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国产硅光芯片的厚积薄发_芯片_模块

萌界大人物 2024-12-07 12:07:29 0

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硅光技能成为了众人期待的能够延续摩尔定律的技能之一。
作为一种新型技能,硅光芯片的发展已经跨过了抽芽期,目前我国硅光芯片进展如何?

01

硅光技能逐步利用

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要聊硅光芯片,首先理解一下这个新兴的技能。
据北京邮电大学教授、博士生导师李培刚阐明,硅光芯片制造技能是基于硅和硅基衬底材料,利用互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺进行光器件开拓和集成的技能,其结合了集成电路技能超大规模、超高精度制造的特性和光子技能超高速率、超低功耗的上风。

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(图片来自网络侵删)

为什么开始探索硅光芯片?

一方面,如前文所述,硅光芯片极有可能成为打破摩尔定律瓶颈的技能。
一样平常来讲,硅材料适宜大规模的集成,其事情温度宽、散热性能好、性能稳定,有致密的氧化物钝化层。
而硅集光电子集成芯片的兴起,可以利用成熟的硅工艺,其晶圆尺寸大、单颗芯片本钱低;制程线宽小,直接进入130nm/90nm/45nm。
因此,硅光芯片可以利用成熟的硅半导体代工供应链,与CMOS、SiGe等家当共享产能。

另一方面,硅光芯片的“超低功耗”,能够使得在能耗日益增加的时期,减少电力花费。
举一个例子,现在纵然是在消费设备层面,数据速率也开始超过传统互连技能的能力。
比如,最新高清电视的非凡像素密度和高帧速率使传统的铜质HDMI电缆变得越来越无效。
纵然在家庭娱乐系统中相对较短的间隔内,此类电缆的旗子暗记衰减程度也很严重。

这里的核心问题是,传统的电子数据系统须要对电线进行充电和放电,以便将一点数据从A点发送到B点。
纵然在CPU和RAM芯片内部的微不雅观电线中,这种充电-放电周期须要精力和韶光。

美国斯坦福大学运用物理学家和电气工程师大卫·米勒也曾指出,信息处理中利用的大部分能量都用于通信,而不是逻辑。
纵然在栅极级,能量耗散的紧张驱出发分是充电和放电的导线的电容,每微米导线的电容约为200阿托法拉(10–18F)。
在数据中央层面,最大的做事器群可能花费全体发电厂的电力。
如果将电缆和开关配置为利用光子而不是电子进行通信,那么个中许多问题都将得到显著缓解。

虽然硅光芯片在器件性能、集成度还是运用方面都有了浩瀚打破性进展,但至今仍有很多主流光模块厂商依然采取光电器件分立封装的形式,紧张缘故原由是受限于硅材料本身的光电性子。
例如,硅材料间接带隙的能带构造使得它无法实现高效率的片上光源,线性光电效应(Pockels效应)限定了调制器的速率。

以是,如果要实现真正意义上大规模光电集成芯片的家当运用,须要依托硅材料与不同种类光电材料的异质集成,以充分发挥各种材料的精良特性。
个中包括磷化铟(InP)(激光器和其他可在光纤上推动光子的技能的黄金标准)和硅锗(SiGe)(广泛用于高速稠浊旗子暗记电子器件中,使光受到掌握)。

02

硅光芯片的进程

硅光子技能最早在1969年由贝尔实验室提出,环球硅光子技能历经50多年景长,已进入家当化。
欧美一批传统集成电路和光电巨子通过并购迅速进入硅光子领域抢占高地。

2004年,英特尔研制出第一款1Gb/s速率的硅光调制器之后,人们才看到硅芯片中“光进铜退”的可能性。
其后,在IBM、康奈尔大学、贝尔实验室、MIT等单位共同推动下,硅光芯片事情速率在2013年旁边达到了50Gb/s,首次超越当时主流的光电子器件,硅光芯片的家当化大幕就此揭开。

之后,硅光技能持续演进,光模块朝着提升波特率一贯迈进。
从10Gb/s、25Gb/s、50Gb/s、100Gb/s、400Gb/s。
2016年英特尔利用片上键合异质集成技能已开拓出100Gbps4通道硅光模块,至2021年已实现500万颗以上模块的发卖。

2020年不少企业纷纭研发出不同类型的400G光模块,海思更是发布了《400G全场景光模块白皮书》,磋商400G光模块运用处景。

2022年是800G光模块的启动年,各大厂商纷纭布局800G光模块的“研发-量产”之路。
海内的华工科技也在2022年推出运用于超大规模云数据中央领域、高速率可插拔800G OSFP DR8 SiPh光模块。

整体而言,目前100Gb/s硅光模块已成熟运用,400Gb/s硅光模块正在进入规模化商用阶段,800Gb/s硅光模块已研制成功,下一步将向着1.6Tb/s发展。

03

光模块和光芯片国产化率差异

光模块中最核心的部分是光芯片,激光器芯片和探测器芯片合称为光通信芯片,激光器芯片技能壁垒较高,依照构造不同又可分为VCSEL、FP、DFB、EML平分歧种类。
光通信芯片在中端和高端光模块本钱中占比超过50%。

