长鑫存储取得存储器及存储器的读写方法专利能够避免MRAM在运用过程中随意马虎因为过大年夜的写入电流而毁损或退化_所述_电流

专利择要显示，该发明涉及一种存储器及存储器的读写方法，能够避免MRAM在利用过程中随意马虎由于过大的写入电流而毁损或退化，并具有较大的存储器集成密度。
所述存储器包括：存储单元，包括存储元件；源极线，电连接所述存储元件的第一端；所述存储器被配置为通过第一电流和第二电流改变所述存储元件的存储状态，所述第一电流流经所述存储元件，所述第二电流流经所述源极线，而不流经所述存储元件。

本文源自金融界