就在本日,第三代半导体材料公司氮矽科技宣告完成千万级Pre-A轮融资,而仅仅在一个月前,这家公司刚刚宣告完成千万级天使轮融资。
从今年年初开始,受多重利好刺激,第三代半导体干系股份全线飙红,大面积迎来涨停。
8月14日,工信部正式宣告将碳化硅(SiC)复合股料、碳基复合股料等纳入“十四五”家当科技创新干系发展方案,以全面打破关键核心技能,占领“卡脖子”品种。
而在早前5月14日的国家科技系统编制改革和创新体系培植领导小组第十八次会议上,第三代半导体、前辈封装等「后摩尔时期」潜在颠覆性技能也备受关注。
第三代半导体干系政策与活动,36氪整理
政策加码、行业加持,从2016年开始,政府不断出台与第三代半导体干系的政策材料,行业投资水涨船高,市场发卖额也在每年大幅上涨。
根据CASA数据,2020年,我国第三代半导体整体产值超过7100亿,个中半导体照明产值估量7013亿元;SiC、GaN电力电子产值规模近44.7亿元,同比增长54%;GaN微波射频产值达到60.8亿元,同比增长80.3%。
在新能源汽车、5G通讯、快充等新兴运用的推动之下,第三代半导体已呈现出明显的爆发趋势。
本文将回答以下问题:
1、第三代半导体是什么?哪些领域最有潜力?
2、目前我国第三代半导体发展态势如何?与国际顶尖技能水平存在多大差异?
3、业内有哪些值得关注的创业公司、巨子企业?
4、这一赛道家当规模与前景如何?碰着的寻衅有哪些?
一、最成熟两大品类:SiC、GaN
第三代半导体指的是碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氧化物半导体(如氧化锌ZnO)、III族氮化物(如氮化铝AlN)、金刚石半导体等宽禁带半导体材料。
相较于第一代半导体材料(硅、锗)与第二代半导体材料(砷化镓、磷化铟),第三代半导体的内部构造稳定,具有高温稳定性、高功率、抗高压、高频及抗辐射等上风,能够知足5G通信、快充、新能源汽车主控电路等新兴领域的需求。
这个中,碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)是第三代半导体中发展最为成熟的两个品类。
中国市场GaN及SiC电力电子器件运用(2019),数据来源:CASA,36氪制图
碳化硅(SiC)具有事情温度更高、开关和导通损耗更低的特性,适宜太阳能逆变器、工业电源以及新能源汽车主控电路。
而氮化镓(GaN)由于其高电子迁移率和高电子饱和速率特性,适宜高速和高功率元件,比较范例的运用处景是下一代无线通讯系统。
1. 碳化硅(SiC)
详细来说,碳化硅(SiC)可作为衬底紧张运用在功率半导体与射频半导体领域,而由导电型碳化硅衬底制成的功率半导体器件包括:结势垒肖特基功率二极管(JBS)、PiN功率二极管和稠浊PiN肖特基二极管(MPS);金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)、双极型晶体管(BJT)、结型场效应晶体管(JFET)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)和门极可关断晶闸管(GTO)等,能够运用于电子电气领域中新能源汽车、光伏发电等方面。
目前特斯拉、比亚迪等车企已经开始将SiC运用于其新能源汽车的主控电路中。
芯谋研究院剖析师钟宇飞表示,受限于硅的客不雅观物理属性,硅基IGBT的潜力相对有限,可以预见到未来将会有更多的新能源汽车采取SiC芯片。
而由半绝缘型衬底制成的射频半导体器件包括射频开关、LNA、功率放大器、滤波器等,可广泛运用于5G通讯、卫星、雷达等领域。
2. 氮化镓(GaN)
在氮化镓(GaN)领域,由于该材料成长速率慢,反应副产物多,生产工艺繁芜,大尺寸单晶成长困难,目前氮化镓单晶成长尺寸在2英寸和4英寸,一样平常不作为衬底材料,而是采取异质外延技能成长GaN-on-SiC器件、GaN-on-Si器件以及蓝宝石基氮化镓外延器件等。
