华微电子申请肖特基二极牵制作方法专利降低正向压降_外延_类型

专利择要显示，本申请供应一种肖特基二极管及其制作方法，涉及半导体技能领域。
所述肖特基二极管包括第一导电类型衬底、第一导电类型外延层、介质层、势垒层、阳极导电层及阴极导电层，第一导电类型外延层位于第一导电类型衬底一侧，第一导电类型外延层包括多个凹槽，多个凹槽交错排列；凹槽内添补有连接层；介质层位于第一导电类型外延层阔别第一导电类型衬底一侧，介质层包括暴露出第一导电类型外延层的引线孔，势垒层位于引线孔内；阳极导电层位于势垒层阔别第一导电类型外延层一侧；阴极导电层位于第一导电类型衬底阔别第一导电类型外延层一侧。
如此，通过设置交错排列的多个凹槽，可以使沟槽区域的面积相对减小，增加单位势垒区域的面积，降落正向压降。

本文源自金融界