随着电子设备不断小型化和性能哀求的提升,芯片中的晶体管数量持续增加,尺寸日益缩小,同时也带来了新的技能寻衅,尤其是在介质材料方面。电子芯片中的介质材料紧张起到绝缘的浸染,但当传统的介质材料厚度减小到纳米级别时,其绝缘性能会显著低落,导致电流泄露。这不仅增加了芯片的能耗,还导致发热量上升,影响了设备的稳定性和利用寿命。为理解决这一难题,科研团队开拓了一种创新的金属插层氧化技能。
中国科学院上海微系统与信息技能研究所研究员狄增峰先容,以前的介质材料紧张是用非晶的材料来做,我们这次发明紧张是发明了晶体的介质材料,通过插层氧化的技能对单晶铝进行氧化,实现了单晶氧化铝作为介质材料,它在1纳米下能够实现非常低的泄露电流。
中国科学院上海微系统与信息技能研究所研究员田子傲先容,这个氧化铝它便是蓝宝石,它虽然是人工合成的,但是它的晶体构造,它的介电特性,它的绝缘特性都是跟我们现实生活中的宝石的性能是一样的。这个便是我们最范例的一个器件构造,下面是锗的半导体材料,中间是介质,上面是金属,这是中间薄薄的一层,大概只有2个纳米,它便是我们人工合成的蓝宝石,可以看到它的它这个界面是非常清晰的,非常光滑的界面也有助于它限定泄电流的产生。

据先容,通过采取这种新型材料,科研团队目前已成功制备出低功耗芯片器件,续航能力和运行效率得到大幅提升。这一成果不仅对智好手机的电池续航具有主要意义,还为人工智能、物联网等领域的低功耗芯片发展供应了有力支持。