专利择要显示,本实用新型公开了一种半导体封装构造、半导体功率模块和设备,半导体封装构造包括:基板、至少一个功率芯片、多个功率端子、至少一个驱动端子。基板包括间隔设置的漏极功率导电层和驱动导电层,功率芯片设于漏极功率导电层,功率芯片的漏极与漏极功率导电层电连接,功率芯片的驱动极与驱动导电层电连接,多个功率端子分别与功率芯片的源极和漏极功率导电层电连接,驱动端子与驱动导电层电连接,驱动端子和功率端子分别位于基板的不同侧。由此,以使在同样器件尺寸下可以增加功率端子的宽度,提高功率端子的通流能力,降落寄生电感对半导体封装构造事情的影响,可以有效降落驱动端子所在的驱动回路和功率端子所在的功率回路之间耦合互感的可能性,减小功率回路对驱动回路的滋扰。
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