公制封装图尺寸：1608
0603封装尺寸图
0805封装尺寸图
0805封装尺寸图
A-3216封装尺寸图表面贴装元件公制封装图尺寸：A-3216钽电容 耐压10V
A-3216封装尺寸图
B-3528封装尺寸图表面贴装元件公制封装图尺寸：B-3528 钽电容 耐压16V
B-3528封装尺寸图
C-6032封装尺寸图
C-6032封装尺寸图
表面贴装元件英制封装图尺寸：
表面贴装元件公制封装图尺寸：C-6032 钽电容 耐压25V
D-7343封装尺寸图表面贴装元件公制封装图尺寸：C-7343 钽电容 耐压35V
D-7343封装尺寸图
封装
(L) 长度
公制(毫米)英制(英寸)
(W) 宽度
公制(毫米)英制(英寸)
(t) 端点
公制(毫米)英制(英寸)
封装
封装
“钽贴片电解电容有玄色或灰色标志的一头是正极，其余一头是负极。对付铝贴片电解电容就和普通直插电解电容一样，有杠杠的那端为负极。”
在网上查到这么一句话，可算是把板子上的钽电解全部平反了！
之前在复位电路总是不正常，查来查去，是复位的钽电解极性接反了！
以往用贴片电解大都便是对付钽电解电容，隐约在意识里知道画杠的一边是接高电位，就没有太把稳其极性的表示方法。给医疗组的一哥们问起来：“它不跟普通电解电容一样么？普通电解画白道子的一端是‘负’极啊？再或者它该当和贴片二极管一样吧？二极管也是画白道子的那头是‘负’极诶！
”——歪着头一想也是！
极性的标识方法也该当有个‘统一’的原则吧？于是在此后焊的板子里所有的钽电解都掉了个头。
究竟因此有电容的地方电平被拉得特殊低这一征象，标志着我对电解电容极性的表示方法完备混乱。真服了这种‘下贱’的表示方法，同样是电解电容，钽电解虽然昂贵一点，也不能搞分外啊！
无极性电容以0805、0603两类封装最为常见；
0805详细尺寸：2.0×1.25×0.5
1206详细尺寸：3.0×1.50×0.5
贴片电容以钽电容为多，根据其耐压不同，又可分为A、B、C、D四个系列，详细分类如下：
类型 封装形式 耐压
A 3216 10VB 3528 16VC 6032 25VD 7343 35V贴片钽电容的封装是分为A型（3216），B型（3528）， C型（6032）， D型（7343），E型（7845）。
贴片电容正负极区分
一种是常见的钽电容，为长方体形状，有“-”标记的一端为正； 其余还有一种银色的表贴电容，想来该当是铝电解。 上面为圆形，下面为方形，在光驱电路板上很常见。 这种电容则是有“-”标记的一端为负。
发光二极管：颜色有红、黄、绿、蓝之分，亮度分普亮、高亮、超亮三个等级，常用的封装形式有三类：0805、1206、1210
二极管：根据所承受电流的的限度，封装形式大致分为两类，小电流型（如1N4148）封装为1206，大电流型（如IN4007）暂没有详细封装形式，只能给出详细尺寸：5.5 X 3 X 0.5
电容：可分为无极性和有极性两类:
无极性电容下述两类封装最为常见，即0805、0603；
有极性电容也便是我们平时所称的电解电容，一样平常我们平时用的最多的为铝电解电容，由于其电解质为铝，以是其温度稳定性以及精度都不是很高，而贴片元件由于其紧贴电路版，以是哀求温度稳定性要高，以是贴片电容以钽电容为多，根据其耐压不同，贴片电容又可分为A、B、C、D四个系列，详细分类如下：
类型 封装形式 耐压
A 3216 10V
B 3528 16V
C 6032 25V
D 7343 35V
贴片钽电容的封装是分为A型（3216），B型（3528）， C型（6032）， D型（7343），E型（7845）。有斜角的是表示正极,(小三角的表示正极?不知道!)
