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以N沟道MOS管为例，Vt是其导通为阀值电压：
当Vgs＜Vt时，源级漏级之间隔着P区，漏结反偏，故无漏级电流，Mos管不导通；当Vgs>Vt时，栅极下的P型硅表面发生强反型，形成连通源区和漏区的N型沟道产生漏级电流ID，Mos管导通。对付恒定Vds，Vgs越大，则沟道中可移动的电子越多，沟道电阻就越小，ID就越大。当然这个Vgs大到一定值，电压再大，ID的变革也不会再有太大的变革了。（这个和三极管的Ic变革是类似的道理）
Vt＞0时，称为增强型，为常关型，零栅压时无导电沟道。
（图片来自网络侵删）
Vt＜0时，称为耗尽型，为常开型，零栅压时有导电沟道。
MOS管的通断过程
1、Mos管的寄生电容
Mos管的漏、源、栅极间都有寄生电容，分别为Cds、Cgd、Cgs。
Cds=Coss （输出电容）；
Cgd+Cgs=Ciss (输入电容）；
2、Mos管的开关过程
下面以MOS管开关过程中栅极电荷特性图进行讲解，VTH：开启阀值电压;VGP：米勒平台电压;VCC：驱动电路的电源电压;VDD：MOSFET关断时D和S极间施加的电压
t1阶段：当驱动开通脉冲加到MOSFET的G极和S极时，输入电容Ciss充电直到FET开启为止，开启时有Vgs=Vth，栅极电压达到Vth前，MOSFET一贯处于关断状状态，只有很小的电流流过MOSFET，Vds的电压Vdd保持不变。t2阶段:当Vgs到达Vth时，漏极开始流过电流ID，然后Vgs连续上升，ID也逐渐上升，Vds保持Vdd不变，当Vgs到达米勒平台电压Vgp时， ID也上升到负载电流最大值ID，Vds的电压开始从Vdd低落。t3阶段：米勒平台期间，ID连续坚持ID不变，Vds电压不断的降落，米勒平台结束时候，iD电流仍坚持ID，Vds电压降到—个较低的值。米勒平台的高度受负载电流的影响，负载电流越大，则ID到达此电流的韶光就越长，从而导致更高的Vgp。t4阶段：米勒平台结束后， iD电流仍坚持ID，Vds电压连续降落，但此时降落的斜率很小，因此降落的幅度也很小，末了稳定在Vds＝Id×Rds（on） ， 因此常日可以认为米勒平台结束后MOSFET基本上已经导通。所以为了减少开通损耗，一样平常要尽可能减少米勒平台的韶光。t1和t2阶段，由于Cgs＞＞Cgd ，以是驱动电流紧张是为Cgs充电（QGS）。t3阶段，由于Vds从Vdd开始低落，Cgd放电，米勒电流igd分流了绝大部分的驱动电流（QGD），使得MOSFET的栅极电压基本坚持不变。t4阶段，驱动电流紧张是为Cgs充电（Qs）。
