间将形成奇妙的竞合关系。首先，晶圆代工厂基于晶圆制程上风，拥有发展晶圆级封装技能的基本条件，跨入门槛并不甚高。因此，晶圆代工厂可依产品运用趋势与上游客户需求，在完成晶圆代工干系制程后，持续朝晶圆级封装等后段领域迈进，以完成客户整体需求目标。这对现有封测厂商来说，可能形成一定程度的竞争。
由于封测厂险些难以向上游跨足晶圆代工领域，而晶圆代工厂却能基于制程技能上风跨足下贱封测代工，尤其是在高阶SiP领域方面；因此，晶圆代工厂跨入SiP封装业务，将与封测厂从纯挚高下游互助关系，转向奇妙的竞合关系。
封测厂一方面可朝差异化发展以区隔市场，另一方面也可选择与晶圆代工厂进行技能互助，或因此技能授权等办法，搭配封测厂弘大的产能根本进行接单量产，共同扩大市场。此外，晶圆代工厂所发展的高阶异质封装，其部份制程步骤仍须专业封测厂以现有技能帮忙完成，因此双方仍有互助立基点。
4.3.SiP行业标的
日月光+环旭电子：
环球紧张封测大厂中，日月光早在2010年便购并电子代工做事厂(EMS)--环旭电子，以本身封装技能搭配环电在模组设计与系统整合实力，发展SiP技能。使得日月光在SiP技能领域坚持领先地位，并能够陆续获得手机大厂苹果的订单，如Wi-Fi、处理器、指纹辨识、压力触控、MEMS等模组，为日月光带来后续发展动力。
此外，日月光也与DRAM制造大厂华亚科策略同盟，共同发展SiP范畴的TSV 2.5D IC技能；由华亚科供应日月光硅中介层(Silicon Interposer)的硅晶圆生产制造，结合日月光在高阶封测的制程能力，扩大日月光现有封装产品线。
不仅如此，日月光也与日本基板厂商TDK互助，成立子公司日月阳，生产集成电路内埋式基板，可将更多的感测器与射频元件等晶片整合在尺寸更小的基板上，让SiP电源耗能降落，体积更小，以适应可穿着装置与物联网的需求。
日月光今年紧张发展动力将来自于SiP，1H2016 SiP营收已近20亿美元，预期未来5-10年，SiP会是公司持续增长的动力。日月光旗下的环旭电子继拿下A公司的穿着式腕表SiP大单之后，也再拿下第二家美系大厂聪慧腕表SiP订单，预定明年出货。
安靠：
环球第二大封测厂安靠则是将韩国厂区作为发展SiP的紧张基地。除了2013
年加码投资韩国，兴建前辈厂房与环球研发中央之外；安靠目前SiP技能紧张运用于影像感测器与动作感测器等产品。 安靠Q2 2016财报显示，来自中国中高端智好手机对WLCSP和SiP的需求是公司增长的紧张动力。
矽品：
环球第三大暨台湾第二大封测厂矽品，则是布局IC整合型SiP，以扇出型叠层封装(FO PoP)技能为主，其紧张运用于聪慧型手机，目前与两岸部分手机芯片大厂互助中，2016年可望正式量产。
由于矽品在模组设计与系统整合方面较为欠缺，因此近期积极寻求与EMS大厂鸿海策略同盟，以结合该公司在模组设计与系统整合能力，让SiP技能领域发展更趋完全。
长电+星科金朋：
长电是海内少数可以达到国际技能水平的半导体封测企业，2015年携手中芯国际及国家大基金，以7.8亿美元收购新加坡星科金朋，环球排名由第六晋级至第四。公司在SIP封装方面具有一定的技能上风，已成功开拓了RF-SIM；Micro SD；USB；FC-BGA；LGA module等一系列产品。
原来位居环球第四大封测厂的星科金朋也在韩国厂区积极开拓SiP技能，但因整体营运状况不如前三大厂，因此难以投入大额成本以扩充SiP规模。不过，随着江苏长电并购星科金朋而带来资金，将能够结合原来星科金朋的技能，将SiP连续做大。长电科技将投入4.75亿美金扩充SiP项目，目前星科金朋韩国厂已经正式量产，产能利用率95%以上，紧张为A客户供货。我们估量，未来随着A客户BOM中SiP量的增多，将给公司带来极大弹性。
推举逻辑SiP代表了行业发展方向。芯片发展从一味追求功耗低落及性能提升（摩尔定律），转向更加务实的知足市场的需求（超越摩尔定律），SiP是实现的主要路径。SiP从终端电子产品角度出发，不是一味关注芯片本身的性能/功耗，而是实现全体终端电子产品的轻薄短小、多功能、低功耗，在行动装置与穿着装置等轻巧型产品兴起后，SiP需求日益显现。
SiP在智好手机里的渗透率在迅速提升。SiP市场2013-2015的CAGR达到16%，高于智好手机市场7%的CAGR。随着智好手机的轻薄化趋势确定，SiP的渗透率将迅速提升，估量将从现在的10%到2018年的40%。我们强调，要重视智好手机里的任何一个新变革，在达到40%的渗透率之前，都是值得关注的快速成长期。
从行业配置角度看，SiP尚未完备Price in，有成长空间。安靠和日月光在Q2财报中，不谋而合给出环比增长的缘故原由之一来自于SiP封装的放量。同时，苹果确定在新机型中利用多颗SiP,而海内厂商尚未开始跟上。我们测算2018年潜在的SiP增量空间为96亿美元，从行业配置角度看，目前SiP的发展尚未被市场充分认识，有足够的上升空间。我们认为，海内的上市公司中，长电科技（收购的星科金朋为A客户供应SiP产品）、环旭电子(Apple watch SiP供应商)将深度受益于SiP行业的发展，推举关注。
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