红光Micro-LED尺寸越小 机能越稳定_衬底_侧壁

“Micro-LED显示的技能寻衅是如何得到高分辨率和高像素密度，”梁静秋先容，由于像素尺寸缩小，侧壁表面非辐射复合变大，引起光电效率低落。
器件制备过程中的ICP刻蚀，加重了侧壁毛病。

研究团队利用晶圆键合和衬底转移技能，研究了5种像素尺寸的硅衬底AlGaInP红光Micro-LED的尺寸效应。
通过采取低损伤刻蚀技能减小LED芯片侧壁毛病；通过采取散热性能更好的硅衬底代替砷化镓（GaAs）衬底，即改进了LED芯片的散热性，又避免GaAs衬底对红光的接管。

研究团队认为，该研究为办理Micro-LED全彩显示技能供应了新的技能方案。

干系论文信息：https://doi.org/10.1016/j.rinp.2022.10544