在器件及运用方面,首先,GaN-on-SiC器件、GaN-on-Si器件可作为微波射频器件,运用于5G 通信、雷达预警、卫星通讯等方面。
此外,GaN宽带隙功率晶体管可以在高压和高开关频率条件下供应高功率效率,使其能够运用于智能电网、高速轨道交通、新能源汽车、消费电子等电力电子方向,其性能远远超过硅MOSFET产品。
比如,小米、华为、OPPO等手机企业所推出的60W、65W,乃至100W、120W快充技能,正是基于GaN材料打造的。
SiC的性能使其在高于1200V的高电压、大功率运用上颇具上风,而GaN功率器件更适宜40-1200V的高频运用,尤其是在600V/3KW以下的运用处所。
末了,基于硅衬底GaN还可制造蓝光LED和白光LED,GaN因其材料的高频特性是制备紫外光器件的良好材料,可运用在包括灭火抑爆系统、紫外制导、紫外通信等在内的军事领域,以及火焰探测、电晕放电检测、医学监测诊断等在内的民用领域。GaN基紫外激光器在紫外固化、紫外杀菌等领域也是当前国际上的研究热点。
3. 其他种类
除SiC、GaN外,第三代半导体还包括浩瀚其他材料,包括III族氮化物(AlN、InGaN、InAlN、AlGaN、AlInGaN等)、氧化物半导体(包括ZnO, CaTiO3, IGZO, β-Ga2O3 ,TiO2)以及金刚石半导体等。
对付氮化物半导体材料而言,AlGaN多用于紫外发光二极管,具有热导率高、电阻率大、紫外光透过率高、击穿场强高、抗辐射能力强等优点,能够运用在高温、高频、抗辐射及大功率器件等方面,而InGaN则能够运用在LED和LD等行业。
对付氧化物半导体材料而言,其氧化锌(ZnO)、氧化镓(Ga2O3)、钙钛矿(CaTio3)等化合物普遍具有相对较大禁带宽度、较大激子结合能,可用于光电器件和功率电子器件以及激光器件的制造。
值得一提的是,ZnO是发展短波长光电子器件的优选材料,而β-Ga2O3尤为适用于大功率高亮度发光器件。此外,钙钛矿金属氧化物和钙钛矿卤化物也可分别用于微纳光电子器件及太阳能电池方面。
末了,金刚石半导体室温禁带宽度约为5.47eV,为所有元素半导体材料中带隙最宽的材料,其半导体器件能够在高频、高功率、高电压,以及强辐射等十分恶劣的环境中运行,并且从紫外光到红远外光很宽的波长范围内具有很高的光谱透射性能,是大功率红外激光器和探测器的光学窗口材料。
近年来,由于金刚石掺杂的打破,各种金刚石器件包括深紫外光发光二极管、深紫外探测器、生物传感器、高压大电流肖特基二极管、高频高功率场效应晶体管等也不断研制成功。
二、美国一家独大,国产快速崛起,2025迎来家当爆发
由于第三代半导体仍是个新兴技能,环球市场处于初期阶段,欧美、日本等由于家当起步较早,发展较为成熟,近年来还不断扩大产能,推动家当链协同,目前仍霸占着家当紧张话语权。
第三代半导体家当链紧张包含衬底、外延材料、器件设计、制造、模块和运用这几个环节。
芯谋研究院剖析师钟宇飞认为,从衬底来看,目前我国与国际领先水平差距较大,普遍在3年以上;
外延与器件设计方面,由于技能相对大略,门槛不高,目前国内外差距较小;
而器件制造则是另一个差距较大的方面,国外由于发展较早,在制造的过程中累积了大量的家当know-how,其产品拥有较高的良率和可靠性。海内企业想遇上国外水平,也必须进行大量试错,“把所有的坑都踩一遍”,前期投入会非常大。
钟宇飞见告36氪,总体而言,第三代半导体只在全体半导体家傍边霸占极小的一部分份额,国内外的差距不像硅基器件那样明显。只要加大投入,还是存在追上的可能。
上文提到,由于GaN成长速率慢、工艺繁芜,难以作为衬底材料运用,而是须要以蓝宝石、硅、SiC作为衬底,通过外延成长制造器件。
在GaN领域,海内相对领先的企业有英诺赛科,苏州能讯等。根据Yole数据,GaN射频环球市场在2018年为6.45亿美元,估量2024年达到约 20亿美元;在GaN电源市场方面,受消费者快速充电器运用推动,到2024 年环球市场规模将超过3.5亿美元。
