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芯片启动延时是指芯片的上电旗子暗记从输入到输出所需的韶光，普通的来讲便是芯片启动时输入波形与输出波形之间的韶光差。
那么启动延时受哪些成分影响？目前有三大影响成分：设计工艺、事情电压、环境温度、设计工艺。
·芯片设计时存在工艺偏差，比如扩散深度、掺杂浓度、刻蚀程度等，以是纵然是同一批芯片它的设计工艺也会存在一定的差异，从而使它的启动延时有所不同。
（图片来自网络侵删）
·事情电压：这个很好理解，芯片中的电压越大，芯片内部的电容充放电越快，电子管开关速率越快，延时则越小。当然这个电压的最大值不能超过芯片的保护电压、环境温度。
·根据逆温度依赖效应，在高电压下温度越高、延迟越大，但在低电压下温度越高、延迟越小。
下期我们会为大家带来常用的芯片启动延时的测试方法和步骤，敬请期待。
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