由于硅原子是有大小的，纳米工艺不可能比硅原子还小吧，以是纳米工艺一定有物理极限，很多人都以为，这个极限可能在1nm。
但事实上，真的如此么？不是的，就算按照每一代比上一代缩小30%的话。
3nm后是2nm，再是1.4nm，再是1nm，0.7nm，0.5nm……
要知道硅原子的直径大约是0.22nm，以是就算按极限来讲，比一个硅原子大就行了，那么在0.5nm，之后，还有0.3nm……
事实上，按照ASML光刻机的方案路径，在2037年的时候，就会实现0.2nm的工工艺，在2039年之后，要实现比0.2nm更小的芯片工艺。
如下图大家就看到，未来15年，ASML都认为工艺会一贯进步，不存在极限。
估计很多人又有疑问了，这么小的工艺，乃至比一颗原子还小，这芯片是怎么刻出来的？不应该啊。
事实上，这里就牵扯到其余一个问题了，那便是当前的纳米工艺，代表的并不是某一项特定的指标，比如晶体管大小，栅极宽度，金属半间距等等。
大家一定要有一个认知，那便是XX纳米，代表的也不是晶体管便是XX纳米之类的……
事实上，在ASML看来，XX纳米并不主要，主要的是金属半间距，也便是晶体管之间的导线间隔，太短了会被电流击穿的，由于晶体管之间是要通电的，通过断、通电来进行打算。
这个才是光刻机最为关注的指标，只要这个间隔是可以刻录的，那么就行了。
这个金属半间距，实际上和XX纳米比拟，是天差地别的。大家连续看上图，能够看到A10工艺，也便是1nm时，这个间距是18nn。
ASML认为，哪怕芯片达到0.2nm时，这个间距还有16-12nm，以是0.2nm的芯片是一定会有的，后续0.2nm之后，还会有N代。
可以说，摩尔定律一定会连续，不会停滞不提高了，按照这种逻辑，芯片工艺几十年内都不会达到极限，会一贯进步。
之前有很多人表示，目前的芯片工艺达到极限了，那么台积电、三星们就会在前面等着我们，我们虽然在后面，但只要台积电、三星停下来了，我们就有机会追得上。
实在还真不是这样的，由于这堵墙，并不存在，台积电们还在往前走。
更主要的，就算真的达到极限了，对方可能会换个方向，研究其它材料去了，基于之前的技能、能力、资金等上风，对方一样可能起步更快，速率更快。
以是对付我们而言，不是期待对方碰着墙了，跨不过去了，不得一直下来等等我们，而是费尽心机跑快一点，这样才能尽快的、真正的追上去，你以为呢？
