一、 正装芯片与倒装芯片的差异：
金线支架荧光粉胶水散热设计正装小芯片φ0.8～φ0.9mil直插式YAG环氧树脂无倒装芯片φ1.0～φ1.25milDome PowerYAG或硅酸盐荧光粉硅胶散热基板
二、正装芯片与倒装芯片的构造
正装芯片构造
正装芯片是最早涌现的芯片构造，该构造中从上至下依次为：电极，P型半导体层,发光层，N型半导体层和衬底，该构造中PN结处产生的热量须要经由蓝宝石衬底才能传导到热沉，蓝宝石衬底较差的导热性能导致该构造导热性能较差，从而降落了芯片的发光效率和可靠性。
倒装芯片构造：
倒装芯片构造从上至下依次为蓝宝石衬底、N型半导体层,发光层，P型半导体层和电极，与正装构造比较，该构造中PN结处产生的热量不经由衬底即可直接传导到热沉，因而散热性能良好，芯片发光效率和可靠性较高;倒装构造中，p电极和n电极均处于底面，避免了对出射光的遮挡，芯片出光效率较高;此外，倒装芯片电极之间间隔较远，可减小电极金属迁移导致的短路风险。
三、正装芯片与倒装芯片封装制程差异：
(1).固晶：正装小芯片采纳在直插式支架反射杯内点上绝缘导热胶来固定芯片，而倒装芯片多采取导热系数更高的银胶或共晶的工艺与支架基座相连，且本身支架基座常日为导热系数较高的铜材；
(2).焊线：正装小芯片常日封装后驱动电流较小且发热量也相对较小，因此采取正负电极各自焊接一根φ0.8～φ0.9mil金线与支架正负极相连即可；而倒装功率芯片驱动电流一样平常在350mA以上，芯片尺寸较大，因此为了担保电流注入芯片过程中的均匀性及稳定性，常日在芯片正负级与支架正负极间各自焊接两根φ1.0～φ1.25mil的金线；
(3).荧光粉选择：正装小芯片一样平常驱动电流在20mA旁边，而倒装功率芯片一样平常在350mA旁边，因此二者在利用过程中各自的发热量相差甚大，；
(4).胶体的选择：正装小芯片发热量较小，因此传统的环氧树脂就可以知足封装的须要；而倒装功率芯片发热量较大，须要采取硅胶来进行封装；
(5).点胶：正装小芯片的封装常日采取传统的点满全体反射杯覆盖芯片的办法来封装，而倒装功率芯片封装过程中，由于多采取平头支架，因此为了担保全体荧光粉涂敷的均匀性提高出光率而建议采取保型封装(Conformal-Coating)的工艺；示意图如下：
(6).灌胶成型：正装芯片常日采取在模粒中先灌满环氧树脂然后将支架插入高温固化的办法；而倒装功率芯片则须要采取从透镜个中一个进气孔中逐步注意灌输硅胶的办法来添补，添补的过程中应提高操作避免烘烤后涌现气泡和裂纹、分层等征象影响成品率；
(7).散热设计：正装小芯片常日无额外的散热设计；而倒装功率芯片常日须要在支架下加散热基板，分外情形下在散热基板后添加风扇等办法来散热；在焊接支架到铝基板的过程中 建议利用功率<30W的恒温电烙铁温度低于230℃，勾留韶光<3S来焊接；
(8).封装后成品示意图：
LED芯片封装技能已经形成几个流派，不同的技能对应不同的运用，都有其独特之处。可以创造，倒装芯片发光效率高、散热性好、可靠性高、量产能力强，更适用于小间距和微间距显示产品。
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