拨码开关、晶振：等在市场都可以找到不同规格的贴片封装，其性能价格会根据他们的引脚镀层、标称频率以及段位干系联。
电阻：和无极性电容相仿，最为常见的有0805、0603两类，不同的是，它可以以排阻的身份涌现，四位、八位都有，详细封装样式可参照MD16仿真版，也可以到设计所内部PCB库查询。
注：
A\B\C\D四类型的封装形式则为其详细尺寸,标注形式为L X S X H
1210详细尺寸与电解电容B类3528类型相同
0805详细尺寸：2.0 X 1.25 X 0.5
1206详细尺寸：3.0 X 1.5 0X 0.5
电容电阻形状尺寸与封装的对应关系是: 0402=1.0x0.5 0603=1.6x0.8 0805=2.0x1.2 1206=3.2x1.6 1210=3.2x2.5 1812=4.5x3.2 2225=5.6x6.5 注：
A\B\C\D四类型的封装形式则为其详细尺寸,标注形式为L X S X H1210详细尺寸与电解电容B类3528类型相同
0805详细尺寸：2.0 X 1.25 X 0.51206详细尺寸：3.0 X 1.5 0X 0.5
1.电阻电容的封装形式如何选择，有没有什么原则?比如,同样是104的电容有0603、0805的封装，同样是10uF电容有3216，0805,3528等封装形式，选择哪种封装形式比较得当呢?我看到的电路里常用电阻电容封装：
电容：
0.01uF可能的封装有0603、0805
10uF的封装有3216、3528、0805
100uF的有7343
320pF封装：0603或0805
电阻：
4.7K、10k、330、33既有0603又有0805封装。
叨教怎么选择这些封装?
答：
贴片的封装紧张有：0201 1/20W 0402 1/16W 0603 1/10W 0805 1/8W 1206 1/4W 电容电阻形状尺寸与封装的对应关系是: 0402=1.0x0.5 0603=1.6x0.8 0805=2.0x1.2 1206=3.2x1.6 1210=3.2x2.5 1812=4.5x3.2 2225=5.6x6.5电容本身的大小与封装形式无关，封装与标称功率有关。它的长和宽一样平常是用毫米表示的。但是型号是采取的英寸的表示方法。选择得当的封装第一要看你的PCB空间，是不是可以放下这个器件。一样平常来说，封装大的器件会比较便宜，小封装的器件由于加工进度要高一点，有可能会贵一点，然后封装大的电容耐压值会比封装小的同容量电容耐压值高，这些都是要根据你实际的须要来选择的，其余，小封装的元器件对贴装哀求会高一点，比如 SMT机器的精度。如手机里面的电路板，由于空间有限，事情电压低，就可以选用0402的电阻和电容，而大容量的钽电容就多为3216等等大的封装。
封装尺寸
电解电容：可分为无极性和有极性两类，无极性电容下述两类封装最为常见，即0805、0603；而有极性电容也便是我们平时所称的电解电容，一样平常我们平时用的最多的为铝电解电容，由于其电解质为铝，以是其温度稳定性以及精度都不是很高，而贴片元件由于其紧贴电路版，以是哀求温度稳定性要高，以是贴片电容以钽电容为多，根据其耐压不同，贴片电容又可分为A、B、C、D四个系列，详细分类如下：
类型 封装形式 耐压
A 3216 10V
B 3528 16V
C 6032 25V
D 7343 35V无极性电容的封装模型为RAD系列，例如“RAD-0.1”“RAD-0.2”“RAD-0.3”“RAD-0.4”等，其后缀的数字表示封装模型中两个焊盘间的间隔，单位为“英寸”。电解电容的封装模型为RB系列，例如从“RB-.2/.4”到“RB-.5/.10”，其后缀的第一个数字表示封装模型中两个焊盘间的间隔，第二个数字表示电容形状的尺寸，单位为“英寸”。
1.电阻电容的封装形式如何选择，有没有什么原则?比如,同样是104的电容有0603、0805的封装，同样是10uF电容有3216，0805,3528等封装形式，选择哪种封装形式比较得当呢?
