中国上马存储器芯片制造酝酿己久，众说纷纭，有附和者，也有人表示担心。由于工艺技能等问题很多，担心是完备正常的。
目前3D NAND三星走在前列，它的第三代3D NAND去年已开始48层，256GB量产。
3D NAND在制造中有许多新的繁芜的工艺。平面NAND中紧张与前辈的光刻工艺干系。比较较3D NAND制造中利用成熟工艺制程40nm-20nm。3D NAND制造中更大的寻衅是由前辈图形引成转向淀积与堕落。其余，采取芯片减薄后的堆叠方法，目前的估计最多可达128层。只管3D NAND前景看好，但是与平面NAND比较要跨过本钱平衡点，最快可能在今年的64层，或者更多。
这次中国政府层面敢下决心投入巨资，让环球业界震荡。由于存储器与CPU有很大的不同，它的成功依赖于决心，须要持续的投资以及忍受可能永劫光的亏损，以是它不太适宜于民营成本去博弈。对付中国存储器家当，敢于去“赌”,就有成功的希望。
为什么武汉新芯会选择3D NAND芯片，而不是逻辑芯片作为打破口呢？
由于环球3D NAND除了三星己经量产之外，其它如SK海力士、东芝及美光都要等上几个季度之后。
而新芯在中科院微电子所等互助帮助下己经做成9层3D NAND的样品，非常有信心在2018年实现48层的量产，这样与三星之间也就差距在3-4年。
而如果做逻辑芯片，台积电在2011年Q4开始量产28纳米，等到2018年新芯也实现量产28纳米时，台积电的设备大部分折旧己经完成，假设那时的28纳米芯片在成品率及功能方面与台积电的完备相同，由于巨大的折旧包袱在本钱上至少差30%以上，以是可能胜算就很小。
而做3D NAND，估计可以多出几年韶光让我们可以追赶。其余，未来中国在大数据、云打算等推动下数据中央市场会大幅增加，因此海内市场的需求也是选择生产NAND闪存的缘故原由之一。
其余，环球28纳米逻辑芯片的市场约100亿美元，台积电一家市场份额就达到80%。从2016 Q1数据来看，它的28纳米产品占其发卖额30%，约为20亿美元。随着手机处理器芯片等产品的功能提升，逻辑芯片制程上会向14纳米及以下挺进，预估环球28纳米市场会有所低落。
显然中芯国际己在2015年Q4开始28纳米逻辑芯片的量产，目前正在量产爬坡之中，它的目标是28纳米占今年Q4发卖额的10%，估量该季出货片量该当可达约20000片，即每月出货有7000片。
以是28纳米逻辑芯片工艺及48层 3D NAND是两个“拦路虎“，它们都是中国芯片制造业提高路上的十分主要节点，它们的量产水平直接可用来衡量中国芯片制造业的水平以及差距的逐步缩小。
原文作者：莫大康