在碳化硅(SiC)领域,由于技能壁垒较高,须要企业拥有8-10年的技能沉淀和积累,目前环球呈现美国、日本两家独大的家当格局。
根据Yole数据,2018年,美国厂商占环球SiC晶片市场占比超过70%,个中Cree一家占比就超过62%,II-VI占比16%。加上日本罗姆(Rohm)旗下的Si-Crystal后,日美企业的环球市场份额达到90%,剩余份额大部分被欧洲与其他SiC企业霸占。中国厂商在个中占比较小,表现较为优胜的天科合达和山东天岳占比分别为1.7%和0.5%。
而在器件及模组的供应商中,Cree、Rohm、德国英飞凌及意法半导体合计在2018年霸占了超过70%的市场份额。
此外,国外厂商正通过并购或积极扩充产能的办法,争取完成「晶圆-器件-模块」的百口当链的全布局,如英飞凌2018年收购Sitectra并与美国Cree签署长期供货协议,意法半导体2019年收购NorstelAB并与Cree签署长期供货协议,Cree 2019年注资10亿美元扩产8英寸碳化硅工厂等。
不过,王曦补充道,近年来海内SiC家当正在快速崛起,一批精良企业正逐步节制2-6英寸碳化硅晶片的制造工艺,已将我国与发达国家的技能差距缩小至大概3-5年。
目前美国Cree、II-VI、罗姆、意法半导体均已经量产6英寸碳化硅晶片,海内企业中,天科合达、山东天岳、同光晶体等公司也完成了6英寸导电性碳化硅衬底的研发。
SiC外延片方面,厦门瀚每天成与东莞天域生产3英寸~6英寸SiC外延片。
SiC器件IDM方面,中电科55所是海内少数从4-6寸碳化硅外延成长、芯片设计与制造、模块封装领域实现百口当链的企业单位。而泰科天润已经量产SiC SBD,产品涵盖600V/5A~50A、1200V/5A~50A和1700V/10A系列。深圳基本半导体则拥有3D SiC技能,推出了1200V SiC MOSFET产品。
SiC器件Fabless设计企业方面,上海瞻芯电子于2018年5月成功地在一条成熟量产的6英寸工艺生产线上完成SiC MOSFET的制造流程。代工方面,三安光电旗下的三安集成于2018年12月公布商业版本的6英寸碳SiC晶圆制造流程,并将其加入到代工组合当中。
值得一提的是,近年来,SiC晶片作为衬底材料的运用正在逐步走向成熟,本钱呈现明显低落趋势,具备了大规模家当化运用的根本。
同光晶体董事长兼总经理见告36氪,当前一块SiC单晶衬底的本钱约为相同规格Si基板的5倍。高昂的价格是家当爆发的制约成分之一。然而,随着海内生产技能不断优化、质量品控不断提升,估量在2025年SiC单晶衬底本钱便会降至Si基板的2倍,届时在海内市场将迎来第三代半导体材料运用爆发。
SiC下贱运用复合增长率(2017-2023),数据来源:Yole,36氪制图
三、行业阵营外洋巨子
1)美国Cree
公司成立于1987年,是环球最大的SiC和GaN器件制造商,当前公司市值为108亿美元。主营功率SiC和射频GaN两方面业务,出售衬底、外延片、功率或射频器件产品,并且供应GaN射频器件的代工业务,基本席卷了第三代半导体的所有环节。公司从材料到器件,全方位布局,产品运用于新能源汽车、光伏发电、5G通讯、卫星、雷达等领域。
2)美国II-VI
公司成立于1971年,紧张致力于SiC基底上成长GaN外延,是天下领先的碳化硅衬底供应商,能够供应4至6英寸导电型和半绝缘型晶片,并已成功研制8英寸导电型碳化硅晶片。2018年,公司占SiC晶片市场16%的份额,当前公司市值为71亿美元。
3)德国英飞凌(Infineon)
公司成立于1999年,是市场上唯一一家供应覆盖Si、SiC和GaN等材料的全系列功率产品的公司,拥有第七代CoolMOS、基于第三代宽禁带半导体的高性能CoolSiC与CoolGaN、以及支持更高频率运用的第六代OptiMOS等产品组合。英飞凌的产品紧张是车规级功率半导体,为大众、奥迪和奔驰等车企供应半导体器件。根据IHS Markit最新数据,英飞凌在环球IGBT市场市占率达34.5%。
4)意法半导体
