欢迎关注【玩转单片机与嵌入式】公号，回答关键字获取更多免费视频和资料
回答【加群】，【单片机】、【STM32】、【硬件知识】、【硬件设计】、【经典电路】、【论文】、【毕业设计】、【3D封装库】、【PCB】、【电容】、【TVS】、【阻抗匹配】、【资料】、【终端电阻】、【Keil】、【485】、【CAN】、【振荡器】、[USBCAN]、【PCB】、【智好手环】、【智能家居】、【智能小车】、【555】、【I2C】、【华为】、【复兴】，等……
在本文中，我们将先容相反的问题：我们有一个3.3V输出，我们须要驱动一个5V系统。
这是一个非常范例的情形，我们有一个3.3V系统（例如大多数32位系统，如STM32），我们须要将数据发送到较旧的5V系统，如51单片机。首先，我们须要考虑我们正在连接哪种5V系统。特殊是，我们须要知道：低电平和高电平输入和输出电压。输入电流对付CMOS输入，输入电流利常在1uA旁边或更低，因此不存在这样的问题。对付TTL器件，输入电流乃至可能超过1 mA（例如，拜会7400数据表）。因此，在与TTL输入接口时，应采纳一些额外的方法，我们将进行逐一的阐明。另一个更主要的方面由逻辑电平。事实上，5V TTL和5V CMOS输入具有不同的逻辑电平，因此我们将提出的一些办理方案对付某些输入是足够的，但这些办理方案无法可靠地用于其他输入类型。
图1：3.3 V CMOS输出、5 V TTL输入和5 V CMOS输入的逻辑电平
将3.3V输出接口至5V输入的紧张办法有：
直接连接
利用 74HCTxx 栅极（或其他 5V TTL 输入兼容系列）
利用二极管偏移
电阻偏移
双极型晶体管/场效应管逆变器
系列晶体管
双极型晶体管系列
电平转换器 IC
光耦合器/隔离器
1、直接连接这是最大略的方法。此办理方案“险些总是”有效，但有一些主要的警告。图2：3.3V CMOS和5V TTL器件之间可以直接连接
首先，当与TTL输入接口时，任何最新的CMOS输出都将事情，由于3.3V CMOS的高电平输出电压靠近3.3V（把稳！实际输出电压取决于输出电流。对付重负载输出，输出电平可能变革为0.5V或更高！
），TTL的最小高电平输入电压仍为2V。同样，如果不是负载太重，CMOS的低电平输出电压也低于最大低电平TTL输入电压。我们之以是写“最新”的CMOS，是由于较旧的CMOS芯片（例如CD4xxx系列）具有非常高的输出阻抗，因此它们不会接管/源出太多电流（您常日不肯望接管/源出超过0.5 mA）。试图得到太多的电流会使输出电压偏移太大。较旧的TTL芯片具有输入电流，可能超过1mA。险些所有当代CMOS器件（例如MCU的GPIO）都可以毫无问题地驱动更高的电流。其次，当连接到5V CMOS器件时，这可能有效，但不可靠。事实上，5V CMOS的高电平输入电压为3.5V。这乃至高于您期望从3.3V系统（即3.3V）得到的最大输出电压。不过，为什么这有时还可以利用呢？答案是由于实际的阈值逻辑电平，即5V CMOS的2.5V。任何高于2.5V的电压将被读取为1，任何低于2.5V的电压将被读取为0。但是，实际的阈值水平可能会随着温度和老化而变革：在两个逻辑电平区域之间操作是不屈安的。任何噪声或滋扰都可能在输出端产生毛刺。如果您的系统必须可靠地事情，那么您须要其他办理方案，如下所示。此外，在驱动靠近逻辑电平阈值的数字非迟滞输入时该当心，由于会发生电流花费。事实上，考虑大略的CMOS逆变器，如下所示：当输入电压靠近VDD/2时，两个MOSFET都处于ON状态，因此直流路径电流将从VDD流向GND。 上图是CMOS逆变器的内部电路。如果“IN”旗子暗记处的电压靠近VDD/2，则两个MOSFET都将处于ON状态，并且电流将在VDD和GND之间流动
上风：
无需其他组件
大略
劣势：
降落噪声裕量，随意马虎收到滋扰
仅与某些逻辑族可靠地事情
2、利用逻辑门电路74HCTxx 系列是具有 TTL 兼容逻辑电平的 CMOS 器件（具有 TTL 兼容输入电平的所有其他 5V 逻辑系列也可以正常事情）。特殊是，输入高压电平为2V，远低于CMOS高输出电压。通过在系统之间插入任何具有TTL兼容输入电平的逻辑门（请参阅下面的示例），就可以实现得当的电压电平转换器。
