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专利择要显示,本申请的履行例供应了一种芯片、芯片堆叠构造、芯片封装构造以及电子设备,涉及半导体技能领域,该芯片中的过孔,例如可以是硅通孔(through silicon via,TSV)在通过互换旗子暗记时,产生的寄生电容较小,进而使得该芯片的旗子暗记传输性能提高。该芯片包括晶片;晶片中设置有过孔,过孔中设置有金属线路,在金属线路和晶片之间设置有第一介质层,晶片中还包括环抱过孔的第一隔离环,第一隔离环的介电常数小于第一介质层的材料的介电常数。
本文源自金融界

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