目前,海内光模块和光芯片国产化率涌现了明显的差异。
根据Lightcounting和ICC的数据,2022年环球光模块份额前十的厂商中有7家中国厂商,分别为中际旭创(排名并列第1)、华为(排名第4)、光迅科技(排名第5)、海信宽带(排名第6)、新易盛(排名第7)、华工正源(排名第8)、索尔思光电(排名第10)。

而25G光芯片的国产化率为20%,25G以上光芯片的国产化率仅5%。
也便是说,只管我国光模块厂商发展势头良好,但绝大多数模块厂商并不具备光芯片研发自给能力,须要入口采购,依赖外部互助或者外洋光芯片供应商的长期供应。

例如剑桥科技光芯片就长期依赖美国光学巨子Lumentum供应。
在今年回答投资者提问时,表示:“硅光芯片有几个渠道,最深度互助的便是思科,这是长期的互助。
最近也投资了南通赛勒公司,公司还在评估北美其余一家。

目前海内做光芯片的企业包括源杰科技,仕佳光子和长华光芯。
首先来看源杰科技,其以IDM模式深耕光芯片,紧张产品包括2.5G、10G和25G及更高速率激光器芯片。
在今年的古迹发布会上,源杰科技表示面向800G等高速光模块,公司有对应的100G光芯片产品。
目前,100G产品研发进展比较顺利,紧张的核心工艺难点、设计难点已经实现了打破,目前在和客户对标送样准备中。

再来看仕佳光子,凭借在PLC和AWG光芯片的打破成为海内无源光芯片领导者,是环球最大PLC分路器芯片制造商,环球市占率第一,达到53.92%。
2023上半年,仕佳光子重点对400G/800G光模块用AWG、平行光组件、连续波高功率激光器等芯片及组件,相关通讯用超宽带密集波分复用AWG等关键技能持续攻坚,现已实现客户验证及小批量出货。

末了看长华光芯。
长光华芯在2014年就开始了VCSEL的工艺研发(3英寸),2017年开始培植6英寸量产线,相称于是硅基半导体的12英寸量产线。

目前,长光华芯已拥有2英寸、3英寸、6英寸三大半导体激光芯片晶圆垂直整合生产线,拥有边发射激光芯片(EEL)和面发射激光芯片(VCSEL)两大产品构造,GaN(氮化镓)、GaAs(砷化镓)和InP(磷化铟)三大材料体系。

今年5月,长华光芯发布了单波100Gbps(56Gbaud四电平脉冲幅度调制(PAM4))电接管调制器激光二极管(EML)芯片,支持四个波长的粗波分复用(CWDM),达到了利用4颗芯片实现400Gbps传输速率,或8颗芯片实现800Gbps传输速率的运用目标,产品可用于400G/800G超算数据中央互连光模块。

光模块厂商方面,光迅科技、华为海思、海信宽带、华工正源等也是具备光芯片研发和生产能力。

光迅科技是海内唯一量产10G以下DFB、APD芯片的厂,也是海内唯一具备自主研发全系列PLC芯片并规模生产的厂商。
光迅科技有能力出货8000万芯片/年。

海思光电目前在100GE~400GE数据中央网络光芯片均有产品,在2020年时,面向数据中央400G光模块紧张包括400GE-SR8、400GE-DR4/DR4+和400GE-FR4三种。

华工正源自2001年景立,紧张研究包括光芯片、光模块、光组件、智能终端等,其市场规模位居环球光电器件厂商TOP8。
2021年Q1,实现400G全系列数通光模块批量交付、自研400G硅光芯片实现量产;2022年Q3,实现800G全系列发布。

值得把稳的是,光模块已经开启了800G时期。
行业有名调研机构LC预测,估量2024年,800G光模块将超过400G光模块的发卖额,市场容量达70亿美元。

2010年旁边,100G的交流芯片涌现,2016年100G交流机开始规模支配。
2017年首款400G交流芯片Tomahawk3送样,2020年200G和400G光模块开始规模支配。
博通于2022年8月推出Tomahawk5交流芯片,标志着800G光模块规模支配的先决条件逐步具备。

今年,随着外洋AI数据中央的交流机互联速率逐步由400G向800G升级,在数据中央间(DCI)、叶交流机和脊交流机上已开始利用800G光模块。

目前,国际上仅少数公司实现了400G-800Gb/s硅光芯片的商用,这方面中海内产商走在了前列。
2020年,光迅科技和中际旭创率先发布了800G干系产品。

中际旭创在今年透露,公司重点客户明年对800G光模块需求较今年将达成几倍的增长,公司对干系产品的扩产将一贯会持续到明年上半年;剑桥科技表示,客户目前已经开始接管800G硅光光模块产品送样并且有小批量发货;华工科技400G硅光芯片已开始量产,800G硅光芯片也具备了小批量生产能力。

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