任何具有TTL兼容输入的非反相逻辑门都可以可靠地充当转换器。上风：
快
可与 CMOS 和 TTL 器件合营利用
只须要一个电源。
劣势：
须要一个外部 IC（可能还须要其去耦电容等器件）
3：利用二极管偏移通过直接连接到5V CMOS输入，我们看到紧张问题是3.3V输出的高电平输出电压，该输出电压不敷以仅处于安全区域（最多3.3V，而最小值为3.5V）。相反，低电平CMOS输入的最大电压是VDD的30%，即5V系统中为1.5V。因此，如果我们能在CMOS输出上增加小的偏移，那就太好了。出于这个缘故原由，可以大略地利用二极管和上拉电阻。但是，通过这种办法，电流将流入我们3.3V系统的输出保护二极管。这种电流应尽可能小，以避免破坏3.3V系统。
上述电路中，当3.3V系统的output为高电平时，5V系统的input电压为3.3V+0.7V（二极管的压降），当3.3V系统的output为低电平时，5V系统的input电压为0.7V（二极管的压降）。在测试过程中须要把稳，纵然在3.3V系统为高电平状态下，3.3V系统也会有电流流入。这可能会导致 3.3V 设备上涌现问题。更好的办理方案是利用额外的二极管。由于新二极管直接连接到3.3V电源轨（它不必通过我们的IC），因此电流将流向电源。
在上述电路中，当输出为高电平时，电流不会流入输出，而是流过D2。只管如此，这两种办理方案都有一个固有的问题：如果3.3V系统是低功耗，那么它这样就会花费非常低的电流。如果总电流花费低于流入电阻器的电流，则3.3V电源轨实际年夜将由5V通过电阻器和二极管供电。这可能是一个问题，由于如果3.3V系统没有花费足够的电流，3.3V电压可能会增加到约4.3V，这可能会破坏3.3V系统本身。
为理解决这个问题，有一个大略的办理方案是放置第二个电阻，它至少接管流入D2的电流（约1V / R1。因此，R2 应为 R1 的 3.3 倍或更低）。
上图中加上R2，其值最多比R1大3.3倍，这样才能确保流入D2的电流将“耗散”，并且不会增加3.3V电压。上拉电阻的值应打算在内，以便：它足够低，可以给我们所需的速率。它比输入阻抗小得多（只管在CMOS器件中，这不是一个大问题）。它足够大，不会使CMOS输出电压过载，特殊是在低电平下。对付那些具有相对较高输出阻抗的CMOS输出（CD40xx系列）来说，这尤其是一个问题。它足够大，以避免过多的电流流入3.3V电源轨。它足够大，可以将电流花费保持在可接管的水平。上风：
便宜
劣势：
比其他办理方案慢得多。
须要仔细选择电阻值：避免破坏，得到正常的速率，并将高低压保持在精确的范围内。
相对较高的电流花费。
须要 2 到 4 个附加组件。
噪声裕量差。
须要一个低阻抗驱动输出。
须要相对较高的输入阻抗
4：电阻偏移我们也可以利用电阻分压器引入失落调。这种大略的办理方案比二极管偏移更便宜（但速率稍慢），并且仍旧存在电流流入输出引脚的问题。
一个大略的电阻分压器将许可为我们的3.3V输出增加一个失落调。更好的办理方案是在输出中添加一个虚拟负载，该负载将吸附来自5V通过R1和R2的电流。另一种看待这一点的方法是，断开输出，根据打算值，R1-R2-R3将形成电阻分压器，R3两端的电压最多为3.3V。图中指示的值以术语或通用“R”值表示。当输出为3.3V时，添加R3将许可将来自5V的任何电流分流至地（而不是通过输出引脚分流至3.3V。
当输出为0时，电压将为5V （R2/（R1+R2）），即1V，低于1.5V阈值。当输出为3.3V时，电压将为5V （R2/（R1+R2）） + 3.3V （R1/（R1+R2）） = 3.64V。通过调度R1/R2比率可以实现更好的高电平值，但必须考虑到，当输出为0V时，电压应小于1.5V。把稳：我们分别以0和3.3V作为CMOS输出电压，当输出分别为低电平和高电平时。虽然高电平电压没有问题（除非R3太低）（由于它被R1 + R2拉起），但低电平电压将根据流入输出的电流而增加。上风：