公司于1987年景立,是由意大利的SGS微电子公司和法国Thomson半导体公司合并而成,目前公司总市值为342亿美元。公司承担6英寸碳化硅衬底和外延片生产业务、研发6英寸碳化硅衬底和外延片以及更广泛的宽禁带材料,公司产品运用于工业及汽车等领域。公司2018年占SiC晶片市场0.5%的份额,在元器件市场霸占率超过50%。为特斯拉、比亚迪等车企供应功率半导体器件。
5)日本罗姆(Rohm)
公司于1958年出身于日本,致力于SiC肖特基二极管和MOSFET生产,2009年,罗姆收购了SiC晶圆供应商SiCrystal,2012年批量生产全SiC模块,2015年率先推出沟槽型的SiC MOSFET,2017年交付6英寸SBD。目前已形成了SiC衬底-外延-器件-模块垂直供应的体系。2018年公司占环球SiC晶片市场12%的份额。公司产品紧张运用于电动汽车等领域,供应给当代和雷诺等汽车厂商。
6)法国Soitec
公司成立于1997年,其Smart CutTM剥离技能,可将晶体材料中的超薄单晶硅层从供体衬底转移到其他衬底上,公司目前已逐渐成为环球最大的优化衬底供应商,正在将产品线从硅延伸到了GaN等领域,用于下一代5G产品的射频过滤器。
海内巨子
1)天科合达
公司成立于2006年,是海内成立韶光最早、规模最大的碳化硅晶片制造商之一。去年10月份撤销了上市申请,于今年三月份完成2.5亿公民币股权转让融资。天科合达聚焦第三代半导体碳化硅材料领域,主营业务是生产第三代半导体碳化硅晶片。目前,已经节制6英寸碳化硅晶片的制造技能,并成功实现批量供应。公司客户包括三安集成、中电化合物、东莞天域等。
根据Yole数据,2018年天科合达导电型晶片的环球市场霸占率为 1.7%,排名环球第六、海内第一。 2017-2019年公司收入由0.24亿增长至1.55亿元,两年复合增长率154%。
2)山东天岳
公司成立于2010年,目前该公司科创板IPO申请已得到受理,拟召募资金20亿元。公司产品紧张在半绝缘型的SiC片。产品可广泛运用于电力电子、微波电子、光电子等领域,已经成功出口日本、韩国、台湾、俄罗斯、瑞典、德国、澳大利亚等国家和地区的外延/器件厂商以及科研院校。
根据Yole数据,2018年山东天岳导电型晶片的环球市场霸占率为 0.5%,排名海内第二。公司收入从2018年收入1.1亿旁边增加至2019年超过2.5亿总收入,同比增长100%以上。
3)三安集成
三安集成为三安光电集团全资子公司,于2000年在厦门成立,总投资额30亿元。三安集成电路第三代半导体SiC/GaN全布局,是涵盖微波射频、高功率电力电子、光通讯等领域的化合物半导系统编制造平台;具备衬底材料、外延成长、以及芯片制造的家当整合能力,拥有大规模、前辈制程能力的MOCVD外延成长制造线,并拥有砷化镓和氮化镓外延片生产线,以及适用于专业通讯微电子器件市场的砷化镓高速半导体芯片与氮化镓高功率半导体芯片生产线。公司去年年营收3.75亿元,产品包括绿能节能器件以及SiC电力电子器件,将紧张运用于电动汽车、PFC电源、储能、充电桩、轨道交通、智能电网等领域,客户累计近100家。
4)比亚迪半导体
比亚迪半导体成立于2004年,以IGBT和SiC为核心,拥有IDM功率半导体家当,包括芯片设计、晶圆制造、模块封装测试以及整车运用。比亚迪已研发出SiC MOSFET,比亚迪汉EV四驱版正是海内首款批量搭载Sic MOSFET组件的车型。2020年12月,比亚迪半导体产品总监杨钦耀就表示,比亚迪正在方案自建SiC产线,估量到2021年有自己的产线。产品运用于汽车领域。
5)扬杰科技
公司于2000年在江苏扬州成立,目前市值是263亿公民币,去年年营收额为26.2亿公民币。是海内少数集半导体分立器件芯片设计制造、器件封装测试、终端发卖与做事等家当链垂直一体化(IDM)的精彩厂商。属于传统功率器件切入SiC领域,产品线涵盖分立器件芯片、整流器件、保护器件、小旗子暗记、MOSFET、功率模块、碳化硅等,为客户供应一揽子产品办理方案。产品涉及电源、家电、照明、安防、网通、消费电子、新能源、工控、汽车电子等多个领域。公司外销额占比近三成,外洋收入紧张来自日本、韩国、东南亚、美国、欧洲。
