专利择要显示,本发明涉及一种高边NMOS驱动电路,包括开启电路,所述开启电路的电压端连接正电压,开启电路的输入端为掌握旗子暗记输入端,开启电路的输出端连接一自举电路的输入端,所述自举电路的输出端为掌握旗子暗记输出端用于输出掌握NMOS管的掌握旗子暗记,自举电路包括第三三极管、第二二极管、第三二极管,所述开启电路的输出端一起经第二二极管、第三二极管连接掌握旗子暗记输出端,另一起通过一调压电路经自举电路的第三三极管接地,所述第三三极管连接掌握旗子暗记输入端,所述调压电路包括串联连接的第四电阻、第五电阻,所述第四电阻与第五电阻的连接点与第二二极管与第三二极管的连接点之间设置第三电容。办理高边NMOS驱动电路构造繁芜、本钱高的问题。
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