我看到的电路里常用电阻电容封装：
电容：
0.01uF可能的封装有0603、0805
10uF的封装有3216、3528、0805
100uF的有7343
320pF封装：0603或0805
电阻：
4.7K、10k、330、33既有0603又有0805封装
叨教怎么选择这些封装?
2.有时候两个芯片的引脚(如芯片A的引脚1,芯片B的引脚2)可以直接相连，有时候引脚之间(如A-1和B-2)之间却要加上一片电阻，如22欧，叨教这是为什么?这个电阻有什么浸染?电阻阻值如何选择?
3.藕合电容如何支配？有什么原则？是不是每个电源引脚支配一片0.1uf？有时候看到0.1uf和10uf联合起来利用，为什么?
4.所谓5V ttl器件、5V cmos器件是指什么意思?是不是说该器件电源接上5V，其引脚输出或输入电平便是5V ttl或者5v cmos?
5.板子上要做两个串口，可不可以只用一块MAX232芯片?如果可以，用哪个型号的芯片?MAX3232C、MAX3232E还是MAX3232CSE?或者说这几个芯片哪个都可以
6.看PDIUSBD12芯片手册，见到两个观点，不清楚：单地址/数据总线配置、多路地址/数据总线配置,叨教这两者有什么差异
7.protel99中，电源和地的网络标号是不是肯定是全局的(纵然我利用层次电路事理丹青图模式3:电路端口全局，网络标号局部)
8.晶振起振电路电容彷佛一样平常为22pF，这是不是履历值，像高下拉电阻取值一样平常为4.7k~10K
9.usb插座电路，有一个电容:0.01uF/2KV，有这么高的耐压电压电容吗？为什么在这里须要利用这么高的耐压电容
10.DB9插座究竟是2发送，3吸收还是3吸收2发送，或者是由自己定义，无所谓
12.何谓扇入、扇出、扇入系数及扇出系数
13."高速的差分旗子暗记线具有速率高，好布线，旗子暗记完全性好等特点"，叨教何谓高速差分旗子暗记线?
14.protel 99se中，布线时，旗子暗记线、地线、电源线线宽一样平常是多少？有什么原则须要把稳?
15.TTL电路和cmos电路有什么差异？什么时候利用TTL系列？什么时候利用cmos器件?
一些回答：
1.电阻电容的封装形式如何选择，有没有什么原则?比如,同样是104的电容有0603、0805的封装，同样是10uF电容有3216，0805,3528等封装形式，选择哪种封装形式比较得当呢?
我看到的电路里常用电阻电容封装：
电容：
0.01uF可能的封装有0603、0805
10uF的封装有3216、3528、0805
100uF的有7343
320pF封装：0603或0805
电阻：
4.7K、10k、330、33既有0603又有0805封装
叨教怎么选择这些封装?
答：选择得当的封装第一要看你的PCB空间，是不是可以放下这个器件。一样平常来说，封装大的器件会比较便宜，小封装的器件由于加工进度要高一点，有可能会贵一点，然后封装大的电容耐压值会比封装小的同容量电容耐压值高，这些都是要根据你实际的须要来选择的，其余，小封装的元器件对贴装哀求会高一点，比如SMT机器的精度。如手机里面的电路板，由于空间有限，事情电压低，就可以选用0402的电阻和电容，而大容量的钽电容就多为3216等等大的封装
2.有时候两个芯片的引脚(如芯片A的引脚1,芯片B的引脚2)可以直接相连，有时候引脚之间(如A-1和B-2)之间却要加上一片电阻，如22欧，叨教这是为什么?这个电阻有什么浸染?电阻阻值如何选择?
答： 这个电阻一样平常是串电阻，拿来做阻抗匹配的，当然也可以做降压用，用于3.3V I/O 连接2.5V I/O类似的运用上面。阻值的选择要负责看Datasheet，来打算
3.藕合电容如何支配？有什么原则？是不是每个电源引脚支配一片0.1uf？有时候看到0.1uf和10uf联合起来利用，为什么?