6)华润微
公司成立于1989年,公司产品聚焦于功率半导体、智能传感器领域,为客户供应系列化的半导体产品与做事。公司实现海内首条量产的6英寸SiC晶圆生产线。第二代SiC肖特基二极管的产品设计和工艺开拓已完成,样品已经产出。公司去年营收超69亿公民币,产品可运用于太阳能逆变器、通讯电源、做事器、储能设备等领域。公司目前持有厦门瀚每天成3.2418%的股权。
7)露笑科技
公司成立于1989年,总市值约为220亿公民币,公司传统业务为光伏发电、漆包线和机电设备。对付碳化硅业务,公司SiC长晶设备已经开始对外供货,估量2020-2022年公司碳化硅业务的收入紧张由碳化硅长晶炉发卖贡献。露笑科技基于蓝宝石技能储备,已打破碳化硅工艺壁垒,在蓝宝石根本上布局碳化硅长晶炉和晶片生产。公司与国宏中宇,中科钢研等企业签订碳化硅长晶炉发卖条约。
8)斯达半导
公司成立于2005年,是一所长期从事功率半导体芯片和模块尤其是IGBT芯片和模块研发、生产和发卖做事的国家级高新技能企业。公司97.5%的收入均是IGBT,是功率半导体已上市公司中最纯洁的IGBT标的,2019年 IGBT模块环球市占率2%,排名环球第八;当前总市值为443亿元公民币,去年年营收为9.6亿元。公司产品涵盖打算机、网络通信、消费电子、汽车电子、工业掌握等领域。公司在未来将重点攻关SiC、GaN等前沿功率半导体产品的研发、设计及规模化生产,公司和宇通客车等客户互助研发SiC车用模块。
初创企业
1)泰科天润
公司于2011年在北京成立,目前已完成3亿元的D轮融资。公司产品为碳化硅功率器件,包含各种封装形式的碳化硅肖特基二极管、碳化硅MOSFET和碳化硅模块。产品紧张运用于消费电子、电动汽车、电气、光伏、LED照明等领域。
2)同光晶体
公司成立于2012年,已完成数亿元D轮融资。公司主营业务包括第三代半导体材料SiC(碳化硅)单晶衬底研发、制备以及发卖,运用于新能源汽车、光伏发电、5G通讯、卫星、雷达等方面。公司正与来自德国、日本的工业巨子进行产品验证、需求对接方面的互助。
3)基本半导体
公司2016年景立于深圳,其业务包括对碳化硅器件的材料制备、芯片设计、制造工艺、封装测试、驱动运用等各方面进行研发,覆盖家当链各个环节。产品可运用于电动汽车、轨道交通、光伏逆变器、UPS电源、智能电网等多个方面。目前已完成数亿元B轮融资,由闻泰科技领投。
4)翰每天成
公司于2011年在福建厦门成立,目前已获900万元的B轮融资。公司紧张研发、生产、发卖碳化硅半导体外延晶片,是中国第一家供应家当化3英寸、4英寸和6英寸碳化硅半导体外延晶片的生产商。产品运用于电力电子功率器件、运用于轨道交通领域,与株洲中车时期电气之间有着互助关系。
5)东莞天域
2009年景立的东莞天域紧张从事碳化硅 (SiC) 外延晶片市场营销、研发和制造;为环球客户供应 n-型 和 p-型 掺杂外延材料、制作肖特基二极管、JFETs、BJTs、MOSFETs,GTOs 和 IGBTs等。
6)天狼芯
深圳天狼芯于2020年景立,得到数千万公民币A轮融资。公司专注于高性能国产功率半导体芯片设计,其紧张产品有基于第三代半导体材料GaN系列和SiC系列的宽禁带功率器件,以及IGBT等,可以广泛利用在工业、4C、航空航天、国防军工等传统家当领域,以及轨道交通、新能源、智能电网、新能源汽车等计策性新兴家当领域。
7)西安晟光硅研
公司成立于2021年2月的晟光硅研,主营业务为半导体材料及专用设备的研发和发卖,紧张产品包括环绕第三代半导体晶圆材料的滚圆、切片、划片等设备,目前已经宣告完成计策融资。
8)无锡利普思半导体
公司成立于2019年11月,从事功率半导体模块的封装设计、生产和发卖。公司紧张产品是运用于新能源汽车、充电桩、工业电机驱动、光伏逆变、医疗东西等场景的IGBT模块和SiC模块,已经完成4000万元Pre-A轮融资。
