芯片MOS监工作事理_电压_衬底

除此之外，五端器件是在四端器件根本上，增加深阱工艺，将体端和衬底隔离，至此形成D、G、S、B和Substrate。
由于体端与衬底分开，在电路中可以针对体端施加不同电压，得到不同性能。
第一，增加隔离浸染；第二，体端电压和源泄电压不一致，可以通过体效应（Body Effect）来改进器件特性，比如在体端施加负值，可以增加阈值电压，降落Leakage电流；或者施加正值，降落阈值电压，减小漏功耗，增加事情电流，提高事情速率。
以上这条件是通过增加N阱工艺而得到的，本钱也增加。