答：电容靠近电源脚，这个问题可以拜会http://www..com/bbs/DetailTopic_new.asp?topicid=3961&ForumID=5
补充一点意见：
在两个芯片的引脚之间串连一个电阻，一样平常都是在高速数字电路中，为了避免旗子暗记产生振铃（即旗子暗记的上升或低落沿附近的跳动）。事理是该电阻花费了振铃功率，也可以认为它降落了传输线路的Q值。
常日在数字电路设计中要真正做到阻抗匹配是比较困难的，缘故原由有二：1、实际的印制板上连线的阻抗受到面积等设计方面的限定；2、数字电路的输入阻抗和输出阻抗不象仿照电路那样基本固定，而是一个非线性的东西。
实际设计时，我们常用22到33欧姆的电阻，实践证明，在此范围内的电阻能够较好地抑制振铃。但是事物总是两面的，该电阻在抑制振铃的同时，也使得旗子暗记延时增加，以是常日只用在频率几兆到几十兆赫兹的场合。频率过低无此必要，而频率过高则此法的延时会严重影响旗子暗记传输。其余，该电阻也每每只用在对旗子暗记完全性哀求比较高的旗子暗记线上，例如读写线等，而对付一样平常的地址线和数据线，由于芯片设计总有一个稳定韶光和保持韶光，以是纵然有点振铃，只要真正发生读写的时候已经在振铃往后，就无甚大影响。
前面已经补充了一点，再补充一点：关于接地问题。
接地是一个极其主要的问题，有时关系到设计的成败。
首先要明确的是，所有的接地都不是空想的，在任何时候都具有分布电阻与分布电感，前者在旗子暗记频率较低时起浸染，后者则在旗子暗记频率高时成为紧张影响成分。由于上述分布参数的存在，旗子暗记在经由地线的时候，会产生压降以及磁场。若这些压降或磁场（以及由该磁场引起的感应电压）耦合到其它电路的输入，就可能会被放大（仿照电路中）或影响旗子暗记完全性（数字电路中）。以是，一样平常哀求在设计时就考虑这些影响，有一个大致的原则如下：
1、在频率较低的电路中（尤其是仿照电路或模数稠浊电路中的仿照部分），采取单点接地，即各级放大器的地线（包括电源线）分别接到电源输出端，成为星形连接，并且在这个星的节点上接一个大电容。这样做的目的是避免旗子暗记在地线上的压降耦合到其他放大器中。
2、在仿照电路中（尤其是小旗子暗记电路）要避免涌现地线环，由于环状的地线会产生感应电流，此电流造成的感应电势是许多滋扰旗子暗记的来源。
3、如果是纯挚的数字电路（包括模数稠浊电路中的数字部分）且旗子暗记频率不高（一样平常不超过10兆），可以共用一组电源与地线，但是必须把稳每个芯片的退耦电容必须靠近芯片的电源与地引脚。
4、在高速的数字电路（例如几十兆的旗子暗记频率）中，必须采纳大面积接地，即采取4层以上的印制板，个中有一个单独的接地层。这样做的目的是给旗子暗记供应一个最短的返回路径。由于高速数字旗子暗记具有很高的谐波分量，以是此时地线与旗子暗记线之间构成的回路电感成为紧张影响成分，旗子暗记的实际返回路径是紧贴在旗子暗记线下面的，这样构成的回路面积最小（从而电感最小）。大面积接地供应了这样的返回路径的可能性，而采取其他的接地方式均无法供应此返回路径。须要把稳的是，要避免由于过孔或其他器件在接地平面上造成的绝缘区将旗子暗记的返回路径割断（地槽），若涌现这种情形，情形会变得十分糟糕。
5、高频仿照电路，也要采纳大面积接地。但是由于此时的旗子暗记线要考虑阻抗匹配问题，以是情形更繁芜一些，在这里就不展开了。
以上是个人多年实践中成功的履历与失落败的教训，希望对你有所帮助。