9)忱芯科技
公司成立于2021年1月,紧张为终端客户供应包括碳化硅功率半导体模块、驱动电路和碳化硅电力电子系统运用做事在内完全的“模块+”定制化运用办理方案,目前已完成数千万元公民币天使轮融资。
10)禹创半导体
公司成立于2018年年底,专注于显示驱动IC、电源管理IC两个领域的产品研发及发卖,公司的多款电源管理IC和LCD、OLED驱动产品已经实现量产,出货量达到2000千万颗,2020年营收已达数千万元。此外,公司Micro/Mini LED、AMOLED驱动IC以及氮化镓电源管理芯片的研发正在积极推动中,已得到数千万元A+轮融资。
11)铭镓半导体
公司成立于2020年,是海内专业从事氧化镓材料及其功率器件家当化的高新企业。紧张专注于新型超宽禁带半导体材料氧化镓的高质量单晶与外延衬底、高灵敏度日盲紫外探测器件和高比年夜功率器件等家当化高新技能的研发,目前已实现2寸氧化镓衬底材料量产。公司今年8月宣告完成数千万元Pre-A轮融资,本轮融资由洪泰基金领投,分享投资、图灵创投跟投。
12)氮矽科技
公司于2019年4月成立,团队采取分离式的技能路线开拓海内首款高速氮化镓栅极驱动芯片及氮化镓晶体管,操持年底从快充市场切入后,逐渐扩展到其他运用处景。目前驱动及晶体管产品已完成流片、封装及运用搭建,正在进行客户导入。今年7月,公司宣告得到千万级天使轮融资,由率然投资领投,鼎青投资跟投;8月宣告完成千万级Pre-A轮融资,由老股东鼎青投资追投。
三、机遇与寻衅
学术界和家当界很早认识到SiC和GaN等第三代半导体材料的优点,但是由于制造设备、制造工艺与本钱方面的制约,此前多年来只是在小范围内得到运用,难以寻衅Si基器件的统治地位。
第三代半导体在技能方面碰着的寻衅包括:
除了上文提到的GaN材料成长速率慢、工艺繁芜等寻衅外,SiC单晶中也存在毛病密度从而影响功率半导体器件成品率的问题。
只管更大尺寸的单晶衬底有利于提升器件的性能,但单晶衬底尺寸从4英寸到6英寸到8英寸的演化过程面临毛病增多、衬底尺寸稳定性变差等问题,因此当前面临着如何从结晶学和动力学的角度进一步降落衬底单晶毛病,从而使得批量生产大尺寸单晶衬底成为可能。
其次,采取物理气相沉积法进行单晶成长的过程中,对付一些工艺参数如籽晶托、坩埚侧壁、轴向温度梯度等成分导致的热应力对毛病密度的影响还不尽理解。
此外,现如今碳化硅衬底的抛光方法仍旧存在损伤大、效率低、有污染等问题,须要进一步优化抛光技能。
而在家当方面,第三代半导体碰着的寻衅则包括:闇练工人数量和质量、对半导体的理解,质量品控等行业积累。
目前,我国在第三代半导体领域的人才积累依旧薄弱——这也是我国半导体家当的整体弱势之一——但目前我国已经加快了产学研的干系投入,将集成电路上升为一级学科,不断缩小差距。
此外,与传统的硅(Si)比较,当前第三代半导体材料的本钱依旧较高,如一块SiC单晶衬底的本钱约为相同规格Si基板的5倍。不过随着技能的不断发展,2025年这一本钱将有望降至2倍。
当前「国产替代」的大潮与新能源汽车、5G通讯、光伏发电、消费电子等新兴领域的发达发展对第三代半导体家当形成了双重利好,针对第三代半导体的家当投资金额也逐年提升。根据CASA统计,2019年该领域投资金额共计265.8亿元,同比上升54.53%,个中SiC项目金额220.8亿元,占比高达83.07%,GaN项目金额45亿元。
根据IHS Markit数据,在新能源汽车、消费电子等领域弘大需求的驱动下,估量到2027年SiC功率器件的市场规模将超过100亿美元,碳化硅衬底的市场需求也将大幅增长。
而根据Yole数据,2018年和2024年氮化镓射频器件市场规模分别约为6亿美金和20亿美金,复合增速为20.76%。
2024年中国第三代半导体市场规模将达到约61.3亿元公民币,复合增长率将达约38.2%。
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(36氪Aaron对本文亦有贡献)