比二极管偏移量便宜。
劣势：
比二极管失落调度决方案慢，特殊是在高到低的过渡中，由于电流流过R1和R2，相对付二极管，R1和R2的阻抗要高得多。
须要仔细选择电阻值，以避免破坏，得到适当的速率，并将高低压保持在精确的范围内。
相对较高的电流花费。
须要 2 到 3 个附加组件。
噪声裕量差。
须要一个低阻抗驱动输出。
须要相对较高的输入阻抗。
5、三极管或MOS管转换如果可以接管或须要反相信号，则可以利用大略的MOSFET/BJT。否则，可以利用其他阶段。上图中是大略的三极管的反相器。级联两个将许可实现直接旗子暗记，而不是反相信号。
上图是MOSFET的 版本，利用的器件更少，但价格更昂贵。
上风：
相对付二极管偏移，尺寸要大略得多。
更好的噪声裕量，由于低电平和高电平都靠近电源轨。
劣势
须要 2/3 个外部组件。
它是反相的。
相对较慢的由低变为高的韶光。
相对付MOSFET实现，BJT实现实际上相对较慢，由于BJT关断特性相对较慢。
当MOSFET/BJT处于导通状态时，花费相对较高。
须要相对较高的输入阻抗
6、MOS管转换上图的事情事理很大略。当输出为3.3V时，MOSFET将处于关断状态，由于VGS=0V，因此输出由上拉电阻保持在5V。如果输出为低电平，则 VGS 为 3.3V。假设MOSFET具有逻辑电平阈值（当VGS = 2.5V时应完备导通），MOSFET将导通，将低电平值通报至5V输入。上风：
双向
相对大略的办理方案。
它不会使输入反相，就像通用源配置中的单个 MOSFET/BJT 一样。
劣势：
须要 2 个外部元件
相对较慢。
须要一个低阻抗驱动输出以避免过载。
功耗相对较高。
须要相对较高的输入阻抗。
7、三极管转换
这种方案与上面的MOS管方案类似，只是这里利用了三极管。事情事理是相同的，当output输出3.3V时，三极管截止。此时Input的电压被电阻上拉到5V。当output输出0V时，三极管导通，input的电压为三极管的Vce电压。它与前一个电路具有相同的优点，但也引入了一些额外的缺陷。上风：
双向
相对大略的办理方案。
它不会使输入反相，就像通用源配置中的单个 MOSFET/BJT 一样。
劣势：
须要 3 个外部组件。
相对较慢。
须要一个低阻抗驱动输出以避免过载。
功耗相对较高。
须要相对较高的输入阻抗。
BJT饱和集电极至发射极电压（VCESAT）被添加到低电平输出电压中。不过，一样平常不印象利用。
8：利用电平转换IC专用电平转换器 IC（如 74LVC1T245）将知足您所需的统统需求，与分立式办理方案比较具有更好的性能，但价格要高得多。有许多变体，例如具有不同速率（和价格）的更多通道（74LVC8T245，74LVC16T245）或不同的逻辑系列（74ALVT162245）。
当您须要高性能 3.3V 至 5V 电平转换（常日在高速总线、时钟等中）时，请利用此办理方案。
与其他办理方案比较，电平转换器常日性能更好，特殊是在噪声裕量和速率方面（直接连接除外）。
上风：
快速（纵然不如直接连接快，由于增加了一个小的延迟）。
高噪声裕量
劣势：
须要一个电平转换器，可能还须要 2 个去耦电容器（每个电源域一个）。
贵。
9、利用隔离器件该办理方案是“任何电压到任何电压”的转换器，因此它也可用于3.3V到5V的转换。有 4 种配置，详细取决于您的哀求。
上图中是采取光耦合器的非反相配置。上图是利用利用光耦合器的反相配置。请把稳，某些配置须要强大的低电平输出驱动器（而在高等输出强度方面没有任何哀求），而另一种配置则须要强大的高等输出驱动程序。同样，输出将供应一个强的上拉/下拉路径（通过耦合器）和一个较弱的上拉/下拉路径（分别通过下拉/上拉电阻）。您可以利用基于电容式、巨磁阻或磁耦合的更新器件，而不是利用标准光隔离器，纵然这些器件常日要昂贵得多。
上风：
电气绝缘。
更好的安全性。
“任何电压到任何电压”转换。
您可以选择反转旗子暗记。
劣势：
常日速率较慢，除非利用高速隔离器。
相对昂贵。
相称笨重的设备。
高功耗。
输出和输入阻抗有一些限定。
E N D
