Intel联合镁光为移动设备推3D闪存芯片_闪存_镁光

相对付笔电动辄上T的存储空间，移动设备上的ROM规格对付越来越大的资源空间需求来说却增长缓慢，而且由于系统占用，32GB ROM的机型常日得手只剩20多GB；面对这样的状况，Intel最近表示将联合镁光推出3D堆叠技能的NAND闪存芯片。

Intel联合镁光为移动设备推3D闪存芯片

镁光与Intel希望能够利用基于3D堆叠技能的芯片生产廉价、快速的闪存。
新的芯片理论年夜将可以用光降盆小体积的3.5TB闪存。
Intel表示，如今的高端条记本电脑可以供应1TB固态硬盘，但非常昂贵，更廉价的芯片可以帮助低端个人电脑利用快速闪存。

比较传统闪存，3D闪存将通过多层数更有效的利用空间，并且能够增加存取速率。
Intel和镁光科技公司将采取32层闪存堆叠技能。
两家公司将在周四供应首批样品，Intel与镁光估量今年晚些时候推出终极产品。