研究双口RAM_暗记_端口

在FPGA设计过程中，利用好双口RAM，也是提高效率的一种方法。

官方将双口RAM分为大略双口RAM和真双口RAM。

大略双口RAM只有一个写端口，一个读端口。

真双口RAM分别有两个写端口和两个读端口。

无论是大略双口RAM还是真双口RAM，在没有读操作的情形下，应将读使能rden旗子暗记拉成低电平，节省功耗。

在两种情形下，都应该避免read-during-write，虽然可在软件中进行设置，但是，作为设计者，应该只管即便避免此种情形。

对付真双口RAM，还应该避免两个读端口或者两个写端口同时操作同一个地址，RAM中并没有此种冲突办理电路，设计者该当避免这种冲突。

无论是那种双口RAM，读时序图是相同的。

当读使能有效时，数据会在时钟下一个上升沿从Q端输出。

真双口RAM给设计带来很多便利。
在高速存储中，须要对连续的数据同时处理，利用大略双口RAM只能读取一个数据，而利用真双口RAM可以同时读取两个数据，这样明显提高读取速率以及处理速率。

调用真双口RAM，如图设置。

这里可以设置时钟方案，而读使能rden并非必须旗子暗记。
当利用rden旗子暗记时，此旗子暗记高电平有效，当不该用rden旗子暗记时，给定地址，下一个脉冲数据从q端口送出。

这里的设置非常主要，当选中read output ports时，q端会增加一级寄存器。
虽然这样增加流水线能够提高电路的速率，但同时从读使能有效到终极数据有效将会多延迟一个时钟周期。
在设计中要格外把稳。
根据设计自行设置。

上面两张图是指定对同一地址操作时的输出。
作为设计者，应只管即便在自己的设计中避免这种情形发生。

真双口RAM用好了是非常省韶光的。
之前我们文章中提到硬件FFT的实现，在实现过程中，利用基2的设计方案，须要同时读取两个RAM数据，这种情形下可以利用真双口RAM提高效率。

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作者：卿萃科技ALIFPGA

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