上海新阳取得酸性清洗液应用专利可以抑制半导体晶圆的损伤_酸性_所述

专利择要显示，本发明公开了一种酸性洗濯液的运用。
本发明的酸性洗濯液用于洗濯刻蚀灰化后的半导体芯片；所述的酸性洗濯液的质料包括下列质量分数的组分：0.1-4％有机胺、0.1-9％酸、氟化物、缓蚀剂、螯合剂、表面活性剂和水，水补足余量，各组分质量分数之和为100％；所述的表面活性剂为磺酸盐类阴离子表面活性剂；所述的酸与所述的有机胺的质量比为(1-3):1。
本发明的酸性洗濯液具有如下的一个或多个优点：具有较好的洗濯效果，可以抑制半导体晶圆的损伤，具有较好的BTA打消效果。

采集日期：2023年11月19日

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