紫光：DRAM内存芯片设计处于世界主流水平 要解决产能_紫光_闪存

对付外界关心的自主DDR4内存进展上，紫光表示，在DRAM内存芯片上，该公司已具备天下主流设计水平，但是产能无法担保，产品销量不会太大。

按照紫光的操持来说，他们DDR4芯片正在开拓中，估量年底前完成并推向市场，其还在DRAM存储器芯片产品方面投入加大，目前DDR3是主流产品，DDR4有望在今年内完成开拓。

此外，紫光目前还在研发128层堆栈的256Gb核心3D NAND闪存，而今年年底将会量产32层64Gb核心的3D NAND闪存，明年会量产64层堆栈128Gb核心容量的闪存。